2016
三星電子正致力于下一代半導體市場，重點開發(fā)被稱為DRAM市場新星的“LLW（Low Latency Wide IO）DRAM”。LLW具有數(shù)據(jù)處理速度快、功耗低的特點，是比現(xiàn)有低功耗DRAM性能更高的產品。它被認為是針對設備上人工智能市場的未來技術，因此被稱為“移動HBM（高帶寬內存）”。
LLW是一種與移動DRAM相比，通過顯著增加信息輸入和輸出的I/O數(shù)量來提高數(shù)據(jù)處理速度的存儲器。它是作為緩解處理器和存儲芯片之間速度不匹配造成的數(shù)據(jù)瓶頸的解決方案而出現(xiàn)的。LLW不僅具有比低功耗DRAM LPDDR更高的帶寬的高性能，而且還具有超低延遲和低功耗。當靠近處理器放置時，與常規(guī) DRAM 相比，能效提高約 70%。
HBM用于數(shù)據(jù)中心和服務器，但存在難以在移動設備和PC等邊緣設備中使用的限制。LLW是一款專門針對設備端人工智能市場的產品，可用于智能手機、擴展現(xiàn)實（XR）、游戲和PC等多種應用。這是因為它具有適合處理設備實時生成的數(shù)據(jù)的特性。這就是為什么專注于開發(fā) XR 設備的蘋果也在其“Vision Pro”產品中使用 LLW DRAM。
LLW和LPDDR最大的區(qū)別在于是否是“定制內存”。LPDDR是通用型產品，一旦量產即可批量使用。另一方面，LLW是一個定制產品，反映了應用程序和客戶的要求。由于LLW與處理器連接的引腳位置不同，因此在批量生產之前需要針對每個客戶的產品進行優(yōu)化設計。
業(yè)界將LLW視為下一代半導體，并正在重點關注其開發(fā)。但開發(fā)或量產尚未正式確定。沒有一個名字像 HBM 那樣廣為人知。據(jù)報道，三星電子內部將其稱為 LLW，SK 海力士將其稱為定制 DRAM。不過，隨著近期定制化內存產品需求的增加以及端側AI市場的逐漸壯大，人們對LLW市場的真正開放抱有很高的期望。
