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近日，SK海力士宣布，其龍仁半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)集群的首座晶圓廠已開始全面動(dòng)工，預(yù)計(jì)2027年5月竣工。
SK海力士表示，龍仁半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)園區(qū)位于韓國京畿道龍仁市元三面，總占地面積為415萬平方米（約126萬坪），包括SK海力士工廠（約60萬坪）、中小企業(yè)合作園區(qū)（14萬坪）、基礎(chǔ)設(shè)施用地（12萬坪）等。預(yù)計(jì)將與集群內(nèi)約50家中小型半導(dǎo)體公司一起，在提升韓國半導(dǎo)體生態(tài)系統(tǒng)競爭力方面發(fā)揮作用。
2024年7月，SK海力士董事會(huì)通過決議，決定投資約9.4萬億韓元（約合人民幣476.58億元）在龍仁半導(dǎo)體集群建設(shè)第一座晶圓廠及營業(yè)設(shè)施。此次批準(zhǔn)的投資額包含集群運(yùn)營初期所需的第一座工廠、輔助設(shè)施（水處理設(shè)施、變電設(shè)施、通信線路、倉庫等）、事業(yè)支援大樓、福利設(shè)施的建設(shè)費(fèi)用。
此外，SK海力士還計(jì)劃在第一座晶圓廠內(nèi)建設(shè)一座“微型晶圓廠（即配備300毫米晶圓處理設(shè)備的研究設(shè)施，用于驗(yàn)證半導(dǎo)體材料、零件和設(shè)備）”，以幫助韓國國內(nèi)中小企業(yè)開發(fā)、驗(yàn)證和評(píng)估技術(shù)。
首座晶圓廠建成后，該工廠將成為SK海力士高帶寬存儲(chǔ)器(HBM)等新一代DRAM存儲(chǔ)芯片生產(chǎn)基地，并助力SK海力士提高面向AI的存儲(chǔ)器產(chǎn)品產(chǎn)量。之后，SK海力士將陸續(xù)完成其余三座晶圓廠的建設(shè)，從而將龍仁園區(qū)發(fā)展成為“全球AI半導(dǎo)體生產(chǎn)基地”。
值得一提的是，SK海力士還計(jì)劃在清州投資約5.3萬億韓元用于建設(shè)M15X工廠，以提高包括旗艦產(chǎn)品HBM在內(nèi)的下一代DRAM的生產(chǎn)力。
隨著大型科技公司對(duì)AI服務(wù)器的投資擴(kuò)大，人工智能推理技術(shù)的重要性也日益增加。由于對(duì)AI服務(wù)器的投資激增，以及對(duì)于模型推理處理需求的增長，由此高性能計(jì)算所必需的HBM和高容量服務(wù)器DRAM的需求將持續(xù)增長。
01、SK海力士增加HBM3e的供應(yīng)量，并適時(shí)開發(fā)出HBM4
眾所周知，SK海力士是全球知名的存儲(chǔ)廠商，在DARM市場(chǎng)排名中位列第二，僅次于三星。據(jù)市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)TrendForce集邦咨詢最新調(diào)研數(shù)據(jù)，得益于HBM3e出貨帶動(dòng)，2024年第四季度，SK海力士在全球DRAM領(lǐng)域的市占率由前一季度的34.4%上升至36.6%，緊追三星。
另外，根據(jù)SK海力士今年1月公布的最新財(cái)報(bào)，隨著HBM、eSSD等面向AI的存儲(chǔ)器銷售增長，2024財(cái)年?duì)I收和營業(yè)利潤均創(chuàng)下了季度和年度歷史新高，其中營收為66.19萬億韓元，同比增長102%，營業(yè)利潤和凈利潤分別為23.47萬億韓元和19.80萬億韓元，均同比扭虧為盈。值得一提的是，2024年第四季度，HBM占SK海力士占DRAM整體銷售額的40%以上。
