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步入2025年，氮化鎵領(lǐng)域迎來新動態(tài)，“行家說三代半”最新獲悉，國內(nèi)外有兩大氮化鎵項目取得重要進(jìn)展，詳情如下：
博威集成：GaN項目預(yù)計年底竣工
2日15日，據(jù)“鹿泉融媒”透露，河北博威集成電路有限公司的氮化鎵微波產(chǎn)品精密制造生產(chǎn)線正在進(jìn)行基坑施工，預(yù)計2025年底竣工。
據(jù)悉，該項目位于河北省石家莊市，總占地面積70.4畝，計劃分兩期建設(shè)，其中一期占地面積約45畝，建筑面積約5萬平方米，投資約2.5億元，主要建設(shè)科研樓、生產(chǎn)車間及配套設(shè)施等。
該項目主要面向氮化鎵微波電路研發(fā)、制造和銷售，主要應(yīng)用于5G通信、微波通信、衛(wèi)星通信等高科技重點(diǎn)領(lǐng)域，將在國內(nèi)率先實(shí)現(xiàn)5G基站氮化鎵功放全體系技術(shù)突破和規(guī)?；a(chǎn)，預(yù)計產(chǎn)品技術(shù)指標(biāo)、質(zhì)量可靠性及產(chǎn)業(yè)化能力均達(dá)到國際先進(jìn)水平，市場占有率國內(nèi)第一。
河北博威集成電路有限公司總經(jīng)理郭躍偉表示，該項目于2024年11月開工建設(shè)，預(yù)計將在2025年竣工，2026年投產(chǎn)使用。項目建成后，主要布局的領(lǐng)域和產(chǎn)品包括用于移動通信的第三代半導(dǎo)體基站功放、微波點(diǎn)對點(diǎn)通信ODU用微波毫米波MMIC芯片和器件，以及衛(wèi)星互聯(lián)網(wǎng)、商業(yè)航天、低空經(jīng)濟(jì)相關(guān)重點(diǎn)產(chǎn)業(yè)核心集成電路等。
企查查等平臺顯示，河北博威集成電路有限公司成立于2003年3月，控股股東為河北中瓷電子科技股份有限公司，參股股東為中國電子科技集團(tuán)公司第十三研究所等，是一家專業(yè)從事微波射頻集成電路研發(fā)、生產(chǎn)與經(jīng)營的高新技術(shù)企業(yè)，在5G通信基站用氮化鎵功放及5G網(wǎng)絡(luò)數(shù)據(jù)回傳用微波毫米波芯片與器件領(lǐng)域綜合實(shí)力國內(nèi)領(lǐng)先。
印度：加快GaN芯片研發(fā)制造
2日16日，據(jù)The Economic Times報道，印度信息技術(shù)部長阿什維尼·瓦伊什納透露，首款“印度制造”芯片將于今年 9 月或 10 月問世，而且，氮化鎵芯片也正在研發(fā)制造當(dāng)中。
據(jù)悉，印度政府已向班加羅爾印度科學(xué)研究所 (IISc) 撥款 33.4 億盧比（約合人民幣2.8億），將用于氮化鎵的技術(shù)研發(fā)，用于電信和電力領(lǐng)域。此外，印度政府還將很快推出與器件生產(chǎn)掛鉤的激勵 (PLI) 計劃。
除此之外，印度理工學(xué)院的一個跨學(xué)科教師小組也開發(fā)了印度首款 E-mode 氮化鎵功率晶體管，其報告稱性能可與迄今為止的一些最佳成果相媲美。而根據(jù)印度理工學(xué)院網(wǎng)站信息來看，GaN 被譽(yù)為印度在半導(dǎo)體這一領(lǐng)域占據(jù)一席之地的機(jī)會。
據(jù)此來看，隨著國內(nèi)外項目的持續(xù)推進(jìn)和技術(shù)突破，GaN有望進(jìn)一步開拓下游市場，推動產(chǎn)業(yè)向更高水平發(fā)展。今年，《2024-2025氮化鎵（GaN）產(chǎn)業(yè)調(diào)研白皮書》將深入分析GaN技術(shù)的最新進(jìn)展、市場趨勢以及未來的發(fā)展方向，為行業(yè)提供全面的參考。
目前，《GaN白皮書》正在調(diào)研中，歡迎行業(yè)領(lǐng)銜企業(yè)和專家參與編寫，共同推動GaN技術(shù)的發(fā)展。
