MOS管

• 南芯科技推出內(nèi)置MOS管的高集成度升降壓充電芯片

  南芯科技（證券代碼：688484）宣布推出全集成同步雙向升降壓充電芯片 SC8911，該芯片配備 I2C 接口，專為常見(jiàn)的 2 串電池 30W 充電寶應(yīng)用進(jìn)行了效率優(yōu)化，可有效降低外殼溫升，為用戶提供更安全、更高效的充電體驗(yàn)。SC8911 可支持 OTG 反向升壓功能，兼容涓流充電、預(yù)充電、恒流充電、恒壓充電、自動(dòng)終止等多種模式，助力客戶實(shí)現(xiàn)更高的效率、更低的 BOM 成本和更小的 BOM 尺寸。

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  03/21 14:44

  pcb SoC

  
• 從焊接虛焊到靜電擊穿：MDDMOS管安裝環(huán)節(jié)的問(wèn)題

  在電子制造中，MDDMOS管的安裝環(huán)節(jié)暗藏諸多風(fēng)險(xiǎn)。某智能手表產(chǎn)線因焊接虛焊導(dǎo)致30%的MOS管失效，返工成本超百萬(wàn)。本文MDD通過(guò)典型故障案例，剖析安裝過(guò)程中的五大核心問(wèn)題，并提供系統(tǒng)性解決方案。 一、焊接虛焊：IMC層的致命缺陷 案例：某無(wú)人機(jī)電調(diào)批量出現(xiàn)MOS管功能異常，X射線檢測(cè)顯示焊點(diǎn)空洞率達(dá)25%。 機(jī)理分析： 焊接溫度曲線偏差（峰值溫度未達(dá)235℃），導(dǎo)致錫膏與銅層間未形成均勻的IM

  MDD辰達(dá)半導(dǎo)體

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  03/07 07:00

  MOS管 焊接

  
• 驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)踩坑錄：MDDMOS管開(kāi)關(guān)異常的診斷與修復(fù)

  在電力電子系統(tǒng)中，MDDMOS管的開(kāi)關(guān)異常往往導(dǎo)致效率驟降、EMI超標(biāo)甚至器件損毀。某新能源汽車OBC模塊因驅(qū)動(dòng)波形振蕩引發(fā)MOS管過(guò)熱，導(dǎo)致整機(jī)返修率高達(dá)15%。本文結(jié)合典型故障案例，剖析驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)中的四大關(guān)鍵陷阱，并提供系統(tǒng)性解決方案。 一、柵極振蕩：探針引發(fā)的“假故障” 故障現(xiàn)象： 某變頻器驅(qū)動(dòng)波形實(shí)測(cè)時(shí)出現(xiàn)20MHz高頻振蕩，但上機(jī)后MOS管溫升異常。 根因分析： 傳統(tǒng)探針接地線過(guò)長(zhǎng)（&

  MDD辰達(dá)半導(dǎo)體

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  03/06 08:34

  電路設(shè)計(jì) MOS管

  
• MOS管發(fā)燙嚴(yán)重：從散熱設(shè)計(jì)到驅(qū)動(dòng)波形的優(yōu)化實(shí)戰(zhàn)|MDD

  在電機(jī)驅(qū)動(dòng)、電源轉(zhuǎn)換等場(chǎng)景中，MDDMOS管嚴(yán)重發(fā)熱是工程師面臨的常見(jiàn)挑戰(zhàn)。某工業(yè)伺服驅(qū)動(dòng)器因MOS管溫升達(dá)105℃，導(dǎo)致系統(tǒng)頻繁觸發(fā)過(guò)溫保護(hù)。本文通過(guò)解析發(fā)熱機(jī)理，結(jié)合實(shí)測(cè)數(shù)據(jù)，提供從散熱設(shè)計(jì)到驅(qū)動(dòng)優(yōu)化的系統(tǒng)性解決方案。 一、發(fā)熱根源：損耗模型的精準(zhǔn)拆解 MOS管發(fā)熱本質(zhì)是能量損耗的累積，主要包含： 導(dǎo)通損耗：P=IMsxRs(o)xD， 某50A電機(jī)驅(qū)動(dòng)案例中，Rds(on)=5mΩ，占空比D

