晶圓

加入交流群
掃碼加入
獲取工程師必備禮包
參與熱點(diǎn)資訊討論

晶圓是指制作硅半導(dǎo)體電路所用的硅晶片，其原始材料是硅。高純度的多晶硅溶解后摻入硅晶體晶種，然后慢慢拉出，形成圓柱形的單晶硅。硅晶棒在經(jīng)過研磨，拋光，切片后，形成硅晶圓片，也就是晶圓。國內(nèi)晶圓生產(chǎn)線以 8英寸和 12 英寸為主。晶圓的主要加工方式為片加工和批加工，即同時(shí)加工1 片或多片晶圓。隨著半導(dǎo)體特征尺寸越來越小，加工及測量設(shè)備越來越先進(jìn)，使得晶圓加工出現(xiàn)了新的數(shù)據(jù)特點(diǎn)。同時(shí)，特征尺寸的減小，使得晶圓加工時(shí)，空氣中的顆粒數(shù)對晶圓加工后質(zhì)量及可靠性的影響增大，而隨著潔凈的提高，顆粒數(shù)也出現(xiàn)了新的數(shù)據(jù)特點(diǎn)。

晶圓是指制作硅半導(dǎo)體電路所用的硅晶片，其原始材料是硅。高純度的多晶硅溶解后摻入硅晶體晶種，然后慢慢拉出，形成圓柱形的單晶硅。硅晶棒在經(jīng)過研磨，拋光，切片后，形成硅晶圓片，也就是晶圓。國內(nèi)晶圓生產(chǎn)線以 8英寸和 12 英寸為主。晶圓的主要加工方式為片加工和批加工，即同時(shí)加工1 片或多片晶圓。隨著半導(dǎo)體特征尺寸越來越小，加工及測量設(shè)備越來越先進(jìn)，使得晶圓加工出現(xiàn)了新的數(shù)據(jù)特點(diǎn)。同時(shí)，特征尺寸的減小，使得晶圓加工時(shí)，空氣中的顆粒數(shù)對晶圓加工后質(zhì)量及可靠性的影響增大，而隨著潔凈的提高，顆粒數(shù)也出現(xiàn)了新的數(shù)據(jù)特點(diǎn)。收起

