晶圓

加入交流群
掃碼加入
獲取工程師必備禮包
參與熱點(diǎn)資訊討論

晶圓是指制作硅半導(dǎo)體電路所用的硅晶片，其原始材料是硅。高純度的多晶硅溶解后摻入硅晶體晶種，然后慢慢拉出，形成圓柱形的單晶硅。硅晶棒在經(jīng)過研磨，拋光，切片后，形成硅晶圓片，也就是晶圓。國內(nèi)晶圓生產(chǎn)線以 8英寸和 12 英寸為主。晶圓的主要加工方式為片加工和批加工，即同時加工1 片或多片晶圓。隨著半導(dǎo)體特征尺寸越來越小，加工及測量設(shè)備越來越先進(jìn)，使得晶圓加工出現(xiàn)了新的數(shù)據(jù)特點(diǎn)。同時，特征尺寸的減小，使得晶圓加工時，空氣中的顆粒數(shù)對晶圓加工后質(zhì)量及可靠性的影響增大，而隨著潔凈的提高，顆粒數(shù)也出現(xiàn)了新的數(shù)據(jù)特點(diǎn)。

晶圓是指制作硅半導(dǎo)體電路所用的硅晶片，其原始材料是硅。高純度的多晶硅溶解后摻入硅晶體晶種，然后慢慢拉出，形成圓柱形的單晶硅。硅晶棒在經(jīng)過研磨，拋光，切片后，形成硅晶圓片，也就是晶圓。國內(nèi)晶圓生產(chǎn)線以 8英寸和 12 英寸為主。晶圓的主要加工方式為片加工和批加工，即同時加工1 片或多片晶圓。隨著半導(dǎo)體特征尺寸越來越小，加工及測量設(shè)備越來越先進(jìn)，使得晶圓加工出現(xiàn)了新的數(shù)據(jù)特點(diǎn)。同時，特征尺寸的減小，使得晶圓加工時，空氣中的顆粒數(shù)對晶圓加工后質(zhì)量及可靠性的影響增大，而隨著潔凈的提高，顆粒數(shù)也出現(xiàn)了新的數(shù)據(jù)特點(diǎn)。收起

查看更多
  • 并購+技術(shù)破局，國內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備廠商釋放積極信號
    在政策與市場需求雙重推動之下，國內(nèi)半導(dǎo)體并購熱潮涌動，設(shè)備廠商也沒有缺席。繼北方華創(chuàng)宣布入股芯源微之后，國內(nèi)半導(dǎo)體并購再次傳出新動態(tài)，華海清科完成對芯崳公司收購，加速高端半導(dǎo)體設(shè)備領(lǐng)域布局。與此同時，復(fù)雜國際形勢影響下，半導(dǎo)體設(shè)備自主可控重要性不斷凸顯，除了并購之外，國內(nèi)廠商也積極提升技術(shù)，推出代表性產(chǎn)品，加速破局與突圍。
    并購+技術(shù)破局，國內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備廠商釋放積極信號
  • 半導(dǎo)體涂層的作用
    學(xué)員問：設(shè)備上常見的涂層有哪些？各有哪些作用？什么是涂層？涂層，是涂敷在晶圓，設(shè)備/配件上的表面的薄層，厚度從納米到幾微米不等，用于改變原有材料的性質(zhì)，目的是為了保護(hù)、提升性能或?qū)崿F(xiàn)某種特定功能的作用。
  • 值得一看，全球晶圓操作模組部件供應(yīng)商統(tǒng)計
    上周發(fā)布了一個運(yùn)動平臺以及相關(guān)部件的數(shù)據(jù)，讀者反饋不錯。所以今天繼續(xù)發(fā)一個晶圓操作相關(guān)模組部件的供應(yīng)商列表這個數(shù)據(jù)之前也有發(fā)布過，但最近一段時間又有不少更新，所以值得再發(fā)一次供大家參考。
