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2024年全球31家專屬晶圓代工整體營(yíng)收為9154億元，相較2023年上漲23%。
2024年前十大專屬晶圓代工整體營(yíng)收為8766億元，較2023年增長(zhǎng)了24%，整體市占率增加了0.73個(gè)百分點(diǎn)。
2024年前十大專屬晶圓代工公司與2023年相比有較大變化。第一是中芯國(guó)際（SMIC）力壓聯(lián)電（UMC）和格芯(GlobalFoundries)，排名第二；第二是芯聯(lián)集成(UNT)擠身前十，成為中國(guó)大陸第4家進(jìn)入前十的專屬晶圓代工公司。
根據(jù)總部所在地劃分，前十大專屬晶圓代工公司中，中國(guó)大陸有四家（中芯國(guó)際SMIC、華虹集團(tuán)HuaHong、晶合集成Nexchip、芯聯(lián)集成UNT），分別是第二、第五、第九和第十位，2024年整體市占率為10.87%，較2023年減少0.35個(gè)百分點(diǎn)；中國(guó)臺(tái)灣有四家（臺(tái)積電TSMC、聯(lián)電UMC、力積電Powerchip、世界先進(jìn)VIS），整體市占率為78.52%，較2023年增加3.11個(gè)百分點(diǎn)；美國(guó)一家（格芯GlobalFoundries），市占率為5.24%，較2023年減少1.81個(gè)百分點(diǎn)；以色列一家（高塔Tower），市占率為1.13%，較2023年減少0.23個(gè)百分點(diǎn)。
2024年前十大專屬晶圓代工公司中，增幅排名前三的都超過(guò)20%，增幅最高的是臺(tái)積電（TSMC），年增幅32%；其次是晶合集成（Nexchip），年增幅達(dá)28%；增幅排名第三的是中芯國(guó)際（SMIC），達(dá)27%。2024年?duì)I收唯一出現(xiàn)下滑的是格芯（GlobalFoundries），下滑超過(guò)8%。
在IDM廠商代工方面，三星代工2024年?duì)I收約1462億元，英特爾1261億元，都較2023年下滑7%。
臺(tái)積電
2023年臺(tái)積電的3納米正式貢獻(xiàn)營(yíng)收，到2024年第四季營(yíng)收占比達(dá)26%，全年?duì)I收占比18%。
臺(tái)積電在IEDM 2024大會(huì)上首次披露了2nm（N2）工藝的關(guān)鍵技術(shù)細(xì)節(jié)和性能指標(biāo)：對(duì)比3nm，晶體管密度增加15％，同等功耗下性能提升15％，同等性能下功耗降低24-35％，同時(shí)通過(guò)NanoFlex技術(shù)優(yōu)化芯片設(shè)計(jì)靈活性，計(jì)劃于2025年下半年啟動(dòng)量產(chǎn)；規(guī)劃顯示，新竹Fab20工廠將于2025年第四季度開始生產(chǎn)2納米晶圓，月產(chǎn)能預(yù)計(jì)為3萬(wàn)片；高雄Fab22工廠計(jì)劃于2026年第一季度投產(chǎn)，初期月產(chǎn)能同為3萬(wàn)片。蘋果、英偉達(dá)、高通等主要客戶參與早期驗(yàn)證。
臺(tái)積電位于美國(guó)亞利桑那州晶圓廠已于2024年底開始量產(chǎn)，并在2025年3月宣布有意增加1,000億美元投資于美國(guó)先進(jìn)半導(dǎo)體制造。此前，臺(tái)積電正在進(jìn)行650億美元于亞利桑那州鳳凰城的先進(jìn)半導(dǎo)體制造的投資項(xiàng)目，以此為基礎(chǔ)，臺(tái)積電在美國(guó)的總投資金額預(yù)計(jì)將達(dá)到1,650億美元。這項(xiàng)擴(kuò)大投資包含興建三座新晶圓廠、兩座先進(jìn)封裝設(shè)施，以及一個(gè)主要研發(fā)團(tuán)隊(duì)中心，
芯聯(lián)集成
公司依托硅基功率器件、SiC MOSFET、BCD器件三大主線，發(fā)力車載、消費(fèi)、工控三大領(lǐng)域，公司預(yù)計(jì)2026年?duì)I收超過(guò)100億，并將實(shí)現(xiàn)盈利。
2024年，公司首次實(shí)現(xiàn)年度毛利率轉(zhuǎn)正，約為1.1%。
2024年公司12英寸晶圓工廠正式貢獻(xiàn)營(yíng)收，達(dá)到8億元。
SiC MOSFET正在由6英寸向8英寸生產(chǎn)轉(zhuǎn)移，將極大強(qiáng)化競(jìng)爭(zhēng)力。2024年碳化硅芯片+模組業(yè)務(wù)營(yíng)收超過(guò)10億元。