盡管在DRAM市場(chǎng)的市占率不及三星，但就HBM而言，SK海力士則領(lǐng)先于其他廠商。目前，SK海力士已開始供應(yīng)其最新的12層HBM3e芯片，同時(shí)，其正在開發(fā)HBM3e 16hi產(chǎn)品，每顆HBM芯片容量為48GB，預(yù)計(jì)在2025年上半年送樣。
根據(jù)集邦咨詢的研究，SK海力士新產(chǎn)品的潛在應(yīng)用包括CSP自行研發(fā)的ASIC和通用型GPU，有望在HBM4世代量產(chǎn)前，提早于HBM3e世代推升位元容量上限。集邦咨詢認(rèn)為，在HBM4及HBM4e世代皆預(yù)計(jì)設(shè)計(jì)16hi產(chǎn)品的情況下，SK海力士率先量產(chǎn)HBM3e 16hi，將能及早累積此堆棧層數(shù)的量產(chǎn)經(jīng)驗(yàn)，以加速后續(xù)HBM4 16hi的量產(chǎn)時(shí)程。
SK海力士在財(cái)報(bào)中表示，公司計(jì)劃今年增加HBM3e的供應(yīng)量，并適時(shí)開發(fā)出HBM4。
02、三星即將供應(yīng)改良版HBM3e，下半年大規(guī)模量產(chǎn)HBM4
2025年1月底，三星電子公布了最新財(cái)報(bào)。數(shù)據(jù)顯示，2024全年，三星實(shí)現(xiàn)營收為300.9萬億韓元，同比增長16%；營業(yè)利潤為32.7萬億韓元，大幅度增長395%；凈利潤為33.6萬億韓元，同比增長131%。就第四季度而言，其營收為75.8萬億韓元，同比增長12%；營業(yè)利潤6.5萬億韓元，同比增長超過130%。
三星電子表示，存儲(chǔ)業(yè)務(wù)第四季度收入創(chuàng)歷史新高，主要得益于HBM和服務(wù)器用高密度DDR5銷量增加，拉抬混合DRAM平均銷售價(jià)格(ASP)上漲。三星指出，將繼續(xù)通過增加基于先進(jìn)工藝節(jié)點(diǎn)的高附加值產(chǎn)品（如HBM、DDR5、LPDDR5x、GDDR7和服務(wù)器SSD）的份額來增強(qiáng)業(yè)務(wù)競爭力并優(yōu)化其產(chǎn)品組合。
韓媒報(bào)道稱，三星近期在財(cái)報(bào)會(huì)議上宣布，預(yù)計(jì)將于2025年第一季末向主要客戶供應(yīng)改良版的第五代HBM產(chǎn)品HBM3e，三星還計(jì)劃在2025年下半年大規(guī)模生產(chǎn)第六代HBM4。
據(jù)三星透露，其2024年第四季的HBM銷量較上一季成長了1.9倍。三星指出，繼2024年第三季量產(chǎn)HBM3e的8層和12層堆疊產(chǎn)品后，在第四季擴(kuò)大了對(duì)多家GPU供應(yīng)商和數(shù)據(jù)客戶的HBM3e供應(yīng)，導(dǎo)致HBM3e銷量超過了HBM3銷量。
此外，三星還預(yù)計(jì)HBM3e改良版產(chǎn)品的供應(yīng)量將從第二季開始大幅增加，這使得三星預(yù)計(jì)在2025年將HBM位元總供應(yīng)量較2024年再增加一倍，以展現(xiàn)其致力于滿足客戶不斷變化的需求的承諾。
值得一提的是，近日三星在美國舊金山舉辦的2025國際半導(dǎo)體會(huì)議(ISSCC)上展示了帶寬達(dá)每秒2.5TB的HBM4e。據(jù)悉，HBM4E將引入32Gb DRAM裸片，并在16Hi堆疊時(shí)將單堆棧容量擴(kuò)展至64GB。此外，HBM4e的每引腳速率提升至10Gbps，整體帶寬將達(dá)到HBM4的1.25倍。
