GaN

• 產(chǎn)能超25萬片！2個GaN項目加速推進(jìn)

  近日，“行家說三代半”發(fā)現(xiàn)，國內(nèi)新增2個GaN項目動態(tài)，分別涉及譽鴻錦、聯(lián)晶通半導(dǎo)體。據(jù)不完全統(tǒng)計，今年以來一共有13個GaN項目透露進(jìn)展，其中第二季度出現(xiàn)了6個，占比約50%：

  行家說三代半

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  06/13 15:08

  GaN

  
• 借助高集成度 TOLL 封裝 GaN 器件推動電源設(shè)計創(chuàng)新

  當(dāng)今的電源設(shè)計要求高效率和高功率密度。因此，設(shè)計人員將氮化鎵 (GaN) 器件用于各種電源轉(zhuǎn)換拓?fù)洹?GaN 可實現(xiàn)高頻開關(guān)，這樣可減小無源器件的尺寸，從而增加密度。與硅和碳化硅 (SiC) 之類的技術(shù)相比，GaN 還可降低開關(guān)、柵極驅(qū)動和反向恢復(fù)損耗，從而提高電源設(shè)計效率。 您可以使用 650V GaN FET 進(jìn)行 AC/DC 至 DC/DC 轉(zhuǎn)換，或使用 100V 或 200V GaN FE

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  673

  06/04 11:10

  SiC GaN

  
• 納芯微高壓半橋驅(qū)動NSD2622N：為E-mode GaN量身打造高可靠性、高集成度方案

  納芯微發(fā)布專為增強型GaN設(shè)計的高壓半橋驅(qū)動芯片NSD2622N，該芯片集成正負(fù)壓穩(wěn)壓電路，支持自舉供電，具備高dv/dt抗擾能力和強驅(qū)動能力，可以顯著簡化GaN驅(qū)動電路設(shè)計，提升系統(tǒng)可靠性并降低系統(tǒng)成本。 應(yīng)用背景 近年來，氮化鎵高電子遷移率晶體管(GaN HEMT)憑借高開關(guān)頻率、低開關(guān)損耗的顯著優(yōu)勢，能夠大幅提升電源系統(tǒng)的功率密度，明顯優(yōu)化能效表現(xiàn)，降低整體系統(tǒng)成本，在人工智能(AI)數(shù)據(jù)中

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  06/03 15:17

  GaN 納芯微

  
• 意法半導(dǎo)體推出針對消費類和工業(yè)電源轉(zhuǎn)換器和電機控制器

  意法半導(dǎo)體推出兩款高壓GaN半橋柵極驅(qū)動器，為開發(fā)者帶來更高的設(shè)計靈活性和更多的功能，提高目標(biāo)應(yīng)用的能效和魯棒性。STDRIVEG610 和 STDRIVEG611兩款新產(chǎn)品為電源轉(zhuǎn)換和電機控制設(shè)計人員提供兩種控制GaN功率器件的選擇，可以提高消費電子和工業(yè)應(yīng)用的能效、功率密度和魯棒性。 STDRIVEG610主打那些要求啟動時間300ns級別的柵極驅(qū)動應(yīng)用，啟動時間是LLC或ACF電源轉(zhuǎn)換拓?fù)涞?/div>

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  05/28 08:10

  意法半導(dǎo)體 GaN
• ROHM首款面向高耐壓GaN器件驅(qū)動的隔離型柵極驅(qū)動器IC開始量產(chǎn)

  全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都市）今日宣布，推出一款適用于600V級高耐壓GaN HEMT驅(qū)動的隔離型柵極驅(qū)動器IC“BM6GD11BFJ-LB”。通過與本產(chǎn)品組合使用，可使GaN器件在高頻、高速開關(guān)過程中實現(xiàn)更穩(wěn)定的驅(qū)動，有助于電機和服務(wù)器電源等大電流應(yīng)用進(jìn)一步縮減體積并提高效率。 新產(chǎn)品是ROHM首款面向高耐壓GaN HEMT的隔離型柵極驅(qū)動器IC。在電壓反復(fù)急劇升降的開關(guān)工作