    值得一看，全球晶圓操作模組部件供應(yīng)商統(tǒng)計
  • 尼得科3家集團(tuán)公司聯(lián)合參展2025年上海國際半導(dǎo)體展覽會（Semicon China）
    尼得科集團(tuán)旗下尼得科精密檢測設(shè)備（浙江）有限公司、尼得科鴻測電子（蘇州）有限公司以及尼得科儀器（上海）有限公司將聯(lián)合參展3月26日～28日于上海新國際博覽中心舉辦的2025年上海國際半導(dǎo)體展覽會（Semicon China）。 上海國際半導(dǎo)體展覽會（Semicon China）由中國電子商會、SEMI China主辦，覆蓋芯片設(shè)計、制造、封測、設(shè)備、材料、光伏、顯示等全產(chǎn)業(yè)鏈，現(xiàn)已成為中國重要的半
    尼得科3家集團(tuán)公司聯(lián)合參展2025年上海國際半導(dǎo)體展覽會（Semicon China）
  • 青禾晶元發(fā)布全球首臺獨(dú)立研發(fā)C2W&W2W雙模式混合鍵合設(shè)備
    中國半導(dǎo)體鍵合集成技術(shù)領(lǐng)域的領(lǐng)先企業(yè)青禾晶元半導(dǎo)體科技（集團(tuán)）有限責(zé)任公司（簡稱“青禾晶元”）宣布，正式推出全球首臺C2W&W2W雙模式混合鍵合設(shè)備SAB8210CWW。作為先進(jìn)半導(dǎo)體鍵合集成技術(shù)與解決方案的提供商，青禾晶元此次發(fā)布標(biāo)志著公司在技術(shù)創(chuàng)新領(lǐng)域的又一重要突破。 青禾晶元新推出的混合鍵合設(shè)備SAB8210CWW具備多尺寸晶圓兼容、超強(qiáng)芯片處理能力、兼容不同的對準(zhǔn)方式等優(yōu)勢，可以幫
    青禾晶元發(fā)布全球首臺獨(dú)立研發(fā)C2W&W2W雙模式混合鍵合設(shè)備
  • DeepSeek會沖擊晶圓需求嗎？
    生成式AI的影響將導(dǎo)致DRAM晶圓的需求急劇增加。2025年1月20日，世界遭受“DeepSeek沖擊”。這是因?yàn)椋袊鮿?chuàng)AI公司DeepSeek發(fā)布了與OpenAI的GPT-4相當(dāng)?shù)拇笠?guī)模語言模型（LLM）DeepSeek-R1（以下簡稱R1）。R1的研發(fā)僅用了兩個月的時間，成本僅為560萬美元，僅為其他公司成本的一小部分。
    DeepSeek會沖擊晶圓需求嗎？
  • 碳化硅襯底的特氟龍夾具相比其他吸附方案，對于測量碳化硅襯底 BOW/WARP 的影響
    一、引言隨著碳化硅在半導(dǎo)體等領(lǐng)域的廣泛應(yīng)用，對其襯底質(zhì)量的檢測愈發(fā)關(guān)鍵。BOW（翹曲度）和 WARP（彎曲度）是衡量碳化硅襯底質(zhì)量的重要參數(shù)，準(zhǔn)確測量這些參數(shù)對于保證器件性能至關(guān)重要。而不同的吸附方案會對測量結(jié)果產(chǎn)生不同程度的影響。二、常見吸附方案概述在碳化硅襯底測量中，常見的吸附方案包括真空吸附、靜電吸附等。真空吸附通過產(chǎn)生負(fù)壓將襯底固定，操作相對簡單，但可能存在吸附不均勻的情況。靜電吸附則利用
    碳化硅襯底的特氟龍夾具相比其他吸附方案，對于測量碳化硅襯底 BOW/WARP 的影響
  • 測量探頭的 “溫漂” 問題，都是怎么產(chǎn)生的，以及對于氮化鎵襯底厚度測量的影響
