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AFT18P350-4S2LR6 RF功率LDMOS晶體管-數(shù)據(jù)手冊

2023/04/25
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AFT18P350-4S2LR6 RF功率LDMOS晶體管-數(shù)據(jù)手冊

RF功率LDMOS晶體管 N通道增強模式側(cè)向MOSFET 此63瓦對稱多爾蒂射頻功率LDMOS晶體管設(shè)計用于覆蓋1805至1880 MHz頻段的蜂窩基站應(yīng)用。

  • 典型的多爾蒂單載波W-CDMA性能：VDD = 28伏特，IDQA = 1000毫安培，VGSB = 1.2伏直流，Pout = 63瓦平均值，輸入信號PAR = 9.9分貝@ 0.01%概率的CCDF。

特點：

  • 在對稱多爾蒂配置下進(jìn)行生產(chǎn)測試
  • 更大的負(fù)門源電壓范圍，以改善C類操作
  • 設(shè)計用于數(shù)字預(yù)畸變誤差校正系統(tǒng)
  • 帶卷和卷筒。R6后綴= 150個單位，56毫米帶寬，13英寸卷筒

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MINISMDC014F-2 1 Littelfuse Inc PTC Resettable Fuse, Surface Mount, ROHS COMPLIANT

ECAD模型

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1827130 1 Phoenix Contact Modular Terminal Block, 8A, 1.5mm2, 1 Row(s), 1 Deck(s), ROHS COMPLIANT
$4.19 查看
114017 1 ERNI Board Stacking Connector, 125 Contact(s), 5 Row(s), Female, Straight, 0.079 inch Pitch, Press Fit Terminal, Locking, Plug,
$0.33 查看
恩智浦

恩智浦

恩智浦半導(dǎo)體創(chuàng)立于2006年，其前身為荷蘭飛利浦公司于1953年成立的半導(dǎo)體事業(yè)部，總部位于荷蘭埃因霍溫。恩智浦2010年在美國納斯達(dá)克上市。恩智浦2010年在美國納斯達(dá)克上市。恩智浦半導(dǎo)體致力于打造全球化解決方案，實現(xiàn)智慧生活，安全連結(jié)。

恩智浦半導(dǎo)體創(chuàng)立于2006年，其前身為荷蘭飛利浦公司于1953年成立的半導(dǎo)體事業(yè)部，總部位于荷蘭埃因霍溫。恩智浦2010年在美國納斯達(dá)克上市。恩智浦2010年在美國納斯達(dá)克上市。恩智浦半導(dǎo)體致力于打造全球化解決方案，實現(xiàn)智慧生活，安全連結(jié)。收起

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