氮化鎵

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氮化鎵是一種無機(jī)物,化學(xué)式GaN,是氮和鎵的化合物,是一種直接能隙(direct bandgap)的半導(dǎo)體,自1990年起常用在發(fā)光二極管中。此化合物結(jié)構(gòu)類似纖鋅礦,硬度很高。氮化鎵的能隙很寬,為3.4電子伏特,可以用在高功率、高速的光電元件中,例如氮化鎵可以用在紫光的激光二極管,可以在不使用非線性半導(dǎo)體泵浦固體激光器(Diode-pumped solid-state laser)的條件下,產(chǎn)生紫光(405nm)激光。2014年,日本名古屋大學(xué)和名城大學(xué)教授赤崎勇、名古屋大學(xué)教授天野浩和美國加州大學(xué)圣塔芭芭拉分校教授中村修二因發(fā)明藍(lán)光LED而獲得當(dāng)年的諾貝爾物理獎。

氮化鎵是一種無機(jī)物,化學(xué)式GaN,是氮和鎵的化合物,是一種直接能隙(direct bandgap)的半導(dǎo)體,自1990年起常用在發(fā)光二極管中。此化合物結(jié)構(gòu)類似纖鋅礦,硬度很高。氮化鎵的能隙很寬,為3.4電子伏特,可以用在高功率、高速的光電元件中,例如氮化鎵可以用在紫光的激光二極管,可以在不使用非線性半導(dǎo)體泵浦固體激光器(Diode-pumped solid-state laser)的條件下,產(chǎn)生紫光(405nm)激光。2014年,日本名古屋大學(xué)和名城大學(xué)教授赤崎勇、名古屋大學(xué)教授天野浩和美國加州大學(xué)圣塔芭芭拉分校教授中村修二因發(fā)明藍(lán)光LED而獲得當(dāng)年的諾貝爾物理獎。收起

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  • 重磅!意法半導(dǎo)體、英諾賽科達(dá)成GaN合作
    “電動交通&數(shù)字能源SiC技術(shù)應(yīng)用及供應(yīng)鏈升級大會”活
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  • 意法半導(dǎo)體與英諾賽科簽署氮化鎵技術(shù)開發(fā)與制造協(xié)議
    服務(wù)多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球排名前列的半導(dǎo)體公司意法半導(dǎo)體 (STMicroelectronics,簡稱ST;紐約證券交易所代碼:STM)與8英寸高性能低成本硅基氮化鎵(GaN-on-Si)制造全球領(lǐng)軍企業(yè)英諾賽科(香港聯(lián)合交易所股票代碼:02577.HK),共同宣布簽署了一項(xiàng)氮化鎵技術(shù)開發(fā)與制造協(xié)議。雙方將充分發(fā)揮各自優(yōu)勢,提升氮化鎵功率解決方案的競爭力和供應(yīng)鏈韌性。 根據(jù)協(xié)議,雙方將合作推進(jìn)氮化
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  • 淺析GAN氮化鎵功放在5G中的作用
    對功率放大器(PA)進(jìn)行恰當(dāng)?shù)拈_發(fā)、驗(yàn)證和特性分析十分重要,因?yàn)楣β史糯笃魍ǔT诎l(fā)射設(shè)備的功耗中占很大比例。在大多數(shù)芯片組和組件中,硅已被證明是一種可靠、經(jīng)濟(jì)高效且易于制造的材料。然而,隨著世界越來越朝著數(shù)字化、互聯(lián)互通且以設(shè)備為主導(dǎo)的生態(tài)系統(tǒng)發(fā)展,對更高性能、更高吞吐量和更高效率的需求也在增加。
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  • 良率超99%!國產(chǎn)8英寸GaN迎來新突破
    近日,九峰山實(shí)驗(yàn)室科研團(tuán)隊(duì)在全球首次實(shí)現(xiàn)8英寸硅基氮極性氮化鎵高電子遷移率材料的制備,在高頻、高功率器件等領(lǐng)域,有望為前沿技術(shù)發(fā)展及產(chǎn)業(yè)化落地提供有力支撐:
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  • GaN新技術(shù)!英諾賽科、納微、英飛凌等放大招
    近期,英諾賽科、納微半導(dǎo)體、英飛凌等企業(yè)公布了單片集成、雙向開關(guān)等氮化鎵產(chǎn)品&平臺,在產(chǎn)品成本、性能等方面實(shí)現(xiàn)了新的突破:
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  • 5G時(shí)代的功率放大器革新:揭秘氮化鎵GAN如何引領(lǐng)高效通信
    為推動全國5G部署的大規(guī)模MIMO(多輸入多輸出)技術(shù)。雖然毫米波頻率應(yīng)用的潛力最終將得到實(shí)現(xiàn),但在未來幾年內(nèi),5G服務(wù)將主要通過Sub-6GHz(6GHz以下)頻段傳輸?shù)男盘杹矶x。為了實(shí)現(xiàn)這一點(diǎn),下一代基站解決方案需要在射頻前端(RFFE)性能上進(jìn)行顯著提升。
