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NAND閃存是一種比硬盤驅(qū)動器更好的存儲設(shè)備,在不超過4GB的低容量應(yīng)用中表現(xiàn)得尤為明顯。隨著人們持續(xù)追求功耗更低、重量更輕和性能更佳的產(chǎn)品,NAND被證明極具吸引力。NAND閃存是一種非易失性存儲技術(shù),即斷電后仍能保存數(shù)據(jù)。它的發(fā)展目標就是降低每比特存儲成本、提高存儲容量。

NAND閃存是一種比硬盤驅(qū)動器更好的存儲設(shè)備,在不超過4GB的低容量應(yīng)用中表現(xiàn)得尤為明顯。隨著人們持續(xù)追求功耗更低、重量更輕和性能更佳的產(chǎn)品,NAND被證明極具吸引力。NAND閃存是一種非易失性存儲技術(shù),即斷電后仍能保存數(shù)據(jù)。它的發(fā)展目標就是降低每比特存儲成本、提高存儲容量。收起

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  • 存儲芯片,正式漲價
    今日,存儲芯片正式開始漲價浪潮。自此,存儲市場長達多半年的低迷態(tài)勢,終于迎來轉(zhuǎn)折。存儲芯片的兩大主力產(chǎn)品?NAND?與?DRAM,在新一季度的市場表現(xiàn)也各不相同。
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  • ZLG嵌入式筆記(連載32) | 拯救NAND/eMMC:延長閃存壽命
    隨著電子設(shè)備的廣泛應(yīng)用,NAND閃存和eMMC作為主流存儲介質(zhì),其使用壽命受到廣泛關(guān)注。本文將探討其損壞的軟件原因,并提供延長使用壽命的實用方法。
  • 存儲市場復蘇,關(guān)鍵看AI
    存儲市場新一輪的逆風,始于2024年下半年。邁入 2025 年 3 月,市場已顯露出一些微妙變化。近日,全球知名存儲芯片廠商閃迪向客戶發(fā)出漲價函,宣布自 4 月 1 日起,旗下產(chǎn)品將全面漲價,整體漲幅超 10%,此次調(diào)價覆蓋所有渠道及消費類產(chǎn)品。閃迪還透露,將持續(xù)審查定價,后續(xù)季度或有額外漲幅。
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  • 《元器件動態(tài)周報》——AI需求打開高性能存儲空間
    核心觀點 2025年3月份存儲市場已經(jīng)從供過于求轉(zhuǎn)向部分企穩(wěn)回升,整體存儲器件需求上升,部分器件在四方維商品動態(tài)商情需求指數(shù)中環(huán)比上漲; 交付周期和庫存均呈現(xiàn)下降趨勢,市場逐步回暖; AI設(shè)備的需求帶動大容量存儲價格小幅上漲。 三大維度解讀存儲器件最新供需動態(tài) 市場需求分析 3月,四方維商品動態(tài)商情存儲需求指數(shù)環(huán)比上升19.44%,同比下降31.94%,至88.97。 供需局面逐漸改善,AI設(shè)備的
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    03/11 08:38
    《元器件動態(tài)周報》——AI需求打開高性能存儲空間
  • NAND閃存芯片,進入第十代!