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  05/27 09:47

  GaN ROHM

  
• 大聯(lián)大詮鼎集團推出基于立锜科技產(chǎn)品的140W電源適配器方案

  致力于亞太地區(qū)市場的國際領(lǐng)先半導(dǎo)體元器件分銷商---大聯(lián)大控股宣布，其旗下詮鼎推出基于立锜科技（Richtek）RT7333、RT7795、RT7220E芯片的140W電源適配器方案。 圖示1-大聯(lián)大詮鼎基于立锜科技產(chǎn)品的140W電源適配器方案的展示板圖 隨著游戲本、高性能創(chuàng)作本等高配電腦設(shè)備市場的蓬勃發(fā)展，電源適配器的需求也在不斷升級。一方面，消費者希望充電器能夠快速為設(shè)備補充電量，減少等待時間

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  05/20 17:49

  GaN 電源適配器

  
• Nexperia公布2024年業(yè)績表現(xiàn)穩(wěn)健，逆勢下市場前景積極向好

  安世半導(dǎo)體今日公布了2024財年財務(wù)業(yè)績。在宏觀經(jīng)濟持續(xù)不確定和市場周期性疲軟的背景下，公司展現(xiàn)出強大的抗風(fēng)險能力，通過強化執(zhí)行力和堅持創(chuàng)新投入，實現(xiàn)了營收穩(wěn)定并保持盈利。Nexperia在2024財年結(jié)束時總營收達(dá)到20.6億美元。在我們界定的市場范圍內(nèi)，市場份額從2023年的8.9%提升至9.7%。展望來年業(yè)績，得益于毛利率與現(xiàn)金流的持續(xù)改善，公司保持樂觀預(yù)期。此積極趨勢在2024年第四季度已

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  05/16 08:23

  SiC GaN

  
• 幾種基于Doherty結(jié)構(gòu)的GAN氮化鎵功放設(shè)計方法介紹

  功率放大器是現(xiàn)代無線通信系統(tǒng)中最重要的組件之一。理想情況下，它們能夠以高線性度和高效率提供高輸出功率。但通常在這三個關(guān)鍵的功率放大器性能參數(shù)之間需要進(jìn)行權(quán)衡取舍，而且具有最高輸出功率和線性度的放大器往往會犧牲效率。

  通信射頻老兵

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  05/07 13:06

  功率放大器 GaN

  
• GaN FET 在人形機器人中的應(yīng)用

  引言 人形機器人集成了許多子系統(tǒng)，包括伺服控制系統(tǒng)、電池管理系統(tǒng) (BMS)、傳感器系統(tǒng)、AI 系統(tǒng)控制等。如果要將這些系統(tǒng)集成到等同人類的體積內(nèi)，同時保持此復(fù)雜系統(tǒng)平穩(wěn)運行，會很難滿足尺寸和散熱要求。人形機器人內(nèi)空間受限最大的子系統(tǒng)是伺服控制系統(tǒng)。為了實現(xiàn)與人類相似的運動范圍，通常在整個機器人中部署大約 40 個伺服電機 (PMSM) 和控制系統(tǒng)。電機分布在機器人身體的不同部位，例如頸部、軀干、

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  04/29 08:44

  GaN 人形機器人

  
• 特斯拉專家訪談：GaN車載應(yīng)用已成趨勢

  2024年10月，特斯拉技術(shù)專家接受了國外咨詢機構(gòu)的調(diào)研，其深度解析了氮化鎵技術(shù)在汽車領(lǐng)域的應(yīng)用前景與挑戰(zhàn)，同時還對D-mode / E-mode/直驅(qū)/單片集成等技術(shù)路線以及氮化鎵主流玩家進(jìn)行了點評?！靶屑艺f三代半”對該訪談進(jìn)行了全文翻譯，由于整個采訪多達(dá)7000字，為此這篇訪談將分拆成2篇發(fā)布。