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  • 英諾賽科正式納入港股通:第三代半導(dǎo)體龍頭開啟資本賦能新紀(jì)元
    2025年3月10日,第三代半導(dǎo)體龍頭英諾賽科正式納入港股通。預(yù)期后續(xù)估值與流動性將實(shí)現(xiàn)雙提升,或成中國半導(dǎo)體全球引領(lǐng)的關(guān)鍵樣本。依托IDM全產(chǎn)業(yè)鏈模式,英諾賽科在數(shù)據(jù)中心、新能源汽車、AI服務(wù)器領(lǐng)域正在成為“隱形冠軍”,其已推出全球首個(gè)量產(chǎn)100V GaN解決方案,布局40V車規(guī)級產(chǎn)品并通過AEC-Q101認(rèn)證。
  • 英飛凌推出采用新型硅封裝的 CoolGaN G3晶體管,推動全行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)化進(jìn)程
    氮化鎵(GaN)技術(shù)在提升功率電子器件性能水平方面起到至關(guān)重要的作用。但目前為止,GaN供應(yīng)商采用的封裝類型和尺寸各異,產(chǎn)品十分零散,客戶缺乏兼容多種封裝的貨源。為了解決這個(gè)問題,全球功率系統(tǒng)、汽車和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼:IFNNY)推出采用RQFN 5x6 封裝的 CoolGaN? G3 100V(IGD015S10S1)和采用RQF
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  • 英飛凌發(fā)布《2025年GaN功率半導(dǎo)體預(yù)測報(bào)告》
    在全球持續(xù)面臨氣候變化和環(huán)境可持續(xù)發(fā)展挑戰(zhàn)之際,英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼: IFNNY)一直站在創(chuàng)新前沿,利用包括硅(Si)、碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)在內(nèi)的所有相關(guān)半導(dǎo)體材料大幅推動低碳化和數(shù)字化領(lǐng)域的發(fā)展。 英飛凌在其 《2025年GaN功率半導(dǎo)體預(yù)測報(bào)告》中強(qiáng)調(diào),GaN將成為影響游戲規(guī)則的半導(dǎo)體材料,它將極大改變大眾在消費(fèi)、交通出行、住宅太陽能、電信
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  • 《元器件交易動態(tài)周報(bào)》-功率器件需求因汽車智能化、AI數(shù)據(jù)中心等市場增長而提升
    核心觀點(diǎn): 功率器件需求因汽車智能化、AI數(shù)據(jù)中心等市場增長而提升。 二極管四方維商品動態(tài)商情交貨周期指數(shù)維持在自2024年初以來的上升趨勢中;而晶體管交貨周期指數(shù)處于低位徘徊。 2025年1月,功率器件價(jià)格整體保持穩(wěn)定。 三大維度解讀功率器件最新供需動態(tài) 市場需求分析 圖 | 二極管四方維商品動態(tài)商情需求指數(shù)情況,來源:Supplyframe四方維 圖 | 晶體管四方維商品動態(tài)商情需求指數(shù)情況,
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    02/24 11:35
    《元器件交易動態(tài)周報(bào)》-功率器件需求因汽車智能化、AI數(shù)據(jù)中心等市場增長而提升
  • 鎵未來:GaN增長態(tài)勢明顯,重點(diǎn)布局三大領(lǐng)域
    回顧2024年,碳化硅和氮化鎵行業(yè)在多個(gè)領(lǐng)域取得了顯著進(jìn)步,并經(jīng)歷了重要的變化。展望2025年,行業(yè)也將面臨新的機(jī)遇和挑戰(zhàn)。為了更好地解讀產(chǎn)業(yè)格局,探索未來的前進(jìn)方向,行家說三代半與行家極光獎聯(lián)合策劃了《第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)-行家瞭望2025》專題報(bào)道。
  • CGD 獲得3,200萬美元融資,以推動在全球功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的增長
    氮化鎵(GaN)功率器件的領(lǐng)先創(chuàng)新者 Cambridge GaN Devices (CGD) 已成功完成3,200萬美元的C輪融資。該投資由一位戰(zhàn)略投資者牽頭、英國耐心資本參與,并獲得了現(xiàn)有投資者 Parkwalk、英國企業(yè)發(fā)展基金(BGF)、劍橋創(chuàng)新資本公司(CIC)、英國展望集團(tuán)(Foresight Group)和 IQ Capital 的支持。 電力電子進(jìn)入 GaN 的時(shí)代 氮化鎵器件代表了
