遍地開花，全球多座晶圓廠刷新進度條！

5月23日，臺積電晶圓18B廠資深廠長黃遠國在2024技術論壇上表示，由于3納米的產能擴充仍無法滿足市場需求，臺積電計劃今年在全球范圍內建設7座工廠。

據悉，臺積電3納米先進制程于2023年開始量產，其良率和同時期的N4制程一樣，且現階段產能也繼續(xù)擴產中，但這依然無法滿足客戶需求。

市場需求強勁?臺積電7座工廠在路上

黃遠國表示，因應高效能運算（HPC）及智能手機強勁需求，臺積電今年持續(xù)積極擴產，將興建7座工廠，預計今年3納米制程產能較2023年相比將增加3倍。

作為全球最大的晶圓代工廠商，臺積電似乎從不吝嗇在建廠擴廠方面的投資。2017年-2019年，其建廠頻率為每年2座。而近年來，臺積電持續(xù)進行全球布局，建廠動作也愈發(fā)頻繁，2020年-2023年，臺積電建廠數量分別為6座、7座、3座、4座。

而據黃遠國介紹，臺積電計劃在今年興建7座工廠，包括5座晶圓廠及2座先進封裝廠。

晶圓廠方面，位于中國臺灣新竹（Fab20）和高雄(Fab22）的2座2納米工廠將在明年陸續(xù)量產；美國亞利桑那州預計興建3座工廠，第1座工廠預計明年量產、第2座2028年量產、而第三座晶圓廠也已在規(guī)劃中，計劃使用2納米或更先進的工藝生產芯片，預計2028年開始生產；另外，臺積電還在日本熊本建設兩座晶圓廠，其中一廠將在今年年底量產，二廠預計2027年量產。

至于兩座先進封裝廠，則分別位于中國臺灣的臺中（AP5）和嘉義（AP7），前者預計明年提供CoWoS封裝，后者則在2026年量產CoWoS及SoIC。

值得一提的是，除臺積電外，目前，包括力積電、英特爾、三星、聯電、格芯、瑞薩電子、Rapidus、東芝等在內的國際大廠亦各自宣布了投資擴產計劃。而近日，聯電位于新加坡的擴產建設以及東芝位于日本石川縣的功率半導體廠建設也迎來了新的進展。

新加坡擴建計劃刷新進度，聯電12英寸廠首批幾臺設備到廠

5月21日，晶圓代工大廠聯電宣布，新加坡Fab 12i舉行第三期擴建新廠上機典禮，首批機臺設備到廠。

聯電在新加坡投入12英寸晶圓廠的運營已超過20年。2022年2月，聯電宣布將在新加坡Fab12i廠區(qū)擴建一座新先進晶圓廠的計劃。新廠第一期月產能規(guī)劃30,000片晶圓。

聯電當時指出，新加坡Fab12i P3將是新加坡最先進半導體晶圓代工廠之一，總投資金額為50億美元，提供22/28nm制程。根據最初規(guī)劃，該廠預計2024年底開始量產。不過，聯電最新預計，該廠配合客戶訂單調整，量產時間將延后半年至2026年初。

據聯電此前介紹，其新廠所擴增的產能已簽訂了長期的供貨合約，以確保2024年后對客戶產能的供應。

瞄準功率半導體?東芝12英寸晶圓廠竣工

5月23日，東芝電子元件及存儲裝置株式會社發(fā)布公告稱，其新的300mm晶圓功率半導體制造工廠竣工。

該工廠建設的完成是東芝多年投資計劃第一階段的一個重要里程碑。目前東芝將進行設備安裝，爭取在2024財年下半年開始量產。一旦一期工程全面投產，東芝功率半導體（主要是MOSFET和IGBT）的產能將是2021財年制定投資計劃時的2.5倍。

東芝表示，人工智能（AI）的使用將提高產品質量和生產效率。預計將從日本經濟產業(yè)省獲得一筆資金，用于補貼其對部分生產設備的投資。

2022年初，東芝宣布將在日本石川縣的主要分立器件生產基地（加賀東芝電子公司）打造一座新的12英寸晶圓制造設施，以擴大功率半導體產能，總投資1000億日元，預計2025年3月投產。

東芝稱，該12英寸晶圓廠（100%使用再生能源）建造將分兩個階段進行，以便根據市場趨勢優(yōu)化投資步伐，第一階段生產計劃將于2024會計年度內啟動。一旦第一階段產能滿載，旗下功率半導體產能將達到2021年度的2.5倍。

當前，消費電子市場逐漸回溫，加上5G、物聯網和車用電子等發(fā)展迅速，尤其是在AI人工智能浪潮趨勢下，市場需求同步擴大，引發(fā)了半導體領域新一波的投資熱潮。據全球半導體觀察不完全統計，僅中國大陸而言，目前建成運營的晶圓廠便超40座，而未來還將新增逾30座。