芯耀
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隨著全球人工智能（AI）與高性能計(jì)算（HPC）需求的爆發(fā)式增長(zhǎng)，高帶寬內(nèi)存HBM已成為支撐下一代算力基礎(chǔ)設(shè)施的關(guān)鍵技術(shù)。HBM通過(guò)3D封裝堆疊多層DRAM，并利用硅通孔（TSV）實(shí)現(xiàn)高速互聯(lián)，對(duì)芯片制造與封裝設(shè)備提出了更高要求。在此背景下，全球半導(dǎo)體設(shè)備大廠正積極布局，其中韓美半導(dǎo)體、中微公司、盛美上海近期動(dòng)作頻頻，顯示出在HBM及先進(jìn)封裝領(lǐng)域的強(qiáng)勁發(fā)力。
01、韓美半導(dǎo)體組建HBM4設(shè)備研發(fā)團(tuán)隊(duì)
近期，韓美半導(dǎo)體（Hanmi Semiconductor）正式對(duì)外宣布，公司已成立專(zhuān)門(mén)團(tuán)隊(duì)，全力投入HBM4相關(guān)設(shè)備的研發(fā)。
其于5月14日宣布推出專(zhuān)為HBM4生產(chǎn)設(shè)計(jì)的“TC Bonder 4”。該公司董事長(zhǎng)郭東信指出，隨著HBM4標(biāo)準(zhǔn)高度的放寬，新款TC Bonder 4憑借其顯著提升的生產(chǎn)效率和精度，將支持全球客戶在今年下半年量產(chǎn)HBM4。HBM4作為第六代高帶寬內(nèi)存，相較于HBM3E速度提升60%且功耗降低30%，并支持多達(dá)16層堆疊和2048個(gè)TSV接口，極大地提升了數(shù)據(jù)傳輸能力。
公開(kāi)資料顯示，韓美半導(dǎo)體，這家成立于1980年的韓國(guó)知名半導(dǎo)體設(shè)備制造商，長(zhǎng)期以來(lái)專(zhuān)注于半導(dǎo)體后道工藝（封裝）設(shè)備的研發(fā)與生產(chǎn)。其核心產(chǎn)品涵蓋了熱壓鍵合（TC Bonder）、晶圓級(jí)封裝設(shè)備、引線鍵合機(jī)等，尤其在先進(jìn)封裝領(lǐng)域，韓美半導(dǎo)體以其在垂直堆疊和精密連接方面的技術(shù)實(shí)力而聞名，已成為全球重要的供應(yīng)商之一，服務(wù)于各大存儲(chǔ)器廠商和晶圓代工廠。
02、中微公司全面布局HBM及先進(jìn)封裝
6月9日，中微公司在投資者互動(dòng)平臺(tái)上披露，已在高帶寬內(nèi)存HBM及先進(jìn)封裝領(lǐng)域進(jìn)行了全面布局。
中微公司董秘表示，公司在先進(jìn)封裝，特別是HBM工藝相關(guān)的制程設(shè)備方面，產(chǎn)品線已涵蓋了刻蝕、CVD（化學(xué)氣相沉積）、PVD（物理氣相沉積）以及晶圓量測(cè)檢測(cè)設(shè)備。值得關(guān)注的是，中微公司已正式發(fā)布了其CCP刻蝕系統(tǒng)以及核心的TSV（硅通孔）深硅通孔設(shè)備。這意味著中微正積極推動(dòng)其產(chǎn)品在高性能AI芯片封裝等新興應(yīng)用場(chǎng)景中的應(yīng)用和落地。
面對(duì)投資者關(guān)于是否專(zhuān)門(mén)研發(fā)HBM相關(guān)設(shè)備的疑問(wèn)，中微公司強(qiáng)調(diào)其在先進(jìn)封裝領(lǐng)域的設(shè)備覆蓋廣泛，能夠滿足HBM制程所需的核心設(shè)備類(lèi)型。尤其在TSV深孔蝕刻技術(shù)上，中微通過(guò)自主研發(fā)實(shí)現(xiàn)了技術(shù)突破，已具備支撐量產(chǎn)需求的能力，有望在HBM產(chǎn)業(yè)鏈中發(fā)揮關(guān)鍵作用。
03、盛美上海44.82億元定增審核通過(guò)
6月6日，盛美上海披露其不超過(guò)人民幣44.82億元的定向增發(fā)（定增）申請(qǐng)已獲得上海證券交易所的審核通過(guò)。
根據(jù)盛美上海此前披露的定增預(yù)案，本次募集資金凈額將主要投向三大核心項(xiàng)目：研發(fā)和工藝測(cè)試平臺(tái)建設(shè)項(xiàng)目（擬投入約9.22億元）、高端半導(dǎo)體設(shè)備迭代研發(fā)項(xiàng)目（擬投入約22.55億元），以及補(bǔ)充流動(dòng)資金（擬使用約13.04億元）。
此次盛美上海定增指向高端半導(dǎo)體設(shè)備的研發(fā)投入與技術(shù)升級(jí)，這與當(dāng)前半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)迭代加速、國(guó)產(chǎn)替代進(jìn)程提速的大背景高度契合。雖然定增預(yù)案未具體指明資金投向HBM領(lǐng)域，但盛美上海在濕法清洗和電鍍?cè)O(shè)備等先進(jìn)工藝環(huán)節(jié)的深厚積累，使其在HBM等先進(jìn)封裝技術(shù)的特定制程中具備優(yōu)勢(shì)，并且該公司近期披露多個(gè)新技術(shù)均指向與HBM和先進(jìn)封裝技術(shù)緊密相關(guān)的濕法清洗技術(shù)和電鍍銅（ECP）技術(shù)。
在HBM的多層DRAM堆疊中，關(guān)鍵的硅通孔（TSV）技術(shù)涉及到深孔蝕刻后的高深寬比孔洞清洗，以去除殘余物和顆粒，確保后續(xù)填充的可靠性。同時(shí)，TSV的填充以及用于互聯(lián)的微凸點(diǎn)（Micro-bump）和重布線層（RDL）的形成，均高度依賴(lài)于精密、均勻的電鍍技術(shù)。
盛美上海作為全球領(lǐng)先的濕法清洗設(shè)備供應(yīng)商，其獨(dú)有的兆聲波清洗技術(shù)和多功能集成平臺(tái)，能夠高效清除晶圓表面的微小顆粒和化學(xué)殘留，確保超凈表面，這對(duì)于HBM堆疊的良率至關(guān)重要。公司正持續(xù)迭代其Ultra C系列清洗設(shè)備，例如，針對(duì)3D結(jié)構(gòu)和先進(jìn)節(jié)點(diǎn)關(guān)鍵清洗的優(yōu)化，以及其Ultra C v系列單片垂直清洗設(shè)備，旨在滿足HBM等先進(jìn)封裝對(duì)極高潔凈度和良率的需求。
此外，盛美上海的電鍍銅（ECP）技術(shù)在填充高深寬比的TSV以及制作先進(jìn)封裝中的RDL和微凸點(diǎn)方面具有顯著優(yōu)勢(shì)，該公司正不斷推出更先進(jìn)的電鍍?cè)O(shè)備，例如其Ultra ECP GIII平臺(tái)，便是為高性能計(jì)算（HPC）和先進(jìn)封裝應(yīng)用而設(shè)計(jì)，提供對(duì)更精細(xì)間距微凸點(diǎn)和TSV的卓越填充能力，這正是HBM技術(shù)發(fā)展所亟需的關(guān)鍵能力。