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  • 總投資超5億!2個(gè)GaN項(xiàng)目加速推進(jìn)
    步入2025年,氮化鎵領(lǐng)域迎來新動態(tài),“行家說三代半”最新獲悉,國內(nèi)外有兩大氮化鎵項(xiàng)目取得重要進(jìn)展。2日15日,據(jù)“鹿泉融媒”透露,河北博威集成電路有限公司的氮化鎵微波產(chǎn)品精密制造生產(chǎn)線正在進(jìn)行基坑施工,預(yù)計(jì)2025年底竣工。
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  • GaN迎“開年紅”!4家企業(yè)獲新訂單
    2025年剛開局,“行家說三代半”發(fā)現(xiàn),國內(nèi)外便有多家氮化鎵相關(guān)企業(yè)迎來業(yè)務(wù)“開門紅”,訂單紛至沓來,行業(yè)熱度持續(xù)升溫。2月1日,據(jù)珠海高新區(qū)官微透露,英諾賽科2025年新年伊始便訂單激增,特別是在氮化鎵功率器件的生產(chǎn)上,訂單充足,為了保障客戶需求,英諾賽科春節(jié)不停工、不停產(chǎn),繼續(xù)保持生產(chǎn)節(jié)奏。
  • Wolfspeed前CEO加入氮化鎵公司
    2月6日,Power Integrations(PI)官網(wǎng)宣布,Wolfspeed前首席執(zhí)行官Gregg Lowe將于2025年2月15日加入其董事會。消息稱,Gregg Lowe在半導(dǎo)體行業(yè)擁有豐富的經(jīng)驗(yàn),曾擔(dān)任 Wolfspeed 的首席執(zhí)行官(2017-2024 年)和 Freescale Semiconductor 的首席執(zhí)行官(2012-2015 年)。
  • 日常生活中的工業(yè)技術(shù):助力智能生活的幕后力量
    為什么工業(yè)應(yīng)用是引領(lǐng)更可持續(xù)、更便利和更安全的生活不可或缺的一部分 大多數(shù)人在想象工業(yè)應(yīng)用中的技術(shù)時(shí),想到的是大型的機(jī)械和復(fù)雜的制造流程,這似乎與日常生活毫無關(guān)聯(lián)。然而通過實(shí)時(shí)控制,系統(tǒng)可以在規(guī)定的時(shí)間范圍內(nèi)收集、處理數(shù)據(jù)并自行更新。智能感應(yīng)可以檢測人員和機(jī)械,而邊緣人工智能 (AI) 可以快速、高效地做出決策。這些技術(shù)涵蓋從制造到物流的方方面面。它們就像超人一樣,從我們早上起床到晚上睡覺休息的這
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  • 英諾賽科上市:氮化鎵龍頭成長動力充足
    2024年下半年以來,香港資本市場掀起一波上市熱潮。從科技新貴到行業(yè)巨頭,眾多內(nèi)地企業(yè)將目光投向香港資本市場。臨近歲末,又一細(xì)分領(lǐng)域行業(yè)龍頭登陸港股資本市場。12月30日,英諾賽科(2577.HK)在港上市,掀開國際化發(fā)展新篇章。根據(jù)弗若斯特沙利文的資料,按2023年收入計(jì),英諾賽科在全球所有氮化鎵功率半導(dǎo)體公司中排名第一。 研發(fā)與IDM模式雙輪驅(qū)動 持續(xù)鞏固領(lǐng)先優(yōu)勢 作為最新一代半導(dǎo)體材料之一,
  • GaN“上車”進(jìn)程提速:1200V MOS、800V模塊
    氮化鎵技術(shù)在電動汽車領(lǐng)域的應(yīng)用潛力在日益顯現(xiàn),研發(fā)熱度不斷上漲。近日,國外多家企業(yè)/機(jī)構(gòu)向公眾展示了“GaN上車”的最新研究成果:
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  • 氮化鎵全球第一,英諾賽科做對了什么?
    絕大多數(shù)半導(dǎo)體細(xì)分市場,都是由海外巨頭主導(dǎo),然而氮化鎵功率半導(dǎo)體卻例外。 根據(jù)弗若斯特沙利文的數(shù)據(jù),英諾賽科(蘇州)科技股份有限公司(下文簡稱“英諾賽科”)2023年的收入為5.93億元,市場份額達(dá)33.7%,在全球氮化鎵功率半導(dǎo)體企業(yè)中排名第一。按折算氮化鎵分立器件出貨量計(jì),2023年英諾賽科的市場份額為42.4%,同樣在全球氮化鎵功率半導(dǎo)體公司中排名第一。 英諾賽科作為IDM廠商,設(shè)計(jì)、開發(fā)及
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    2024/12/25
    氮化鎵全球第一,英諾賽科做對了什么?
  • 英諾賽科即將登陸港股:氮化鎵分立器件累計(jì)出貨量全球第一!
    氮化鎵龍頭大廠英諾賽科(蘇州)科技股份有限公司(以下簡稱“英諾賽科”)于今年6月正式向香港證券交易所遞交了IPO上市申請之后,12月12日晚間,根據(jù)港交所披露的信息顯示,英諾賽科已經(jīng)通過上市聆訊,并披露聆訊后資料集。
    英諾賽科即將登陸港股:氮化鎵分立器件累計(jì)出貨量全球第一!

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