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近日，美國存儲芯片大廠美光發(fā)布的最新財(cái)報顯示，其2025財(cái)年第一季度（截至2024年11月）總營收87.1億美元，同比上升84.3%，符合市場預(yù)期。但從細(xì)分業(yè)務(wù)來看，美光的DRAM和NAND業(yè)務(wù)在環(huán)比層面卻有明顯分化，其中DRAM業(yè)務(wù)環(huán)比增長20%，而NAND業(yè)務(wù)卻下滑了5%，主要原因是受到了手機(jī)、汽車及工業(yè)等市場需求持續(xù)走低的影響。
美光預(yù)計(jì)2025財(cái)年第二季度NAND出貨量仍將環(huán)比下降，并且影響公司下一季度業(yè)績。美光執(zhí)行副總裁首席財(cái)務(wù)官M(fèi)ark Murphy表示：“在NAND業(yè)務(wù)方面，我們正在采取迅速而果斷的行動來降低資本支出并削減晶圓產(chǎn)量?！?/p>
美光推出的第9代（G9）SSD 3D NAND面對NAND市場持續(xù)走低的態(tài)勢，不僅是美光，三星、SK海力士、鎧俠等頭部廠商也都采取了減產(chǎn)措施，以阻止NAND價格的下跌趨勢，NAND市場的“寒冬”仍在無限期拉長。
NAND市場仍處于下行周期
近一年來，通用NAND價格從上漲到持平再到下跌，經(jīng)歷了大起大落。TrendForce數(shù)據(jù)顯示，通用NAND價格從2023年10月開始經(jīng)歷5個月的上漲之后，于2024年3月增速減緩，維持平穩(wěn)狀態(tài)，而后從9月開始轉(zhuǎn)為下跌，9月、10月和11月的環(huán)比降幅分別為11.44%、29.18%和29.8%。目前，通用NAND價格已經(jīng)從8月的4.9美元降至2.16美元，跌幅超過50%，是繼2015年8月以來的最低價格。
表格來源：TrendForce
TrendForce預(yù)測，2024年第四季度NAND的合約價格將下降3%-8%，獲利能力進(jìn)一步減弱，因此明年或許會有部分產(chǎn)品線從NAND轉(zhuǎn)向DRAM。2025年第一季度NAND市場將面臨嚴(yán)峻挑戰(zhàn)，供貨商庫存持續(xù)上升，訂單需求下降，平均合約價預(yù)計(jì)環(huán)比將再下降10%-15%，消費(fèi)端NAND價格一直到2025年下半年才可能反彈回升。
賽迪顧問集成電路中心副總經(jīng)理?xiàng)羁偙硎?，?dǎo)致NAND市場如此低迷的原因主要有四點(diǎn)。
一是消費(fèi)者更換電子產(chǎn)品的意愿和能力下降，設(shè)備換機(jī)周期延長，消費(fèi)電子產(chǎn)品需求處于萎縮階段，智能手機(jī)、筆記本電腦等消費(fèi)電子產(chǎn)品市場需求持續(xù)下滑。PC市場方面，盡管有Windows 10停止支持、新款CPU推出以及AI PC概念火爆等因素的助力，還是沒有激起消費(fèi)者強(qiáng)烈的換機(jī)欲望。同時，遠(yuǎn)程辦公和學(xué)習(xí)的常態(tài)化使得部分消費(fèi)者之前已更新設(shè)備，短期內(nèi)需求難以再次大幅提升。
二是新興應(yīng)用增長未達(dá)預(yù)期。雖然AI、大數(shù)據(jù)等新興領(lǐng)域?qū)Υ鎯τ休^高需求，但對NAND閃存市場的拉動作用還不足以彌補(bǔ)消費(fèi)電子等傳統(tǒng)領(lǐng)域需求的下滑。
三是廠商產(chǎn)能過剩。在此前的上升周期時，NAND廠商為了滿足市場需求增長，不斷擴(kuò)大產(chǎn)能，但此次的上升周期過于短暫，導(dǎo)致產(chǎn)能過剩問題凸顯。三星、SK海力士等主要廠商的部分NAND產(chǎn)能處于閑置或低利用率狀態(tài)。
四是NAND的技術(shù)發(fā)展與成本壓力。NAND技術(shù)的發(fā)展進(jìn)度并沒有減緩，各大廠商投入大量資金進(jìn)行研發(fā)和設(shè)備升級，以提高存儲密度、性能和降低成本。
