AFT18P350-4S2LR6 RF功率LDMOS晶體管-數(shù)據(jù)手冊

2023/04/25 作者：恩智浦

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AFT18P350-4S2LR6 RF功率LDMOS晶體管-數(shù)據(jù)手冊

RF功率LDMOS 晶體管 N通道增強模式側(cè)向MOSFET 此63瓦對稱多爾蒂射頻功率LDMOS晶體管設(shè)計用于覆蓋1805至1880 MHz頻段的蜂窩基站應(yīng)用。

典型的多爾蒂單載波W-CDMA性能：VDD = 28伏特，IDQA = 1000毫安培，VGSB = 1.2伏直流，Pout = 63瓦平均值，輸入信號PAR = 9.9分貝@ 0.01%概率的CCDF。

特點：

在對稱多爾蒂配置下進行生產(chǎn)測試
更大的負門源電壓范圍，以改善C類操作
設(shè)計用于數(shù)字預(yù)畸變誤差校正系統(tǒng)
帶卷和卷筒。R6后綴= 150個單位，56毫米帶寬，13英寸卷筒

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器件型號	數(shù)量	器件廠商	器件描述	ECAD模型	參考價格	更多信息
CRCW06032K20FKEA	1	Vishay Intertechnologies	Fixed Resistor, Metal Glaze/thick Film, 0.1W, 2200ohm, 75V, 1% +/-Tol, 100ppm/Cel, Surface Mount, 0603, CHIP, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT	ECAD模型下載ECAD模型	$0.12	查看
2-520263-2	1	TE Connectivity	ULTRA-FAST 250 ASY REC 22-18 TPBR	ECAD模型下載ECAD模型	$0.3	查看
2N6073AG	1	Rochester Electronics LLC	400V, 4A, 4 QUADRANT LOGIC LEVEL TRIAC, TO-225, LEAD FREE, CASE 77-09, 3 PIN		$0.85	查看

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恩智浦半導(dǎo)體創(chuàng)立于2006年，其前身為荷蘭飛利浦公司于1953年成立的半導(dǎo)體事業(yè)部，總部位于荷蘭埃因霍溫。恩智浦2010年在美國納斯達克上市。恩智浦2010年在美國納斯達克上市。恩智浦半導(dǎo)體致力于打造全球化解決方案，實現(xiàn)智慧生活，安全連結(jié)。