  MDD辰達(dá)半導(dǎo)體

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  03/05 11:35

  電機(jī)驅(qū)動(dòng) MOS管

  
• MOS管選型十大陷阱：參數(shù)誤讀引發(fā)的血淚教訓(xùn)MDD

  在電力電子設(shè)計(jì)中，MOS管選型失誤導(dǎo)致的硬件失效屢見(jiàn)不鮮。某光伏逆變器因忽視Coss參數(shù)引發(fā)炸管，直接損失50萬(wàn)元。本文以真實(shí)案例為鑒，MDD辰達(dá)半導(dǎo)體帶您解析MOS管選型中的十大參數(shù)陷阱，為工程師提供避坑指南。 一、VDS耐壓虛標(biāo)：動(dòng)態(tài)尖峰的致命盲區(qū) 誤讀后果：某充電樁模塊標(biāo)稱650V耐壓MOS管，實(shí)際測(cè)試中因關(guān)斷尖峰達(dá)720V導(dǎo)致批量擊穿。 數(shù)據(jù)手冊(cè)陷阱：廠家標(biāo)稱VDS為直流耐壓值，未考慮動(dòng)態(tài)

  MDD辰達(dá)半導(dǎo)體

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  03/04 14:40

  MOS管 芯片選型

  
• MOS管莫名燒毀？5大元兇與防護(hù)方案深度解析MDD

  在電子系統(tǒng)設(shè)計(jì)中，MOS管燒毀是工程師常遇的棘手問(wèn)題。MDD辰達(dá)半導(dǎo)體在本文結(jié)合典型失效案例與工程實(shí)踐，深度解析五大核心失效機(jī)理及防護(hù)策略，為電路可靠性提供系統(tǒng)性解決方案。 一、過(guò)壓擊穿：雪崩能量的致命威脅 過(guò)壓是MOS管燒毀的首要元兇，常見(jiàn)于電源浪涌、感性負(fù)載關(guān)斷時(shí)的電壓尖峰。當(dāng)漏源電壓（VDS）超過(guò)額定耐壓時(shí)，雪崩擊穿瞬間產(chǎn)生焦耳熱，導(dǎo)致芯片局部熔融。例如，某共享充電寶主板的MOS管因未配置T

  MDD辰達(dá)半導(dǎo)體

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  03/03 14:12

  浪涌防護(hù) MOS管

  
• MOS管在不同電路中有什么作用

  MOS管，全稱金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor），是電子電路中非常重要的一種元件。它在不同電路中具有多種作用，以下是MOS管在不同電路中的具體作用： 一、作為開(kāi)關(guān) MOS管最常用的功能之一是作為電子開(kāi)關(guān)。在數(shù)字電路中，MOS管可以非?？焖俚卦趯?dǎo)通（ON）和截止（OFF）狀態(tài)之間切換，實(shí)現(xiàn)信號(hào)的邏輯控

  無(wú)錫迪仕科技

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  01/10 08:50

  MOS管
• 提升MOS管驅(qū)動(dòng)電路抗干擾性能

  不管什么電路，抗干擾能力都是它的一個(gè)重要指標(biāo)，對(duì)于MOS管驅(qū)動(dòng)電路更是如此。因?yàn)镸OS管不是工作在一個(gè)理想的沒(méi)有任何電磁干擾的環(huán)境，在一些電磁環(huán)境惡劣的條件下，如果我們的驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)的不盡合理，可能會(huì)出現(xiàn)MOS管誤打開(kāi)或者非受控關(guān)斷，輕則影響性能，重則會(huì)對(duì)用戶造成傷害。

  深圳其利天下技術(shù)開(kāi)發(fā)——無(wú)刷電機(jī)/伺服電機(jī)驅(qū)動(dòng)

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  2024/11/20

  MOS管 驅(qū)動(dòng)電路
• 三極管和MOS管有什么區(qū)別

  三極管和MOS管是電子電路中常見(jiàn)的兩種元器件，它們各自具有獨(dú)特的特點(diǎn)和用途。以下是三極管和MOS管的主要區(qū)別： 一、控制方式不同 三極管：是電流控制型器件。三極管的導(dǎo)通需要在其基極（b極）提供電流，才能使發(fā)射極（e極）和集電極（c極）之間導(dǎo)通。流過(guò)ce之間的電流與b極電流的關(guān)系是Ib*β=Ice，其中β稱為三極管的放大倍數(shù)。 MOS管：是電壓控制型器件。MOS管的導(dǎo)通需要提供一定的柵源電壓（Vgs