    在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)這片高精尖的領(lǐng)域中，氮化鎵（GaN）襯底作為新一代芯片制造的核心支撐材料，正驅(qū)動著光電器件、功率器件等諸多領(lǐng)域邁向新的高峰。然而，氮化鎵襯底厚度測量的精準(zhǔn)度卻時刻面臨著一個來自暗處的挑戰(zhàn) —— 測量探頭的 “溫漂” 問題。深入探究 “溫漂” 的產(chǎn)生根源，以及剖析其給氮化鎵襯底厚度測量帶來的全方位影響，對于保障半導(dǎo)體制造工藝的高質(zhì)量推進(jìn)有著舉足輕重的意義。一、“溫漂” 現(xiàn)象的滋生土壤1，
    測量探頭的 “溫漂” 問題，都是怎么產(chǎn)生的，以及對于氮化鎵襯底厚度測量的影響
  • 特氟龍夾具的晶圓夾持方式，相比真空吸附方式，對測量晶圓 BOW 的影響
    在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，晶圓作為芯片的基礎(chǔ)母材，其質(zhì)量把控的關(guān)鍵環(huán)節(jié)之一便是對 BOW（彎曲度）的精確測量。而在測量過程中，特氟龍夾具的晶圓夾持方式與傳統(tǒng)的真空吸附方式有著截然不同的特性，這些差異深刻影響著晶圓 BOW 的測量精度與可靠性，對整個半導(dǎo)體工藝鏈的穩(wěn)定性起著不可忽視的作用。一、真空吸附方式剖析真空吸附方式長期以來在晶圓測量領(lǐng)域占據(jù)主導(dǎo)地位。它借助布滿吸盤表面的微小氣孔，通過抽真空操作，使晶圓
    特氟龍夾具的晶圓夾持方式，相比真空吸附方式，對測量晶圓 BOW 的影響
  • 測量探頭的 “溫漂” 問題，對于氮化鎵襯底厚度測量的實(shí)際影響
    在半導(dǎo)體制造這一微觀且精密的領(lǐng)域里，氮化鎵（GaN）襯底作為高端芯片的關(guān)鍵基石，正支撐著光電器件、功率器件等眾多前沿應(yīng)用蓬勃發(fā)展。然而，氮化鎵襯底厚度測量的準(zhǔn)確性卻常常受到一個隱匿 “敵手” 的威脅 —— 測量探頭的 “溫漂” 問題。這一看似細(xì)微的現(xiàn)象，實(shí)則對氮化鎵襯底厚度測量產(chǎn)生著諸多深遠(yuǎn)且實(shí)際的影響，關(guān)乎整個半導(dǎo)體制造工藝的成敗。一、“溫漂” 現(xiàn)象的內(nèi)在成因測量探頭的 “溫漂”，本質(zhì)上源于溫度
    測量探頭的 “溫漂” 問題，對于氮化鎵襯底厚度測量的實(shí)際影響
  • 不同的氮化鎵襯底的吸附方案，對測量氮化鎵襯底 BOW/WARP 的影響
    在當(dāng)今高速發(fā)展的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)浪潮中，氮化鎵（GaN）襯底宛如一顆耀眼的新星，憑借其卓越的電學(xué)與光學(xué)性能，在眾多高端芯片制造領(lǐng)域，尤其是光電器件、功率器件等方向，開拓出廣闊的應(yīng)用天地。然而，要想充分發(fā)揮氮化鎵襯底的優(yōu)勢，確保其 BOW（彎曲度）和 WARP（翹曲度）的精準(zhǔn)測量至關(guān)重要，因?yàn)檫@直接關(guān)聯(lián)到后續(xù)芯片制造工藝的良率與性能表現(xiàn)。不同的吸附方案恰似一雙雙各異的 “巧手”，在測量氮化鎵襯底 BOW/
    不同的氮化鎵襯底的吸附方案，對測量氮化鎵襯底 BOW/WARP 的影響