查看更多
  • 提高晶圓電鍍速率時(shí)會(huì)遇到哪些困難？
    學(xué)員問：晶圓電鍍的速率不能無限制地提高，為什么？半導(dǎo)體工藝普遍遵循“欲速則不達(dá)”的原則，要想做的好，需要慢下來。
    254
    16小時(shí)前
    提高晶圓電鍍速率時(shí)會(huì)遇到哪些困難？
  • 為什么晶圓電鍍完鎳后要鍍一層金？
    學(xué)員問：為什么在電鍍完銅后，要在銅上鍍鎳，之后在鎳上鍍金？一般的電鍍順序？電鍍銅--》電鍍鎳--》電鍍金--》電鍍錫球四層金屬結(jié)構(gòu)的功能分工？
    為什么晶圓電鍍完鎳后要鍍一層金？
  • 晶圓搬運(yùn)機(jī)器人與RFID半導(dǎo)體讀卡器攜手賦能半導(dǎo)體制造高效變革
    晶圓搬運(yùn)機(jī)器人與晨控 S654 半導(dǎo)體讀卡器的結(jié)合，為半導(dǎo)體制造行業(yè)帶來了高效、精準(zhǔn)、可靠的物料搬運(yùn)與信息管理解決方案。通過優(yōu)化生產(chǎn)流程，提升生產(chǎn)效率與產(chǎn)品質(zhì)量，降低生產(chǎn)成本，有力推動(dòng)了半導(dǎo)體制造向智能化、自動(dòng)化方向邁進(jìn)。
  • 國產(chǎn)劃片機(jī)崛起 打破COB封裝技術(shù)壟斷的破局之路
    當(dāng)一塊12英寸晶圓在博捷芯BJX8160劃片機(jī)中完成切割時(shí)，0.0001mm的定位精度讓MiniLED背光模組實(shí)現(xiàn)無縫拼接——這標(biāo)志著國產(chǎn)設(shè)備首次在COB封裝核心工藝上達(dá)到國際一流水準(zhǔn)。曾幾何時(shí)，ASM、DISCO等國際巨頭壟斷著90%的高端劃片機(jī)市場，而今天，中國制造的精密劃片機(jī)正以400%的效率提升和60%的成本優(yōu)勢，重構(gòu)全球COB封裝產(chǎn)業(yè)格局。 COB封裝的技術(shù)壁壘與國產(chǎn)化困境 COB封裝技
  • 晶圓電鍍需要做哪些前處理？
    學(xué)員問：晶圓電鍍前需要做什么處理嗎？直接鍍還是？晶圓電鍍前處理的核心目標(biāo)？1，去除雜質(zhì)，去除有機(jī)物、氧化層、殘膠等污染……
    晶圓電鍍需要做哪些前處理？
  • 為什么在某些離子注入工藝中晶圓需要傾斜一定角度呢？
    在半導(dǎo)體制造過程中，離子注入時(shí)將晶圓傾斜一定角度（通常為 5°~7°）是一項(xiàng)關(guān)鍵工藝調(diào)整，主要目的是解決溝道效應(yīng)（Channeling Effect）帶來的不利影響，確保離子注入的精度和均勻性。以下是具體原因和原理：
    為什么在某些離子注入工藝中晶圓需要傾斜一定角度呢？
  • 拿假5nm騙流量？真當(dāng)行業(yè)沒人懂是吧？要點(diǎn)臉吧……
    好家伙，真的是好家伙，這是2025年我見過最TM離譜的說法。今天我刷到一個(gè)視頻，一個(gè)視頻博主手持一片wafer，口口聲聲說這個(gè)是國產(chǎn)5nm晶圓，還聲稱是通過非常非常非常關(guān)系才拿到的。
    拿假5nm騙流量？真當(dāng)行業(yè)沒人懂是吧？要點(diǎn)臉吧……
  • 晶圓的電鍍速率怎么算？
    學(xué)員問：麻煩講講電鍍速率是怎么算的？一直稀里糊涂晶圓電鍍的鍍速經(jīng)驗(yàn)值？2價(jià)金屬，如銅金屬，在1ASD,1min的條件下，生長0.2um
    晶圓的電鍍速率怎么算？
  • 晶圓電鍍原理
    之前我們寫過，晶圓電鍍在半導(dǎo)體行業(yè)中的應(yīng)用，見文章：哪些制程會(huì)用到電鍍工序？電鍍是一個(gè)很重要的金屬化工藝，今天我們就以微型電鍍設(shè)備為例，來詳細(xì)說說晶圓電鍍的原理。
    晶圓電鍍原理
  • 晶圓表面清洗后波紋缺陷怎么處理
    晶圓表面清洗后出現(xiàn)波紋缺陷（如水波紋、劃痕或殘留膜層不均勻），可能由清洗工藝、設(shè)備參數(shù)或操作不當(dāng)導(dǎo)致。以下是系統(tǒng)性的解決方案： 1. 缺陷成因分析 清洗介質(zhì)問題： 化學(xué)試劑（如DHF、SC-1溶液）濃度異?；蛭廴?，導(dǎo)致表面張力不均。 去離子水（DI Water）純度不足（如顆粒、有機(jī)物殘留），產(chǎn)生水斑或干燥痕跡。 設(shè)備因素： 兆聲波（Megasonic）能量不均勻或功率過高，造成局部損傷。 離心甩
  • 晶圓電鍍，電鑄，電解有什么區(qū)別？
    學(xué)員問：電鍍和電鑄一直分不清，請問有什么區(qū)別嗎？晶圓制程哪些工序會(huì)用到電鍍？
    晶圓電鍍，電鑄，電解有什么區(qū)別？
  • 晶圓的平邊和應(yīng)用
    晶圓的平邊分為缺口和平邊，根據(jù)尺寸不同而不同。對于大尺寸的晶圓，一般是柱面磨削出一道凹槽作為定位槽(Notch)，對于小尺寸的一般磨削出平邊作為定位邊(Flat)。
    晶圓的平邊和應(yīng)用
  • 二手東京電子 CELESTA 晶圓清洗供液系統(tǒng)及晶圓清洗裝置
