晶圓的電鍍速率怎么算？

知識(shí)星球（星球名：芯片制造與封測(cè)技術(shù)社區(qū)，點(diǎn)擊加入）里的學(xué)員問(wèn)：麻煩講講電鍍速率是怎么算的？一直稀里糊涂晶圓電鍍的鍍速經(jīng)驗(yàn)值？

2價(jià)金屬，如銅金屬，在1ASD,1min的條件下，生長(zhǎng)0.2um

什么是ASD？

ASD = A/dm2 = 安培每平方分米,即：電流密度（Current Density）的單位。它表示單位面積上施加的電流強(qiáng)度.沉積速率、結(jié)晶質(zhì)量、應(yīng)力、均勻性都受到電流密度的直接影響。

晶圓電鍍速度的推導(dǎo)法拉第第一定律法拉第的研究表明，在電鍍過(guò)程中，陰極上還原物質(zhì)析出的量與所通過(guò)的電流強(qiáng)度和通電時(shí)間成正比。

公式為：

m=KQ=KIt

式中m一析出金屬的質(zhì)量；

K—比例常數(shù)；

Q—通過(guò)的電量；

1—電流強(qiáng)度；

t—通電時(shí)間。

而Q=nZF，n= 生成物質(zhì)的摩爾數(shù) [mol]；Q= 總電量 [C]；z = 化合價(jià)；F = ?96485.332 12...那么則有：It=m/M*Z*F而m=p.s.h,I=D.ss為電鍍面積，h為電鍍高度，D為電流密度，M為摩爾質(zhì)量，p為金屬的密度,p銅=?8.92 g/cm3=8920g/dm3代入得：D.s.t=(p.s.h)/M*Z*FDt=p.h/M*Z*Fh=DtM/(pZF)=DtM/（8920*192970）如果D=1ASD，t=1min=60s,M=63.5h=1*60*65/192970=0.00000227dm=0.227um

考慮到電流效率，我們的經(jīng)驗(yàn)值鍍銅在0.2um左右。其他金屬的電鍍速率，以此類(lèi)推。

如有需要1.2L全套微型電鍍槽，可聯(lián)系Tom

目前我們有cmp，光刻，鍍膜，鍵合，量檢測(cè)，如需進(jìn)群，請(qǐng)加Tom微，防失聯(lián)：