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AFT09MP055NR1, AFT09MP055GNR1寬帶RF功率LDMOS晶體管 - 數(shù)據(jù)表

2023/04/25
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AFT09MP055NR1, AFT09MP055GNR1寬帶RF功率LDMOS晶體管 - 數(shù)據(jù)表

RF功率LDMOS晶體管、高耐用性N-通道、增強(qiáng)型橫向MOSFET,這些晶體管專為頻率從764到941 MHz的移動(dòng)對(duì)講機(jī)應(yīng)用而設(shè)計(jì)。這些器件具有高增益、耐用性和寬帶性能,使它們非常適合于移動(dòng)無線電設(shè)備中大信號(hào)、共源放大器應(yīng)用。

RF功率LDMOS晶體管是一種高性能功率放大器元件,適用于廣泛的通信系統(tǒng)。在移動(dòng)對(duì)講機(jī)等設(shè)備中,這些晶體管的高增益和耐用性特點(diǎn)可以支持穩(wěn)定而清晰的信號(hào)傳輸,同時(shí)其寬帶性能也使其適用于處理多種不同頻率的信號(hào)。

這些RF功率LDMOS晶體管采用了增強(qiáng)型橫向MOSFET結(jié)構(gòu),提供了更好的性能和可靠性。它們被廣泛應(yīng)用于移動(dòng)通信領(lǐng)域,如移動(dòng)對(duì)講機(jī)、基站和其他無線設(shè)備中的功率放大器設(shè)計(jì)。

總之,這些RF功率LDMOS晶體管是專為移動(dòng)通信領(lǐng)域而設(shè)計(jì)的高性能器件,具有高耐用性、寬帶性能和高增益,適用于移動(dòng)對(duì)講機(jī)等設(shè)備中的大信號(hào)放大器應(yīng)用。

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LQP15MN4N7B02D 1 Murata Manufacturing Co Ltd General Purpose Inductor, 0.0047uH, 2.128%, 1 Element, SMD, 0402, CHIP, 0402

ECAD模型

下載ECAD模型
$0.21 查看
10RC-10F 1 Thomas & Betts Fork Terminal, ROHS COMPLIANT
$52.26 查看
5016462200 1 Molex CONN RECEPT 22POS 2MM
$1.25 查看
恩智浦

恩智浦

恩智浦半導(dǎo)體創(chuàng)立于2006年,其前身為荷蘭飛利浦公司于1953年成立的半導(dǎo)體事業(yè)部,總部位于荷蘭埃因霍溫。恩智浦2010年在美國(guó)納斯達(dá)克上市。恩智浦2010年在美國(guó)納斯達(dá)克上市。恩智浦半導(dǎo)體致力于打造全球化解決方案,實(shí)現(xiàn)智慧生活,安全連結(jié)。

恩智浦半導(dǎo)體創(chuàng)立于2006年,其前身為荷蘭飛利浦公司于1953年成立的半導(dǎo)體事業(yè)部,總部位于荷蘭埃因霍溫。恩智浦2010年在美國(guó)納斯達(dá)克上市。恩智浦2010年在美國(guó)納斯達(dá)克上市。恩智浦半導(dǎo)體致力于打造全球化解決方案,實(shí)現(xiàn)智慧生活,安全連結(jié)。收起

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