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AFT09MS031NR1 寬帶射頻功率LDMOS晶體管-數(shù)據(jù)手冊

2023/04/25
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AFT09MS031NR1 寬帶射頻功率LDMOS晶體管-數(shù)據(jù)手冊

AFT09MS031N和AFT09MS031GN是專為頻率從764到941 MHz的移動雙向無線電應用設計的。這些器件具有高增益、耐用性和寬帶性能,非常適合在移動無線電設備中作為大信號、共源放大器應用的理想選擇。

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器件型號 數(shù)量 器件廠商 器件描述 數(shù)據(jù)手冊 ECAD模型 風險等級 參考價格 更多信息
1N4148WS-E3-18 1 Vishay Intertechnologies Rectifier Diode, 1 Element, 0.15A, 100V V(RRM), Silicon, ROHS COMPLIANT PACKAGE-2

ECAD模型

下載ECAD模型
$0.17 查看
0510210400 1 Molex Board Connector, 4 Contact(s), 1 Row(s), Female, Straight, Crimp Terminal, Receptacle, ROHS AND REACH COMPLIANT
暫無數(shù)據(jù) 查看
SI2325DS-T1-GE3 1 Vishay Intertechnologies P-CHANNEL 150-V (D-S) MOSFET

ECAD模型

下載ECAD模型
$0.81 查看
恩智浦

恩智浦

恩智浦半導體創(chuàng)立于2006年,其前身為荷蘭飛利浦公司于1953年成立的半導體事業(yè)部,總部位于荷蘭埃因霍溫。恩智浦2010年在美國納斯達克上市。恩智浦2010年在美國納斯達克上市。恩智浦半導體致力于打造全球化解決方案,實現(xiàn)智慧生活,安全連結。

恩智浦半導體創(chuàng)立于2006年,其前身為荷蘭飛利浦公司于1953年成立的半導體事業(yè)部,總部位于荷蘭埃因霍溫。恩智浦2010年在美國納斯達克上市。恩智浦2010年在美國納斯達克上市。恩智浦半導體致力于打造全球化解決方案,實現(xiàn)智慧生活,安全連結。收起

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