  • 氮化鎵襯底的環(huán)吸方案相比其他吸附方案，對于測量氮化鎵襯底 BOW/WARP 的影響
    在半導(dǎo)體領(lǐng)域的璀璨星河中，氮化鎵（GaN）襯底正憑借其優(yōu)異的性能，如高電子遷移率、寬禁帶等特性，在光電器件、功率器件等諸多應(yīng)用場景中嶄露頭角，成為推動行業(yè)發(fā)展的關(guān)鍵力量。而對于氮化鎵襯底而言，其 BOW（彎曲度）和 WARP（翹曲度）的精確測量是保障后續(xù)芯片制造工藝精準(zhǔn)實(shí)施的重要前提，不同的吸附方案在這一測量環(huán)節(jié)中扮演著截然不同的角色，其中環(huán)吸方案更是以獨(dú)特優(yōu)勢與其他方案形成鮮明對比，對測量結(jié)果產(chǎn)
    氮化鎵襯底的環(huán)吸方案相比其他吸附方案，對于測量氮化鎵襯底 BOW/WARP 的影響
  • 測量探頭的 “溫漂” 問題，都是怎么產(chǎn)生的，以及對于碳化硅襯底厚度測量的影響
    在半導(dǎo)體制造這一高精尖領(lǐng)域，碳化硅襯底作為支撐新一代芯片性能飛躍的關(guān)鍵基礎(chǔ)材料，其厚度測量的準(zhǔn)確性如同精密機(jī)械運(yùn)轉(zhuǎn)的核心齒輪，容不得絲毫差錯。然而，測量探頭的 “溫漂” 問題卻如隱匿在暗處的 “幽靈”，悄然干擾著測量進(jìn)程，深刻影響著碳化硅襯底厚度測量的精度與可靠性。探究 “溫漂” 的產(chǎn)生根源以及剖析其帶來的全方位影響，對于半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的穩(wěn)健發(fā)展至關(guān)重要。一、“溫漂” 現(xiàn)象的滋生源頭1.環(huán)境溫度的波動
    測量探頭的 “溫漂” 問題，都是怎么產(chǎn)生的，以及對于碳化硅襯底厚度測量的影響
  • 測量探頭的 “溫漂” 問題，對于碳化硅襯底厚度測量的實(shí)際影響
    在半導(dǎo)體制造的微觀世界里，碳化硅襯底作為新一代芯片的關(guān)鍵基石，其厚度測量的精準(zhǔn)性如同精密建筑的根基，不容有絲毫偏差。然而，測量探頭的 “溫漂” 問題卻如同一股暗流，悄然沖擊著這一精準(zhǔn)測量的防線，給碳化硅襯底厚度測量帶來諸多實(shí)際且棘手的影響。一、“溫漂” 現(xiàn)象的內(nèi)在根源測量探頭的 “溫漂”，本質(zhì)上是由于溫度因素致使探頭自身物理特性發(fā)生改變，進(jìn)而引發(fā)測量誤差的現(xiàn)象。一方面，環(huán)境溫度的波動是 “溫漂”
    測量探頭的 “溫漂” 問題，對于碳化硅襯底厚度測量的實(shí)際影響
  • 碳化硅襯底的環(huán)吸方案相比其他吸附方案，對于測量碳化硅襯底 BOW/WARP 的影響
    在半導(dǎo)體領(lǐng)域，隨著碳化硅（SiC）材料因其卓越的電學(xué)性能、高熱導(dǎo)率等優(yōu)勢逐漸嶄露頭角，成為新一代功率器件、射頻器件等制造的熱門襯底選擇，對碳化硅襯底質(zhì)量的精準(zhǔn)把控愈發(fā)關(guān)鍵。其中，碳化硅襯底的 BOW（彎曲度）和 WARP（翹曲度）測量精度直接影響后續(xù)芯片加工工藝的良率與性能，而不同的吸附方案在這一測量過程中扮演著舉足輕重的角色，環(huán)吸方案更是以其獨(dú)特性與其他吸附方案形成鮮明對比，對測量結(jié)果產(chǎn)生著顯著
    碳化硅襯底的環(huán)吸方案相比其他吸附方案，對于測量碳化硅襯底 BOW/WARP 的影響