    隨著人工智能、大模型、云計算等新興技術(shù)的飛速發(fā)展,市場對NAND閃存的存儲性能要求也在不斷提高,各大廠商都在積極推進NAND閃存的研發(fā),越來越多有關(guān)第十代NAND閃存技術(shù)的消息撲面而來,第十代NAND閃存的技術(shù)之爭正在拉開帷幕。
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  • 640億晶圓大廠,SK海力士下月接管
    SK海力士將于3月完成對英特爾NAND業(yè)務(wù)的收購,并加速業(yè)務(wù)多元化。英特爾NAND的核心產(chǎn)品是企業(yè)級固態(tài)硬盤(SSD),SK海力士將全權(quán)接管該部門。
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  • 昂科燒錄器支持XTX芯天下的SPI NAND閃存XT26G11DWS
    芯片燒錄領(lǐng)導者昂科技術(shù)近期揭曉了其燒錄軟件的最新升級,并發(fā)布了新增兼容芯片型號的列表。在此次升級中,芯天下(XTX)推出的SPI NAND閃存XT26G11DWS已被昂科的燒錄工具脫機編程器AP8000納入支持范圍。XT26G11DWS是一款具有先進寫保護機制的1G位(128M字節(jié))SPI(串行外設(shè)接口)NAND閃存。XT26G11DWS支持標準串行外設(shè)接口(SPI),并具有雙/四I/O選項。XT
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  • 跌跌不休,NAND進入新一輪減產(chǎn)期
    近日,美國存儲芯片大廠美光發(fā)布的最新財報顯示,其2025財年第一季度(截至2024年11月)總營收87.1億美元,同比上升84.3%,符合市場預期。但從細分業(yè)務(wù)來看,美光的DRAM和NAND業(yè)務(wù)在環(huán)比層面卻有明顯分化,其中DRAM業(yè)務(wù)環(huán)比增長20%,而NAND業(yè)務(wù)卻下滑了5%,主要原因是受到了手機、汽車及工業(yè)等市場需求持續(xù)走低的影響。美光預計2025財年第二季度NAND出貨量仍將環(huán)比下降,并且影響公司下一季度業(yè)績。美光執(zhí)行副總裁首席財務(wù)官Mark Murphy表示:“在NAND業(yè)務(wù)方面,我們正在采取迅速而果斷的行動來降低資本支出并削減晶圓產(chǎn)量?!?/div>
    跌跌不休,NAND進入新一輪減產(chǎn)期
  • 存儲大廠預警NAND增長不及預期,高端DRAM等被押注
    近日,存儲大廠美光、三星紛紛披露最新市況。美光方面披露將投資21.7億美元擴大其DRAM內(nèi)存生產(chǎn),近期其也公布了2025財年第一季度(2024年9月至2024年11月)的業(yè)績報告,該季營收較為亮眼,但美光對于下一季度的預測,體現(xiàn)了其對存儲市場的隱憂,美光表示NAND閃存市場正遭遇前所未有的挑戰(zhàn);另外三星電子方面也將調(diào)整DRAM未來研發(fā)策略。
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  • 明年存儲,令人憂心
    存儲價格,時漲時落。在2024年下半年,存儲行業(yè)再度步入下行周期,其價格后續(xù)的發(fā)展態(tài)勢引發(fā)了廣泛關(guān)注。至2025年,存儲價格究竟會走向何方?是延續(xù)下行趨勢,還是觸底反彈?
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  • Samsung、Hynix、Micron存儲器御三家財務(wù)數(shù)據(jù)統(tǒng)計及2025年預測
    之前,我已經(jīng)做了全球存儲器市場的統(tǒng)計和預測了。后來和行業(yè)人士核對了一下我的預測結(jié)論,大方向上彼此還是基本一致的:明年無論DRAM還是NAND的價格都會出現(xiàn)下跌,但出貨量的上漲會有一些對沖作用;明年HBM的市場大約會占DRAM市場的10%左右,對整體市場規(guī)模會有一些支撐
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  • 存儲大廠獲數(shù)百億補貼擴產(chǎn)尖端DRAM,最新市況如何?
    近日美光表示獲得美國61.65億美元(約為人民幣450億元)的直接資金資助,計劃用于加強尖端DRAM供應(yīng)能力。兩個月時間里,美國芯片法案補貼計劃已公布9家。另外近日存儲市場動態(tài)頻頻,三星、Marvell、鎧俠等相繼披露了最新進展。
    存儲大廠獲數(shù)百億補貼擴產(chǎn)尖端DRAM,最新市況如何?
