RF功率LDMOS晶體管、高耐用性N型增強(qiáng)模式側(cè)向MOSFET,這些高耐用性器件設(shè)計用于高VSWR的工業(yè)、醫(yī)療、廣播、航空航天和移動無線電應(yīng)用。其無與倫比的輸入和輸出設(shè)計使其能夠在1.8至600 MHz的寬頻率范圍內(nèi)使用。
特點
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MRFE6VP6600N 1.8-600 MHz RF功率數(shù)據(jù)手冊
RF功率LDMOS晶體管、高耐用性N型增強(qiáng)模式側(cè)向MOSFET,這些高耐用性器件設(shè)計用于高VSWR的工業(yè)、醫(yī)療、廣播、航空航天和移動無線電應(yīng)用。其無與倫比的輸入和輸出設(shè)計使其能夠在1.8至600 MHz的寬頻率范圍內(nèi)使用。
特點
器件型號 | 數(shù)量 | 器件廠商 | 器件描述 | 數(shù)據(jù)手冊 | ECAD模型 | 風(fēng)險等級 | 參考價格 | 更多信息 |
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MMBT3904 | 1 | Secos Corporation | Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3 |
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$0.04 | 查看 | |
TAJA106K010RNJ | 1 | Kyocera AVX Components | Tantalum Capacitor, Polarized, Tantalum (dry/solid), 10V, 10% +Tol, 10% -Tol, 10uF, Surface Mount, 1206, CHIP |
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$0.34 | 查看 | |
IHLP2525CZER4R7M01 | 1 | Vishay Intertechnologies | General Fixed Inductor, 1 ELEMENT, 4.7 uH, COMPOSITE-CORE, GENERAL PURPOSE INDUCTOR, SMD, CHIP, 2525, GREEN |
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$1.18 | 查看 |
恩智浦半導(dǎo)體創(chuàng)立于2006年,其前身為荷蘭飛利浦公司于1953年成立的半導(dǎo)體事業(yè)部,總部位于荷蘭埃因霍溫。恩智浦2010年在美國納斯達(dá)克上市。恩智浦2010年在美國納斯達(dá)克上市。恩智浦半導(dǎo)體致力于打造全球化解決方案,實現(xiàn)智慧生活,安全連結(jié)。
恩智浦半導(dǎo)體創(chuàng)立于2006年,其前身為荷蘭飛利浦公司于1953年成立的半導(dǎo)體事業(yè)部,總部位于荷蘭埃因霍溫。恩智浦2010年在美國納斯達(dá)克上市。恩智浦2010年在美國納斯達(dá)克上市。恩智浦半導(dǎo)體致力于打造全球化解決方案,實現(xiàn)智慧生活,安全連結(jié)。收起
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