  無(wú)錫迪仕科技

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  2024/11/15

  三極管 MOS管

  
• 解鎖MOS管：溫度估算不再燒腦~

  溫度是影響MOSFET壽命的關(guān)鍵要素之一，為防止過(guò)熱導(dǎo)致的MOS失效，使用前進(jìn)行簡(jiǎn)單的溫度估算是必要的。MOS管發(fā)熱的主要原因是其工作過(guò)程中產(chǎn)生的各種損耗，能量不會(huì)憑空消失，損失的能量最終會(huì)通過(guò)轉(zhuǎn)變?yōu)闊崃勘幌牡?，損耗越大發(fā)熱量也隨之越大。在MOSFET開(kāi)啟的過(guò)程中隨著

  朱有鵬

  1.1萬(wàn)

  2024/08/08

  MOSFET MOS管

  
• 反激式電源為什么上電最容易燒MOS管？

  這篇文章總結(jié)一下最近在研究的反激電源RCD吸收回路和VDS尖峰問(wèn)題。這也是為什么MOS管在開(kāi)機(jī)容易被電壓應(yīng)力擊穿的原因。下圖是反激電源變壓器部分的拓?fù)洹?/div>

  大話硬件

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  2024/08/05

  MOS管 反激式電源

  
• 首屆“薩科微”杯廠BA籃球聯(lián)賽圓滿舉辦

  無(wú)籃球，不夏天！今年夏天，「首屆“薩科微”杯廠BA籃球聯(lián)賽」火熱開(kāi)場(chǎng)！本屆賽事是由德益會(huì)智造 SK廠BA籃球館承辦，Slkor薩科微半導(dǎo)體冠名贊助！自7月5日晚的開(kāi)幕式至7月16日晚的頒獎(jiǎng)閉幕式，這期間德益會(huì)智造隊(duì)等11支球隊(duì)奮力拼搏，秉持“友誼第一，比賽第二”的賽事精神，用汗水、激情和活力傾力奉獻(xiàn)了29場(chǎng)精彩紛呈、亮點(diǎn)不斷的賽事！Slkor薩科微總經(jīng)理宋仕強(qiáng)先生出席開(kāi)幕式，期間多次到場(chǎng)觀賽助戰(zhàn)，

  北斗專家宋仕強(qiáng)

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  2024/07/19

  元器件 MOS管

  
• MOS管的大信號(hào)模型和小信號(hào)模型--電路分析的基礎(chǔ)

  NMOS管，其電路模型可分為大信號(hào)模型和小信號(hào)模型。大信號(hào)模型，是一個(gè)完整的通用的模型，其對(duì)輸入交流信號(hào)沒(méi)有要求；而小信號(hào)模型，使用的前提，是輸入交流信號(hào)足夠的小。

  加油射頻工程師

  6萬(wàn)

  2024/07/17

  電路分析 MOS管
• 對(duì)標(biāo)學(xué)習(xí)世界級(jí)企業(yè) 薩科微Slkor半導(dǎo)體不斷微創(chuàng)新帶來(lái)大進(jìn)步！

  我國(guó)的科學(xué)研究和先進(jìn)技術(shù)，與先進(jìn)國(guó)家相比還有差距，這一點(diǎn)還體現(xiàn)在社會(huì)生產(chǎn)效率和人均GDP上面。宋仕強(qiáng)說(shuō)，我們只有抓住科技進(jìn)步的風(fēng)口如人工智能（AI），再加上公司內(nèi)部的研發(fā)和管理等環(huán)節(jié)的微創(chuàng)新，才可以立于不敗之地。深圳市薩科微半導(dǎo)體有限公司近年來(lái)發(fā)展迅速，憑借碳化硅、氮化鎵等新材料、功率器件設(shè)計(jì)加工環(huán)節(jié)的先進(jìn)工藝、高效管理和快速擴(kuò)大生產(chǎn)規(guī)模，不斷降低產(chǎn)品價(jià)格、提高市場(chǎng)的占有率，受到了世界各地客戶的認(rèn)

  北斗專家宋仕強(qiáng)

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  2024/06/05

  人工智能 氮化鎵

  
• AMEYA360：MOS管失效的六大原因

  功率器件在近幾年的市場(chǎng)方面發(fā)展的非?；鸨?，尤其是 MOS 管，他主要應(yīng)用在電源適配器，電池管理系統(tǒng)以及逆變器和電機(jī)控制系統(tǒng)中。而隨著計(jì)算器主板，AI 顯卡，服務(wù)器等行業(yè)的爆發(fā)，低壓功率 MOS 管將再次迎來(lái)爆發(fā)性的市場(chǎng)需求。

