臺(tái)積電2025 技術(shù)論壇新聞發(fā)布會(huì)紀(jì)要

一、整體戰(zhàn)略定位：AI驅(qū)動(dòng)的半導(dǎo)體新時(shí)代

1.1 核心觀點(diǎn)：人工智慧（AI）正從云端擴(kuò)散到邊緣

AI 早期主要集中在資料中心（Data Center），如 GPT 模型訓(xùn)練。

臺(tái)積電指出：AI 將無處不在（邊緣 AI、終端設(shè)備、自動(dòng)駕駛、機(jī)器人等）。

推動(dòng)高性能運(yùn)算（HPC）、智慧手機(jī)、汽車電子、物聯(lián)網(wǎng)的晶圓需求快速成長。

1.2 市場預(yù)測（到2030年）：

全球半導(dǎo)體市場規(guī)模將達(dá)?1兆美元

其中：

HPC與AI：占比?45%

智慧手機(jī)：25%

汽車電子：15%

物聯(lián)網(wǎng)：10%

其他：5%

二、先進(jìn)制程技術(shù)藍(lán)圖

2.1?A14 節(jié)點(diǎn)（預(yù)計(jì)2028年量產(chǎn)）

技術(shù)特點(diǎn)：

第二代奈米片電晶體（Nanosheet Transistor）

間距微縮（更緊湊布局，提升PPA）

創(chuàng)新元件架構(gòu) +?納米柔性技術(shù)（提升效能與電源效率）

預(yù)計(jì)成果：

開發(fā)進(jìn)度優(yōu)于預(yù)期，良率已達(dá)標(biāo)

超級(jí)動(dòng)力軌道版本（2029）：進(jìn)一步強(qiáng)化供電能力

2.2?A16 節(jié)點(diǎn)（預(yù)計(jì)2026年量產(chǎn)）

技術(shù)特色：

使用超級(jí)供電軌（Super Power Rail, SPR）

背面供電（Backside Power Delivery）：降低IR壓降，增加密度

針對(duì)資料中心/HPC應(yīng)用進(jìn)行優(yōu)化

2.3?N2系列（2025年下半年開始量產(chǎn)）

N2：首個(gè)大規(guī)模采用奈米片結(jié)構(gòu)的量產(chǎn)節(jié)點(diǎn)

256Mb SRAM 平均良率超過90%

適合節(jié)能運(yùn)算與行動(dòng)裝置

N2P（2026下半年）：比N2更省電、效能更強(qiáng)

N2X（2027）：專為極致效能設(shè)計(jì)，頻率提升約10%

客戶采用情況：

HPC/AI 導(dǎo)入速度快，第二年 NTO 數(shù)是 N5 的?約4倍

2.4?N3系列：FinFET 技術(shù)的巔峰與終結(jié)

N3E：已量產(chǎn)，良率佳，用于旗艦手機(jī)、HPC、AI

N3P（2024 Q4量產(chǎn)）：N3E的繼任版本

N3X：專為高頻CPU

N3A：車用等級(jí)

N3C：入門級(jí)產(chǎn)品

N3 系列是最后一個(gè) FinFET 家族，生命周期長，適用廣泛

三、先進(jìn)封裝與系統(tǒng)整合技術(shù)（3DFabric?）

3.1 3D封裝家族（臺(tái)積電-SoIC?, CoWoS?, InFO?）

SoIC?：3D晶片堆疊技術(shù)，提升效能與帶寬

N3疊N4（6um間距）→ 2025量產(chǎn)

A14疊N2 → 2029量產(chǎn)

2022年已量產(chǎn)

未來：

CoWoS? / InFO?：適用于高帶寬記憶體（HBM）與邏輯晶片整合

SoW（System on Wafer）：

晶圓級(jí)系統(tǒng)整合方案（SoW-X技術(shù)預(yù)計(jì)2027）

用于AI高速傳輸與邏輯密集運(yùn)算（如H100、B200等AI芯片架構(gòu)）

四、電源供應(yīng)與系統(tǒng)能效

4.1 集成式電源解決方案（AI領(lǐng)域?qū)Ｓ茫?/h4>

AI 功耗快速上升，運(yùn)算單元進(jìn)入千瓦級(jí)（kW）

臺(tái)積電提出單晶片PMIC + 電感方案，電源密度為傳統(tǒng)PCB的5倍

CoWoS-L中的eDTC/DTC技術(shù)：幫助濾波，穩(wěn)定供電

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五、新興應(yīng)用支援：AR、機(jī)器人

AR/VR設(shè)備需“輕薄高效”，臺(tái)積電提供高密度系統(tǒng)集成平臺(tái)

人形機(jī)器人未來對(duì)高密度晶片的需求將非常強(qiáng)烈

臺(tái)積電布局高密度供電、高速運(yùn)算、整合AI加速器與記憶體

總結(jié)：臺(tái)積電技術(shù)演進(jìn)路線圖（2024-2030）

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