射頻功率LDMOS晶體管 高韌性N溝道增強(qiáng)型橫向MOSFET?這些高韌性器件設(shè)計用于高駐波比的工業(yè)、醫(yī)療、廣播、航空航天和移動無線電應(yīng)用。其無與倫比的輸入和輸出設(shè)計允許從1.8到600 MHz的廣泛頻率范圍使用。
特點
加入星計劃,您可以享受以下權(quán)益:
MRFE6VP61K25N,MRFE6VP61K25GN 寬帶射頻功率LDMOS晶體管數(shù)據(jù)手冊
射頻功率LDMOS晶體管 高韌性N溝道增強(qiáng)型橫向MOSFET?這些高韌性器件設(shè)計用于高駐波比的工業(yè)、醫(yī)療、廣播、航空航天和移動無線電應(yīng)用。其無與倫比的輸入和輸出設(shè)計允許從1.8到600 MHz的廣泛頻率范圍使用。
特點
器件型號 | 數(shù)量 | 器件廠商 | 器件描述 | 數(shù)據(jù)手冊 | ECAD模型 | 風(fēng)險等級 | 參考價格 | 更多信息 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
CRCW080510K0FKEAHP | 1 | Vishay Intertechnologies | Fixed Resistor, Metal Glaze/thick Film, 0.5W, 10000ohm, 150V, 1% +/-Tol, 100ppm/Cel, Surface Mount, 0805, CHIP, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT |
|
|
$0.2 | 查看 | |
LQP15MN3N0B02D | 1 | Murata Manufacturing Co Ltd | General Purpose Inductor, 0.003uH, 3.334%, 1 Element, SMD, 0402, CHIP, 0402 |
|
|
$0.04 | 查看 | |
SS24-E3/52T | 1 | Vishay Intertechnologies | DIODE 2 A, 40 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-214AA, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMB, 2 PIN, Rectifier Diode |
|
|
$0.24 | 查看 |
恩智浦半導(dǎo)體創(chuàng)立于2006年,其前身為荷蘭飛利浦公司于1953年成立的半導(dǎo)體事業(yè)部,總部位于荷蘭埃因霍溫。恩智浦2010年在美國納斯達(dá)克上市。恩智浦2010年在美國納斯達(dá)克上市。恩智浦半導(dǎo)體致力于打造全球化解決方案,實現(xiàn)智慧生活,安全連結(jié)。
恩智浦半導(dǎo)體創(chuàng)立于2006年,其前身為荷蘭飛利浦公司于1953年成立的半導(dǎo)體事業(yè)部,總部位于荷蘭埃因霍溫。恩智浦2010年在美國納斯達(dá)克上市。恩智浦2010年在美國納斯達(dá)克上市。恩智浦半導(dǎo)體致力于打造全球化解決方案,實現(xiàn)智慧生活,安全連結(jié)。收起
查看更多方案定制
去合作