HBM4e是繼HBM4之后的下一代標(biāo)準(zhǔn)，三星計(jì)劃于年內(nèi)實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。據(jù)韓媒報(bào)道，三星電子采用10納米級(jí)的1c制程技術(shù)來量產(chǎn)的HBM4正在按開發(fā)計(jì)劃進(jìn)行中，目標(biāo)是在2025年下半年開始量產(chǎn)。
另外，三星還強(qiáng)調(diào)，雖然目前預(yù)計(jì)客戶對(duì)HBM3e的16層堆疊產(chǎn)品尚無商業(yè)化需求，但三星已生產(chǎn)了16層堆疊技術(shù)的樣品，并交付給主要客驗(yàn)證中。
03、美光HBM表現(xiàn)亮眼，HBM4預(yù)計(jì)2026年量產(chǎn)
美光雖然在三大HBM廠商中處于追趕階段，但亦在加緊產(chǎn)能擴(kuò)充，同時(shí)其市占也呈現(xiàn)小幅上升。集邦咨詢數(shù)據(jù)顯示，2024年第四季度，美光市占率為22.4%，較前一季微幅增長。
2024年底，美光發(fā)布的2025財(cái)年第一季業(yè)績報(bào)告顯示，在AI人工智能驅(qū)動(dòng)下，數(shù)據(jù)中心市場(chǎng)需求強(qiáng)勁，在當(dāng)季實(shí)現(xiàn)了創(chuàng)紀(jì)錄的營收表現(xiàn)，且數(shù)據(jù)中心收入占其整體營收份額首次超過50%。
具體來看，當(dāng)季美光實(shí)現(xiàn)營收87.09億美元，同比增長84.28%；歸母凈利潤18.7億美元，同比增長251.54%。其中數(shù)據(jù)中心業(yè)務(wù)收入同比增長超過400%。美光指出，數(shù)據(jù)中心已成為該季度增長的核心引擎，推動(dòng)總營收創(chuàng)下新高。此外，HBM收入環(huán)比增長超過一倍，HBM3e產(chǎn)品已設(shè)計(jì)到NVIDIA的Blackwell平臺(tái)中。
美光管理層亦在財(cái)報(bào)電話會(huì)議進(jìn)一步指出，HBM相關(guān)出貨和營收表現(xiàn)突出，當(dāng)季HBM營收較上季度翻倍有余，出貨及產(chǎn)能爬坡進(jìn)展順利。
總體來看，HBM在未來數(shù)年將保持強(qiáng)勁增長勢(shì)頭，美光高層預(yù)測(cè)，2030年全球HBM潛在市場(chǎng)規(guī)模有望超過1000億美元。該公司CEO Sanjay Mehrotra亦強(qiáng)調(diào)，對(duì)于HBM未來幾年的發(fā)展路線圖充滿信心。
根據(jù)科技新報(bào)的最新報(bào)道，美光科技用于HBM3e的1-beta DRAM在2025年的產(chǎn)能會(huì)持續(xù)向上提升，下世代的HBM4則預(yù)計(jì)2026年量產(chǎn)。美光執(zhí)行副總裁兼首席財(cái)務(wù)官M(fèi)ark Murphy透露，美光的12層堆疊HBM內(nèi)存產(chǎn)品（12Hi HBM3e）即將放量。Mark Murphy再次強(qiáng)調(diào)，美光的目標(biāo)是在HBM領(lǐng)域取得同整體DRAM相當(dāng)?shù)氖袌?chǎng)占比（即20%）。
此外，美光新加坡HBM先進(jìn)封裝廠也已經(jīng)正式動(dòng)工。據(jù)悉，該工廠總投資高達(dá)70億美元，預(yù)計(jì)2026年投產(chǎn)，而這也是新加坡首座封測(cè)廠。
據(jù)官方介紹，美光新加坡封測(cè)廠2027年開始大幅提升先進(jìn)封裝產(chǎn)能，以滿足AI晶片產(chǎn)業(yè)不斷成長的HBM需求。Sanjay Mehrotra表示，未來將加強(qiáng)投資HBM先進(jìn)封裝廠，增加AI商機(jī)競爭優(yōu)勢(shì)。
