RF功率LDMOS晶體管、高耐用性N型增強(qiáng)模式側(cè)向MOSFET,設(shè)計(jì)用于頻率在136至520 MHz之間的移動(dòng)對(duì)講無(wú)線電應(yīng)用。這些器件具有高增益、耐用性和寬帶性能,使其成為移動(dòng)無(wú)線電設(shè)備中大信號(hào)共源放大器應(yīng)用的理想選擇。
特點(diǎn)
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AFT05MP075NR1,AFT05MP075GNR1 寬帶RF功率LDMOS晶體管 - 數(shù)據(jù)表
RF功率LDMOS晶體管、高耐用性N型增強(qiáng)模式側(cè)向MOSFET,設(shè)計(jì)用于頻率在136至520 MHz之間的移動(dòng)對(duì)講無(wú)線電應(yīng)用。這些器件具有高增益、耐用性和寬帶性能,使其成為移動(dòng)無(wú)線電設(shè)備中大信號(hào)共源放大器應(yīng)用的理想選擇。
特點(diǎn)
器件型號(hào) | 數(shù)量 | 器件廠商 | 器件描述 | 數(shù)據(jù)手冊(cè) | ECAD模型 | 風(fēng)險(xiǎn)等級(jí) | 參考價(jià)格 | 更多信息 |
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RE120033 | 1 | Okaya Electric America Inc | RC Network, |
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$1.69 | 查看 | |
MCC95-16IO1B | 1 | Littelfuse Inc | Silicon Controlled Rectifier, 180A I(T)RMS, 116000mA I(T), 1600V V(DRM), 1600V V(RRM), 2 Element, TO-240AA, TO-240AA, 7 PIN |
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$40.7 | 查看 | |
320565 | 1 | TE Connectivity | (320565) TERMINAL,PIDG R 16-14 8 |
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$0.21 | 查看 |
恩智浦半導(dǎo)體創(chuàng)立于2006年,其前身為荷蘭飛利浦公司于1953年成立的半導(dǎo)體事業(yè)部,總部位于荷蘭埃因霍溫。恩智浦2010年在美國(guó)納斯達(dá)克上市。恩智浦2010年在美國(guó)納斯達(dá)克上市。恩智浦半導(dǎo)體致力于打造全球化解決方案,實(shí)現(xiàn)智慧生活,安全連結(jié)。
恩智浦半導(dǎo)體創(chuàng)立于2006年,其前身為荷蘭飛利浦公司于1953年成立的半導(dǎo)體事業(yè)部,總部位于荷蘭埃因霍溫。恩智浦2010年在美國(guó)納斯達(dá)克上市。恩智浦2010年在美國(guó)納斯達(dá)克上市。恩智浦半導(dǎo)體致力于打造全球化解決方案,實(shí)現(xiàn)智慧生活,安全連結(jié)。收起
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