然而，市場低迷使得產(chǎn)品價格下降，廠商的利潤空間受到壓縮，進(jìn)一步加大了成本壓力，再加上NAND市場競爭激烈，三星、鎧俠、西部數(shù)據(jù)等廠商為了爭奪市場份額，紛紛采取降價等策略，導(dǎo)致產(chǎn)品價格下降，市場整體利潤水平降低。因此，楊俊剛認(rèn)為：“就目前而言，NAND行業(yè)仍需要大量時間去庫存，想要迎來真正復(fù)蘇或許還需要更多的時間?！毕啾戎?，高端NAND市場的表現(xiàn)要優(yōu)于整體市場的平均水平，這在一定程度上能夠緩解2025年第一季度市場所面臨的供應(yīng)過剩壓力。
在NAND市場，AI驅(qū)動的大容量SSD需求成為了市場復(fù)蘇的關(guān)鍵。2025年，30TB和60TB的高容量SSD因其低能耗和高效的存儲能力，正迅速替代傳統(tǒng)的機(jī)械硬盤。這促使NAND供應(yīng)商更加關(guān)注QLC技術(shù)，以提高存儲密度并降低成本。
各大廠商減產(chǎn)消息不斷
在NAND市場如此不景氣的情況下，三星、鎧俠、美光、SK海力士等廠商無奈祭出減產(chǎn)大旗。據(jù)悉，早在2023年，三星就預(yù)感到NAND市場會快速接近飽和，于是將NAND產(chǎn)量削減了20%-25%，在2024年2月又減產(chǎn)了50%。
有消息稱，三星正在考慮將其P4 NAND生產(chǎn)線的一部分產(chǎn)能轉(zhuǎn)換為DRAM。三星也因此將2024年第四季度的營業(yè)利潤預(yù)期降至8.58萬億韓元，較之前預(yù)期的9.77萬億韓元減少了超過1萬億韓元。三星設(shè)備解決方案（DS）副總裁Kim Jae-joon表示，公司正下調(diào)通用NAND存儲產(chǎn)品的產(chǎn)量，以符合逐漸下滑的市場需求。
SK海力士作為HBM市場的最大贏家，為了應(yīng)對HBM和CXL DRAM的強(qiáng)烈市場需求，表示可能將其清州M14、M15X和M16工廠的部分NAND產(chǎn)能轉(zhuǎn)為生產(chǎn)HBM。
美光則明確表示，NAND負(fù)載不足將影響本財(cái)年第二財(cái)季的毛利率，其NAND晶圓啟動率將較此前水平下調(diào)10%并減慢制程節(jié)點(diǎn)轉(zhuǎn)移。
鎧俠在2024年經(jīng)歷了多次IPO失敗，其中的主要原因之一就是其此前為了滿足市場需求，不斷擴(kuò)大NAND產(chǎn)能，但當(dāng)前市場需求不及預(yù)期，產(chǎn)能過剩問題凸顯。投資者認(rèn)為存儲芯片行業(yè)還需一段時間才能完全從低谷中恢復(fù)，特別是目前正處于NAND行業(yè)下行周期，不是投資的最佳時間。鎧俠表示，正在減少NAND產(chǎn)量。
上下游協(xié)同是應(yīng)對關(guān)鍵
企業(yè)大規(guī)模減產(chǎn)其實(shí)難度很大，實(shí)屬無奈之舉。專家表示，一方面，生產(chǎn)線的關(guān)停與重啟并非易事，涉及到高昂的成本、復(fù)雜的設(shè)備維護(hù)以及技術(shù)人員的調(diào)配。一旦減產(chǎn)過度，后續(xù)若市場回暖，產(chǎn)能恢復(fù)的時間差可能導(dǎo)致錯失商機(jī)；另一方面，減產(chǎn)決策的協(xié)同性較差，各廠商出于自身利益考量，難以達(dá)成完全一致的減產(chǎn)步調(diào)，有可能導(dǎo)致市場上的供應(yīng)波動頻繁，價格體系混亂。
此外，減產(chǎn)的影響還會沿著產(chǎn)業(yè)鏈層層傳導(dǎo)，上游設(shè)備制造商和材料供應(yīng)商的訂單恐受到影響。比如用于NAND生產(chǎn)的光刻機(jī)、刻蝕機(jī)、化學(xué)氣相沉積設(shè)備，硅晶圓、光刻膠、高純度化學(xué)試劑等原材料。
三星近日就表示，已大幅減少3D NAND生產(chǎn)光刻工藝中光刻膠的使用量。在技術(shù)研發(fā)層面，由于企業(yè)利潤下滑，投入到新一代NAND技術(shù)，如3D NAND層數(shù)提升、QLC向PLC演進(jìn)等技術(shù)的研發(fā)資金不足，技術(shù)突破的步伐恐有所放緩。
目前來看，NAND產(chǎn)業(yè)想要走出下行周期還需要很長一段時間，產(chǎn)業(yè)鏈上下游之間應(yīng)加強(qiáng)溝通，形成更為合理的減產(chǎn)與復(fù)產(chǎn)機(jī)制，穩(wěn)定市場價格，同時繼續(xù)挖掘新的應(yīng)用場景，加強(qiáng)技術(shù)研究，如人工智能對海量數(shù)據(jù)存儲的需求、汽車智能化對車載存儲的新要求等。
作者丨許子皓編輯丨張心怡美編丨馬利亞監(jiān)制丨連曉東