  AMEYA360

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  2024/04/24

  MOS管
• MOS管參數(shù)解析及國(guó)內(nèi)外大廠技術(shù)對(duì)比

  MOSFET的單位面積導(dǎo)通電阻和優(yōu)值系數(shù)(FOM)參數(shù)代表了MOSFET的性能，是各大MOSFET廠商產(chǎn)品參數(shù)展示的關(guān)鍵指標(biāo)，也是體現(xiàn)MOSFET芯片制造工藝核心技術(shù)能力的關(guān)鍵指標(biāo)。

  老虎說(shuō)芯

  6281

  2024/04/11

  MOSFET MOS管

  
• BMS 中的放電 MOS 是怎么燒毀的？

  大多數(shù)人想到的原因要么是自己選的 MOS 耐流能力不夠大，要么就是嫌自己并的不夠多，然而當(dāng)我們換了更大的 MOS 管，或者多并聯(lián)了幾個(gè)后，還是會(huì)出現(xiàn)燒毀的情況，真是捉摸不透啊。其實(shí)并不是我們選擇 MOS 有問(wèn)題，而是我們電路的設(shè)計(jì)上沒(méi)有注意 MOS 的微觀狀態(tài)，當(dāng)然一定的降額設(shè)計(jì)和良好的散熱是必不可少的。今天聊一下 BMS 中 MOS 管的過(guò)流損壞。我認(rèn)為半導(dǎo)體器件的損壞大體上可以分為三種：機(jī)械損壞，過(guò)流燒毀，過(guò)壓擊穿。

  軒哥談芯

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  2024/04/08

  MOS管 BMS系統(tǒng)

  
• 【六】BMS 的保護(hù)電路設(shè)計(jì)及 MOS 管選型

  BMS 系統(tǒng)中最主要的功能，當(dāng)為保護(hù)莫屬，無(wú)論是過(guò)壓欠壓保護(hù)，還是高溫低溫保護(hù)，亦或是過(guò)流及短路保護(hù)。這其中最考驗(yàn)電路設(shè)計(jì)的地方當(dāng)屬過(guò)流保護(hù)和短路保護(hù)，原因在于BMS 系統(tǒng)中溫度和電壓的突變幾乎是不可能的，而對(duì)于電流，是時(shí)常出現(xiàn)突變的。

  軒哥談芯

  1.3萬(wàn)

  2024/02/19

  MOS管 BMS系統(tǒng)

  
• 超結(jié)MOS/低壓MOS在5G基站電源上的應(yīng)用-REASUNOS瑞森半導(dǎo)體

  MOS管在5G電源上的應(yīng)用——PFC線路、Fly?back線路，推薦瑞森半導(dǎo)體超結(jié)MOS系列，同步整流線路推薦低壓SGT MOS系列。5G基站是5G網(wǎng)絡(luò)的核心設(shè)備，實(shí)現(xiàn)有線通信網(wǎng)絡(luò)與無(wú)線終端之間的無(wú)線信號(hào)傳輸，5G基站主要分為宏基站和小基站。5G基站由于通信設(shè)備功耗大，采用由電源插座、交直流配電、防雷器、整流模塊和監(jiān)控模塊組成的電氣柜。所以顧名思義，5G電源就是指5G通訊設(shè)備專用電源。

  REASUNOS瑞森半導(dǎo)體

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  2023/12/16

  5G基站 MOS管

  
• 碳化硅MOS管在三相逆變器上的應(yīng)用-REASUNOS瑞森半導(dǎo)體

  三相逆變器的定義是將直流電能轉(zhuǎn)換為交流電能的轉(zhuǎn)換器，其基本原理就是SPWM，硬件架構(gòu)為四個(gè)功率模塊組成單相、三相橋式電路，橋式輸出至負(fù)載間串接低通濾波元件，控制回路具有兩個(gè)信號(hào)產(chǎn)生源，一個(gè)是固定幅值的三角波（調(diào)制波）發(fā)生器，一個(gè)為正弦波發(fā)生器，利用三角波對(duì)正弦波進(jìn)行調(diào)制，就會(huì)得到占空比按照正弦規(guī)律變化的方波脈沖列，調(diào)制比不同，一個(gè)正弦周期脈沖列數(shù)等于調(diào)制波頻率除以基博頻率）。再用方波脈沖列去控制上述橋式電路，在輸出上就得到了符合要求的正弦電壓電流了。

  REASUNOS瑞森半導(dǎo)體

  1182

  2023/12/11

  半導(dǎo)體 MOS管

  

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