  行家說三代半

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  04/23 10:45

  GaN 車載應(yīng)用

  
• 人形機器人中的電機控制

  制造業(yè)和服務(wù)行業(yè)對更高自動化水平的需求不斷增長，推動了人形機器人的開發(fā)。人形機器人變得更加復(fù)雜和精確，自由度 (DOF) 變得更高，并且對周圍環(huán)境的響應(yīng)時間（按毫秒計）縮短，從而能更好地模人形類的動作。圖 1 展示了人形機器人的典型電機和運動功能。 圖 1. 顯示人形機器人 DOF 變得更高的位置 具有更高的 DOF 意味著人形機器人需要更多的電機驅(qū)動器。機器人設(shè)計中的驅(qū)動器位置決定了不同的驅(qū)動器

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  04/21 18:00

  GaN 電機控制

  
• 意法半導(dǎo)體披露公司全球計劃細(xì)節(jié),重塑制造布局和調(diào)整全球成本基數(shù)

  服務(wù)多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球排名前列的半導(dǎo)體公司意法半導(dǎo)體 (STMicroelectronics，簡稱ST；紐約證券交易所代碼:STM) 披露了全球制造布局重塑計劃細(xì)節(jié)，進(jìn)一步更新了公司此前發(fā)布的全球計劃。2024年10月，意法半導(dǎo)體發(fā)布了一項覆蓋全公司的計劃，擬進(jìn)一步增強企業(yè)的競爭力，鞏固公司全球半導(dǎo)體龍頭地位，利用公司的技術(shù)研發(fā)、產(chǎn)品設(shè)計、大規(guī)模制造等全球戰(zhàn)略資產(chǎn)，保障公司的垂直整合制造 (I

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  04/17 08:03

  意法半導(dǎo)體 GaN

  
• 面向數(shù)據(jù)中心需求，TI推出全新的eFuse和集成式 GaN 功率級

  在高效的配電系統(tǒng)中，而智能電子保險絲在其中發(fā)揮了重要作用。以往，工程師會采用分立式熱插拔控制器加上外部場效應(yīng)晶體管(FET)的傳統(tǒng)保護(hù)方案，然而這種方案下，由于漏電導(dǎo)通電阻(RDS (ON))、PCB 走線電阻和比較器閾值不匹配的問題，會給電子保險絲的傳統(tǒng)并聯(lián)運行帶來巨大挑戰(zhàn)，這些不匹配會導(dǎo)致電子保險絲之間的電流共享不均（某些電子保險絲承載的電流比其他電子保險絲多），且通常會導(dǎo)致各個電子保險絲過早跳閘，即使系統(tǒng)總電流低于跳閘閾值也是如此。因此，為了減少因這種誤跳閘帶來的系統(tǒng)關(guān)斷、運行效率低下等問題，這種分立方案的設(shè)計功率一般只能達(dá)到4kW。

  夏珍

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  04/10 14:41

  與非觀察 GaN

  
• 美媒熱炒：洛馬最新GaN雷達(dá)真能“鎖定”殲20？

  近日，一則軍事新聞引發(fā)國際關(guān)注：當(dāng)?shù)貢r間4月7日，美國軍工巨頭洛克希德·馬丁向美國空軍交付首套L波段的TPY-4氮化鎵（GaN）有源相控陣?yán)走_(dá)。據(jù)其發(fā)布的宣傳片宣稱，該型號AESA雷達(dá)能夠有效探測中國殲20等第五代隱形戰(zhàn)斗機。美國有線電視新聞網(wǎng)（CNN）等美媒也對此事大肆渲染，似乎在為美國的軍事優(yōu)勢搖旗吶喊。

