SiC MOSFET 并聯(lián)的關(guān)鍵技術(shù)
基于多個(gè)高功率應(yīng)用案例,我們可以觀察到功率模塊與分立MOSFET并存的明顯趨勢(shì),兩者在10kW至50kW功率范圍內(nèi)存在顯著重疊。雖然模塊更適合這個(gè)區(qū)間,但分立MOSFET卻能帶來(lái)獨(dú)特優(yōu)勢(shì):設(shè)計(jì)自由度更高和更豐富的產(chǎn)品組合。當(dāng)單個(gè) MOSFET 無(wú)法滿足功率需求時(shí),再并聯(lián)一顆MOSFET即可解決問(wèn)題。 然而,功率并非是選用并聯(lián)MOSFET的唯一原因。正如本文所提到的,并聯(lián)還可以降低開(kāi)關(guān)能耗,改善導(dǎo)熱