    摘要：本文對二手東京電子 CELESTA 晶圓清洗供液系統(tǒng)及晶圓清洗裝置展開研究，詳細(xì)介紹供液系統(tǒng)的組成、工作原理及功能特性，闡述晶圓清洗裝置的架構(gòu)與運(yùn)行機(jī)制，分析二者在晶圓清洗過程中的協(xié)同工作模式，為優(yōu)化二手設(shè)備清洗工藝提供理論依據(jù)與技術(shù)參考。 一、引言 在半導(dǎo)體晶圓制造領(lǐng)域，晶圓清洗是保證芯片質(zhì)量的關(guān)鍵環(huán)節(jié)。二手東京電子 CELESTA 晶圓清洗設(shè)備憑借其良好的性能和成本優(yōu)勢，在行業(yè)內(nèi)得到廣泛
  • 用于切割晶圓 TTV 控制的硅棒安裝機(jī)構(gòu)
    摘要：本文針對晶圓切割過程中 TTV（總厚度偏差）控制難題，提出一種用于切割晶圓 TTV 控制的硅棒安裝機(jī)構(gòu)。詳細(xì)介紹該機(jī)構(gòu)的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)、工作原理及其在控制 TTV 方面的技術(shù)優(yōu)勢，為提升晶圓切割質(zhì)量提供新的設(shè)備方案 。 一、引言 在晶圓制造過程中，切割環(huán)節(jié)對晶圓 TTV 有著重要影響。精確控制晶圓 TTV 是保障芯片性能和良品率的關(guān)鍵因素。傳統(tǒng)硅棒安裝方式在切割過程中，因硅棒固定不穩(wěn)定、定位精度低
  • 突發(fā)！晶圓大廠變相裁員，賠償30個(gè)月薪水
    英寸晶圓代工（半導(dǎo)體委托制造）子公司
  • 晶圓盒為什么僅裝載 25 片晶圓？
    為何一盒晶圓通常是 25 片？廠商解釋稱：通過對工藝參數(shù)開展大量實(shí)驗(yàn)研究發(fā)現(xiàn)，當(dāng) FOUP（晶圓傳送盒）容納 25 片晶圓時(shí)，工作效率能達(dá)到最高值。因此，半導(dǎo)體行業(yè)標(biāo)準(zhǔn) SEMI E1.9——《用于運(yùn)輸和存儲(chǔ) 300 毫米晶圓的盒的機(jī)械規(guī)范》也對此作出了相應(yīng)規(guī)定。
    1557
    05/19 10:10
    晶圓盒為什么僅裝載 25 片晶圓？
  • 議程首發(fā)！晶上系統(tǒng)生態(tài)大會(huì)2025（SDSoW 2025）
    智能算力已成為新質(zhì)生產(chǎn)力與新質(zhì)戰(zhàn)斗力。面對復(fù)雜嚴(yán)峻外部形勢，智能駕駛、工業(yè)智造、AI信創(chuàng)、低空經(jīng)濟(jì)、智能戰(zhàn)場、智能情報(bào)等萬億級(jí)戰(zhàn)略場景亟需高水平自立自強(qiáng)底座，軟件定義晶上系統(tǒng)（SDSoW）通過晶圓級(jí)集成工藝與生成式結(jié)構(gòu)計(jì)算連乘效應(yīng)，可獲得3-5個(gè)數(shù)量級(jí)的性能躍升，是我國短期可博弈、長期可引領(lǐng)發(fā)展之路，“十五五”正布局晶上加速賦能千行百業(yè)。 為加速晶上賦能千行百業(yè)，構(gòu)建晶上自主生態(tài)，將于6月13日在
    議程首發(fā)！晶上系統(tǒng)生態(tài)大會(huì)2025（SDSoW 2025）
  • 硅不夠用了，接下來靠什么？
    不久前，武漢光谷迎來了一場重磅活動(dòng)——2025九峰山論壇暨化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)博覽會(huì)。這場會(huì)議的意義遠(yuǎn)不止于展示與交流。在展會(huì)的背后，一個(gè)更為深遠(yuǎn)的趨勢正在浮現(xiàn)：化合物半導(dǎo)體正從實(shí)驗(yàn)室走向市場，成為推動(dòng)新一輪技術(shù)革命的核心力量。
    硅不夠用了，接下來靠什么？
  • 4年900億——英特爾代工打造全球供應(yīng)鏈韌性、實(shí)現(xiàn)18A關(guān)鍵技術(shù)布局
    2025英特爾代工大會(huì)（Intel Foundry Direct Connect）在美國加州圣何塞開幕。剛剛上任5周的英特爾公司首席執(zhí)行官陳立武在大會(huì)上發(fā)表開幕演講，強(qiáng)調(diào)英特爾正在推動(dòng)其代工戰(zhàn)略進(jìn)入下一階段，以及英特爾打造世界一流代工廠的愿景，體現(xiàn)了對代工業(yè)務(wù)的重視和信心。
  • 這家IGBT企業(yè)營收達(dá)22億，增長120%
    據(jù)“揚(yáng)州日報(bào)”4月16日報(bào)道，過去幾年揚(yáng)州市簽約落戶、開工建設(shè)的一批制造業(yè)重點(diǎn)項(xiàng)目，已經(jīng)或即將成長為工業(yè)經(jīng)濟(jì)的壓艙石，其中，比亞迪半導(dǎo)體在揚(yáng)州建設(shè)的功率半導(dǎo)體模組及晶圓生產(chǎn)項(xiàng)目碩果累累。

正在努力加載...