  射頻學(xué)堂

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  04/10 08:45

  GaN 雷達(dá)
• 德州儀器推出新款電源管理芯片，可提高現(xiàn)代數(shù)據(jù)中心的保護(hù)級別、功率密度和效率水平

  德州儀器 (TI)（納斯達(dá)克股票代碼：TXN）于今日推出新款電源管理芯片，以滿足現(xiàn)代數(shù)據(jù)中心快速增長的電源需求。隨著高性能計算和人工智能 (AI) 的采用率越來越高，數(shù)據(jù)中心需要更高功率密度和更高效的解決方案。德州儀器發(fā)布的新款 TPS1685 是具有電源路徑保護(hù)的 48V 集成式熱插拔電子保險絲，可幫助客戶滿足數(shù)據(jù)中心硬件和處理需求。為了簡化數(shù)據(jù)中心設(shè)計，德州儀器還推出了采用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn) TOLL

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  1004

  04/09 07:20

  GaN 德州儀器

  
• 淺析GAN氮化鎵功放在5G中的作用

  對功率放大器（PA）進(jìn)行恰當(dāng)?shù)拈_發(fā)、驗證和特性分析十分重要，因為功率放大器通常在發(fā)射設(shè)備的功耗中占很大比例。在大多數(shù)芯片組和組件中，硅已被證明是一種可靠、經(jīng)濟高效且易于制造的材料。然而，隨著世界越來越朝著數(shù)字化、互聯(lián)互通且以設(shè)備為主導(dǎo)的生態(tài)系統(tǒng)發(fā)展，對更高性能、更高吞吐量和更高效率的需求也在增加。

  通信射頻老兵

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  03/31 11:00

  5G 功率放大器

  
• 英飛凌高管專訪：詳解GaN/SiC/AI/機器人布局與中國本土化發(fā)展！

  今年3月中旬，英飛凌在深圳召開了?“2025?英飛凌消費、計算與通訊創(chuàng)新大會”。期間，英飛凌科技全球高級副總裁及大中華區(qū)總裁、英飛凌科技消費、計算與通訊業(yè)務(wù)大中華區(qū)負(fù)責(zé)人潘大偉，英飛凌科技副總裁、英飛凌科技消費、計算與通訊業(yè)務(wù)大中華區(qū)市場營銷負(fù)責(zé)人劉偉接受了包括芯智訊的專訪，介紹了英飛凌在氮化鎵、碳化硅、AI、機器人等領(lǐng)域的布局，以及英飛凌的在中國的本土化發(fā)展。

  芯智訊

  873

  03/31 10:50

  AI SiC

  
• 馬自達(dá)與羅姆開始聯(lián)合開發(fā)采用下一代半導(dǎo)體的汽車零部件

  Mazda Motor Corporation（以下簡稱“馬自達(dá)”）與ROHM Co., Ltd.（以下簡稱“羅姆”）開始聯(lián)合開發(fā)采用下一代半導(dǎo)體技術(shù)——氮化鎵（GaN）功率半導(dǎo)體的汽車零部件。 （左）馬自達(dá)董事、專務(wù)執(zhí)行官兼CTO 廣瀨一郎／（右）羅姆董事、專務(wù)執(zhí)行官 東克己 馬自達(dá)與羅姆自2022年起，在“針對電驅(qū)動單元的開發(fā)與生產(chǎn)合作體系”中，一直在推進(jìn)搭載碳化硅（SiC）功率半導(dǎo)體的逆變器

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  03/28 08:56

  電動汽車 GaN

  
• 良率超99%！國產(chǎn)8英寸GaN迎來新突破

  近日，九峰山實驗室科研團隊在全球首次實現(xiàn)8英寸硅基氮極性氮化鎵高電子遷移率材料的制備，在高頻、高功率器件等領(lǐng)域，有望為前沿技術(shù)發(fā)展及產(chǎn)業(yè)化落地提供有力支撐：

  行家說三代半

  1216

  03/25 08:30

  GaN 氮化鎵

  
• GaN新技術(shù)！英諾賽科、納微、英飛凌等放大招

  近期，英諾賽科、納微半導(dǎo)體、英飛凌等企業(yè)公布了單片集成、雙向開關(guān)等氮化鎵產(chǎn)品&平臺，在產(chǎn)品成本、性能等方面實現(xiàn)了新的突破：

  行家說三代半

  930

  03/21 09:30

  GaN 氮化鎵

  

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