  • 存儲廠商沒有笑出雙十一
    國內(nèi)市場DRAM現(xiàn)貨價格在整個11月份持續(xù)走低,尤其是DDR4受到的沖擊尤為嚴重。相比之下,NAND閃存價格顯示出穩(wěn)定跡象。業(yè)內(nèi)估計,雙十一期間 DRAM 模組整體銷量與 2023 年同期相比下降約 20%。單位銷量下降 16%,平均售價下降約 9%。在產(chǎn)品價格貢獻方面,2024年雙十一期間,SSD的銷售表現(xiàn)已超越DRAM模組。今年雙十一,長江存儲旗下的致態(tài)品牌表現(xiàn)亮眼,在京東實現(xiàn)了SSD品類交易總額(GMV)和銷量的雙料第一,超過了三星。
    存儲廠商沒有笑出雙十一
  • 全球半導體存儲器市場統(tǒng)計分析及預測(2024-Q3)
    今天講講半導體存儲器器件(DRAM、NAND)的市場數(shù)據(jù)。過去,我一直是直接把DramExchange公布的季度市場數(shù)據(jù)拿過來參考使用的。不過最近我扒了三星、海力士、美光的財報以后,發(fā)現(xiàn)這幾家財報上公布的數(shù)據(jù)和DramExchange的數(shù)據(jù)有些許差異,而且這些差異也并不僅僅是匯率換算的問題導致的
    2623
    2024/12/03
    全球半導體存儲器市場統(tǒng)計分析及預測(2024-Q3)
  • 越制裁,越強大!重要性比肩光刻機的刻蝕設(shè)備——北方華創(chuàng)
    美日荷相繼加大對華半導體設(shè)備出口限制,國產(chǎn)替代迫在眉睫。盡管中國是全球最大半導體消費市場,但本土化缺口明顯,2023 年芯片自產(chǎn)率僅 20%、半導體設(shè)備國產(chǎn)化率為 35%、高端刻蝕機等關(guān)鍵領(lǐng)域國產(chǎn)化率不足 10%。隨著國產(chǎn)晶圓廠的逆勢擴張、海外制裁趨緊,本土半導體設(shè)備廠商有望擴大份額,預計2025年國產(chǎn)化率將達50%。 前面文章我們分析了國產(chǎn)半導體設(shè)備龍頭之一的中微公司,今天我們繼續(xù)深入研究半導體
    1.3萬
    2024/11/26
    越制裁,越強大!重要性比肩光刻機的刻蝕設(shè)備——北方華創(chuàng)
  • 明年將進入400層NAND時代
    繼在高帶寬內(nèi)存(HBM)市場占據(jù)領(lǐng)先地位之后,SK 海力士還在 NAND 閃存領(lǐng)域?qū)θ请娮訕?gòu)成威脅。盡管它在市場份額方面仍然落后,但它在垂直堆疊單元的堆疊技術(shù)方面處于領(lǐng)先地位,這預示著 NAND 市場將發(fā)生翻天覆地的變化。
    2386
    2024/11/25
    明年將進入400層NAND時代
  • SK海力士開始量產(chǎn)321層NAND,明年上半年供貨
    SK海力士11月21日宣布,已開始量產(chǎn)全球最高321層1Tb(Terabit)TLC(Triple Level Cell)4D NAND閃存,預計明年上半年供貨。SK海力士表示,“2023年6月,我們公司已經(jīng)量產(chǎn)并向市場供應(yīng)了上一代最高水平的238層NAND產(chǎn)品,而這一次,我們是第一個推出超過300層的NAND,突破技術(shù)極限。我們將通過向客戶提供產(chǎn)品來響應(yīng)市場需求?!?/div>
    SK海力士開始量產(chǎn)321層NAND,明年上半年供貨
  • e絡(luò)盟攜手Flexxon,拓展先進工業(yè)級存儲解決方案的全球分銷網(wǎng)絡(luò)
    安富利旗下全球電子元器件產(chǎn)品與解決方案分銷商e絡(luò)盟近日宣布與全球領(lǐng)先的工業(yè)NAND閃存存儲和硬件安全解決方案供應(yīng)商 Flexxon 建立新的合作伙伴關(guān)系。e絡(luò)盟是一家為電子和工業(yè)系統(tǒng)設(shè)計、維護和維修提供相關(guān)產(chǎn)品和技術(shù)的分銷商,它響應(yīng)速度快且非??煽俊?通過此次合作,e絡(luò)盟將為客戶提供更廣泛的渠道,獲取 Flexxon 可靠的工業(yè)級存儲解決方案,同時維護數(shù)據(jù)的保密性、完整性和安全性。 Flexxon
    e絡(luò)盟攜手Flexxon,拓展先進工業(yè)級存儲解決方案的全球分銷網(wǎng)絡(luò)
  • 產(chǎn)業(yè)丨不同存儲類別,價格變了又變?
    從需求端來看,通貨膨脹壓力及AI個人電腦應(yīng)用場景的缺乏,共同阻礙了大規(guī)模升級周期的形成。在供應(yīng)端,主要制造商于第三季度恢復了滿負荷生產(chǎn),同時其他供應(yīng)商亦通過技術(shù)革新提升了產(chǎn)能,共同推動了整體供應(yīng)能力的提升,進而加劇了市場價格競爭。
    產(chǎn)業(yè)丨不同存儲類別,價格變了又變?
  • 存儲價格,變了又變
    過去幾個季度,存儲市場經(jīng)歷了過山車般的波動,尤其是在后疫情時代,用戶對消費電子興趣減弱,整體市場動態(tài)變化,需求降至歷史最低水平。
    存儲價格,變了又變

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