  • 測量探頭的 “溫漂” 問題，都是怎么產(chǎn)生的，以及對于晶圓厚度測量的影響
    在半導(dǎo)體芯片制造的微觀世界里，精度就是生命線，晶圓厚度測量的精準(zhǔn)程度直接關(guān)聯(lián)著最終產(chǎn)品的性能優(yōu)劣。而測量探頭的 “溫漂” 問題，宛如精密時鐘里的一粒微塵，雖小卻能攪亂整個測量體系的精準(zhǔn)節(jié)奏。深入探究其產(chǎn)生根源以及帶來的連鎖影響，對于半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的高質(zhì)量發(fā)展至關(guān)重要。一、“溫漂” 問題的產(chǎn)生緣由1.環(huán)境溫度波動半導(dǎo)體制造車間是一個復(fù)雜的熱環(huán)境生態(tài)。一方面，大量設(shè)備持續(xù)運(yùn)行散發(fā)可觀熱量，如光刻機(jī)、刻蝕機(jī)
    測量探頭的 “溫漂” 問題，都是怎么產(chǎn)生的，以及對于晶圓厚度測量的影響
  • 測量探頭的 “溫漂” 問題，對于晶圓厚度測量的實(shí)際影響
    ?一、“溫漂” 現(xiàn)象的本質(zhì)剖析測量探頭的 “溫漂”，指的是由于環(huán)境溫度變化或探頭自身在工作過程中的發(fā)熱，導(dǎo)致探頭的物理特性發(fā)生改變，進(jìn)而使其測量精度出現(xiàn)偏差的現(xiàn)象。從原理上看，多數(shù)測量探頭基于電學(xué)或光學(xué)原理工作，例如電學(xué)探頭利用電信號的變化反映測量目標(biāo)的參數(shù)，而溫度的波動會影響電子元件的導(dǎo)電性、電容值等關(guān)鍵性能指標(biāo)；光學(xué)探頭的光路系統(tǒng)受溫度影響，玻璃鏡片的折射率、光學(xué)元件的熱膨脹等因素都會使光線傳
    測量探頭的 “溫漂” 問題，對于晶圓厚度測量的實(shí)際影響
  • 晶圓的環(huán)吸方案相比其他吸附方案，對于測量晶圓 BOW/WARP 的影響
    在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，晶圓的加工精度和質(zhì)量控制至關(guān)重要，其中對晶圓 BOW（彎曲度）和 WARP（翹曲度）的精確測量更是關(guān)鍵環(huán)節(jié)。不同的吸附方案被應(yīng)用于晶圓測量過程中，而晶圓的環(huán)吸方案因其獨(dú)特設(shè)計，與傳統(tǒng)或其他吸附方案相比，對 BOW/WARP 測量有著顯著且復(fù)雜的影響。 一、常見吸附方案概述 傳統(tǒng)的吸附方案包括全表面吸附、邊緣點(diǎn)吸附等。全表面吸附利用真空將晶圓整個底面緊密貼合在吸盤上，能提供穩(wěn)定的吸
    晶圓的環(huán)吸方案相比其他吸附方案，對于測量晶圓 BOW/WARP 的影響
  • 什么是Dummy Wafer（填充片）
    Dummy Wafer，中文稱為填充片，是在晶圓制造過程中專門用于填充機(jī)臺設(shè)備的晶圓，通常不會用于實(shí)際生產(chǎn)，也不會直接作為成品出售。其主要作用是為滿足設(shè)備運(yùn)行的特定要求或約束，確保設(shè)備的工藝性能穩(wěn)定，同時優(yōu)化資源利用率并減少生產(chǎn)風(fēng)險。
    什么是Dummy Wafer（填充片）

正在努力加載...