盤點臺積電全球晶圓廠產(chǎn)能和制程

臺積電的制程演進歷史，從3um到現(xiàn)在的3nm。

目前臺積電3nm（N3）已經(jīng)量產(chǎn)，這里3nm都是等效節(jié)點，非實際的物理節(jié)點。2nm（N2）計劃在2025年量產(chǎn)。而下下代則是A16節(jié)點。也就是1.6nm

基于此，我們詳細介紹一下，臺積的各個FAB廠制程和產(chǎn)能。

一，12英寸晶圓廠

中國臺灣地區(qū)：

Fab 12（新竹）：量產(chǎn)20-7nm工藝，規(guī)劃產(chǎn)能可擴容。

Fab 12是臺積電新竹科技園的重要生產(chǎn)基地，專注于20nm至7nm工藝的量產(chǎn)，覆蓋智能手機、高性能計算（HPC）等高端芯片需求。早期以16/20nm為主力（如蘋果A9處理器）后逐步升級至7nm（如蘋果A12、AMD Zen 2架構(gòu)CPU）

Fab 14（臺南）：擴建為特殊制程生產(chǎn)基地，支持28nm及以上成熟工藝。

Fab 14是臺積電成熟制程的核心基地，專注于28nm及以上工藝，并強化特殊制程（如射頻、高壓、嵌入式存儲器等），服務(wù)于汽車電子、物聯(lián)網(wǎng)（IoT）和工業(yè)控制領(lǐng)域，

特殊制程包括：28nm高壓工藝（車用電源管理芯片）；40nm RF-SOI

（5G射頻前端模組）；55nm嵌入式閃存（智能卡、傳感器）。

Fab 15（臺中）：2012年投產(chǎn)，當前月產(chǎn)能約16.6萬片，主攻20/16nm工藝。

Fab 18（臺南）：臺積電最先進生產(chǎn)基地，包含P1-P8共8座廠區(qū)：

P1-P3已量產(chǎn)4nm；

P4-P6為3nm（2024年量產(chǎn)）；

當前P1-P6共6個晶圓廠，月產(chǎn)能約12萬片（4nm/3nm）。

P7-P8為規(guī)劃中3nm擴產(chǎn)；

Fab 20（新竹寶山）：2nm研發(fā)及量產(chǎn)基地，2025年試產(chǎn)線月產(chǎn)能達3000-3500片，2026年底目標12萬片/月。

南京浦口（中國大陸）：

Fab 16：2018年投產(chǎn)，月產(chǎn)能2.4萬片，主攻16/12nm工藝。

? ? 第一階段擴產(chǎn)（1A項目）：制程技術(shù)：16nm+12nm工藝組合，主要用于生產(chǎn)中央處理器、圖像處理器、高端系統(tǒng)單芯片等。

2022年10月完成擴建后，產(chǎn)能從原30萬片/年提升至37.8萬片/年；

? ? ?第二階段擴產(chǎn)（1B項目）：制程技術(shù)：28nm工藝，主要面向成熟制程需求，包括物聯(lián)網(wǎng)、汽車電子和工業(yè)芯片等。

2024年10月完成驗收后，新增60萬片/年產(chǎn)能；

鳳凰城（美國亞利桑那州）：

Fab 21（鳳凰城）：2024年底量產(chǎn)4nm芯片（N4/N4P），當前月產(chǎn)能1萬片，計劃2028年擴展至3nm，2030年推進2nm。

第一階段（P1A+P1B）總產(chǎn)能目標2.4萬片/月。

日本熊本：

JASM Fab 1：2024年底量產(chǎn)22/28nm和12/16nm，規(guī)劃月產(chǎn)能5.5萬片；

Fab 2（6/7nm）計劃2027年投產(chǎn)，合計產(chǎn)能超10萬片/月。

二，8英寸晶圓廠（成熟制程與特殊工藝）

1：中國臺灣地區(qū)：

Fab 3（新竹）：工藝節(jié)點：0.15μm及以上成熟制程

8英寸晶圓廠，主要用于生產(chǎn)模擬芯片、電源管理芯片等特殊工藝產(chǎn)品。

Fab 5（新竹）：0.25-0.15μm成熟制程

8英寸晶圓廠，專注于汽車電子、物聯(lián)網(wǎng)（IoT）等中低端芯片制造。

Fab 6（臺南）：0.18μm及以上成熟制程

8英寸晶圓廠，支持混合信號、射頻（RF）等特殊工藝需求。

Fab 8（新竹）：工藝節(jié)點**：0.18μm及以上成熟制程

8英寸晶圓廠，服務(wù)于消費電子和工業(yè)控制領(lǐng)域。

2：中國大陸：

Fab 10（上海）：工藝節(jié)點：0.35μm至0.11μm成熟制程

8英寸晶圓廠，主要生產(chǎn)模擬芯片、傳感器等，支持汽車電子和消費電子市

3：新加坡：

SSMC（新加坡合資廠）等，合計月產(chǎn)能超50萬片。

4：美國：

Fab 11（WaferTech）：1998年投產(chǎn)，生產(chǎn)0.25-0.15μm工藝，產(chǎn)能未公開。

6英寸晶圓廠

Fab 2（新竹）：生產(chǎn)0.15μm以上工藝，產(chǎn)能未公開。

三，未來產(chǎn)能規(guī)劃與擴建項目

中國臺灣：

? 2nm（N2）：

? 臺灣：新竹Fab 20與高雄Fab 22同步推進，2025年底合計月產(chǎn)能達5萬片，2026年底擴至12-13萬片/月。

? 1nm（A14）：

? 臺南沙侖Fab 25：規(guī)劃建設(shè)6條12英寸產(chǎn)線，預(yù)計2028年后試產(chǎn)，目標成為全球首個1nm量產(chǎn)基地。

美國亞利桑那鳳凰城：

計劃追加投資1000億美元，新建3座晶圓廠（含2nm）、2座先進封裝廠及研發(fā)中心，總投資達1650億美元。

日本：Fab 3（1nm以下）預(yù)計2030年后啟動。

德國：與博世等合作建設(shè)車用芯片廠，規(guī)劃中。

四，產(chǎn)能利用率與市場需求

臺積電2024年產(chǎn)能利用率超95%。

2025-2026年產(chǎn)能已被預(yù)訂。

AI/HPC：CoWoS先進封裝需求激增，2025年產(chǎn)能預(yù)計達80萬片/周。

消費電子：蘋果A18（3nm）、AMD CPU（4nm）等訂單持續(xù)。

汽車電子：日本工廠聚焦車用芯片，月產(chǎn)能5.5萬片。

目前臺積電的等效產(chǎn)能約為130萬片/月，每年1600萬片

綜上：

臺積電大部分產(chǎn)能（70%-80%）位于中國臺灣地區(qū)，目前已經(jīng)開始向美國，日本，歐洲方向的產(chǎn)能布局。