GaN

• 淺析GAN氮化鎵功放在5G中的作用

  對(duì)功率放大器（PA）進(jìn)行恰當(dāng)?shù)拈_發(fā)、驗(yàn)證和特性分析十分重要，因?yàn)楣β史糯笃魍ǔＴ诎l(fā)射設(shè)備的功耗中占很大比例。在大多數(shù)芯片組和組件中，硅已被證明是一種可靠、經(jīng)濟(jì)高效且易于制造的材料。然而，隨著世界越來越朝著數(shù)字化、互聯(lián)互通且以設(shè)備為主導(dǎo)的生態(tài)系統(tǒng)發(fā)展，對(duì)更高性能、更高吞吐量和更高效率的需求也在增加。

  通信射頻老兵

  250

  03/31 11:00

  5G 功率放大器

  
• 英飛凌高管專訪：詳解GaN/SiC/AI/機(jī)器人布局與中國本土化發(fā)展！

  今年3月中旬，英飛凌在深圳召開了?“2025?英飛凌消費(fèi)、計(jì)算與通訊創(chuàng)新大會(huì)”。期間，英飛凌科技全球高級(jí)副總裁及大中華區(qū)總裁、英飛凌科技消費(fèi)、計(jì)算與通訊業(yè)務(wù)大中華區(qū)負(fù)責(zé)人潘大偉，英飛凌科技副總裁、英飛凌科技消費(fèi)、計(jì)算與通訊業(yè)務(wù)大中華區(qū)市場營銷負(fù)責(zé)人劉偉接受了包括芯智訊的專訪，介紹了英飛凌在氮化鎵、碳化硅、AI、機(jī)器人等領(lǐng)域的布局，以及英飛凌的在中國的本土化發(fā)展。

  芯智訊

  363

  03/31 10:50

  AI SiC

  
• 馬自達(dá)與羅姆開始聯(lián)合開發(fā)采用下一代半導(dǎo)體的汽車零部件

  Mazda Motor Corporation（以下簡稱“馬自達(dá)”）與ROHM Co., Ltd.（以下簡稱“羅姆”）開始聯(lián)合開發(fā)采用下一代半導(dǎo)體技術(shù)——氮化鎵（GaN）功率半導(dǎo)體的汽車零部件。 （左）馬自達(dá)董事、專務(wù)執(zhí)行官兼CTO 廣瀨一郎／（右）羅姆董事、專務(wù)執(zhí)行官 東克己 馬自達(dá)與羅姆自2022年起，在“針對(duì)電驅(qū)動(dòng)單元的開發(fā)與生產(chǎn)合作體系”中，一直在推進(jìn)搭載碳化硅（SiC）功率半導(dǎo)體的逆變器

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  421

  03/28 08:56

  電動(dòng)汽車 GaN

  
• 良率超99%！國產(chǎn)8英寸GaN迎來新突破

  近日，九峰山實(shí)驗(yàn)室科研團(tuán)隊(duì)在全球首次實(shí)現(xiàn)8英寸硅基氮極性氮化鎵高電子遷移率材料的制備，在高頻、高功率器件等領(lǐng)域，有望為前沿技術(shù)發(fā)展及產(chǎn)業(yè)化落地提供有力支撐：

  行家說三代半

  509

  03/25 08:30

  GaN 氮化鎵

  
• GaN新技術(shù)！英諾賽科、納微、英飛凌等放大招

  近期，英諾賽科、納微半導(dǎo)體、英飛凌等企業(yè)公布了單片集成、雙向開關(guān)等氮化鎵產(chǎn)品&平臺(tái)，在產(chǎn)品成本、性能等方面實(shí)現(xiàn)了新的突破：

  行家說三代半

  674

  03/21 09:30

  GaN 氮化鎵

  
• 開關(guān)模式電源開始采用GaN開關(guān)

  作者：Frederik Dostal，電源管理專家 摘要 在開關(guān)模式電源中使用GaN開關(guān)是一種相對(duì)較新的技術(shù)。這種技術(shù)有望提供更高效率、更高功率密度的電源。本文討論了該技術(shù)的準(zhǔn)備情況，提到了所面臨的挑戰(zhàn)，并展望了GaN作為硅的替代方案在開關(guān)模式電源中的未來前景。 如今，電源管理設(shè)計(jì)工程師常常會(huì)問道： 現(xiàn)在應(yīng)該從硅基功率開關(guān)轉(zhuǎn)向GaN開關(guān)了嗎？ 氮化鎵(GaN)技術(shù)相比傳統(tǒng)硅基MOSFET有許多優(yōu)勢

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  537

  03/19 10:33

  ADI GaN

  
• 華潤微發(fā)力，GaN項(xiàng)目5月將投產(chǎn)

  3月18日，據(jù)海創(chuàng)集團(tuán)官微發(fā)布消息，由海創(chuàng)集團(tuán)與潤新微電子公司共同投資建設(shè)的潤新微電子外延片生產(chǎn)基地項(xiàng)目已經(jīng)復(fù)工建設(shè)。

  行家說三代半

  677

  03/19 09:50

  GaN 華潤微電子

  
• 合計(jì)超5億元！4家GaN企業(yè)獲得融資

  近期，國內(nèi)外GaN產(chǎn)業(yè)融資加速，又有4家企業(yè)獲得融資，其中包括氮矽科技、Emtar、CGD、佛蒙特州科技中心。2月18日，據(jù)外媒EE NEWS報(bào)道，劍橋 GaN Devices (CGD) 已完成 3200 萬美元（約2.3億元人民幣）的 C 輪融資。該項(xiàng)投資由戰(zhàn)略投資者領(lǐng)投，英國耐心資本參與。

  行家說三代半

  696

  03/12 08:37

  GaN

  
• CGD發(fā)佈突破性100kW+技術(shù)，推動(dòng)氮化鎵（GaN）進(jìn)軍超100億美元電動(dòng)汽車逆變器市場

  無晶圓廠環(huán)?？萍及雽?dǎo)體公司Cambridge GaN Devices (CGD)專注於開發(fā)高能效氮化鎵（GaN）功率器件，致力於簡化綠色電子產(chǎn)品的設(shè)計(jì)和實(shí)施。近日，CGD進(jìn)一步公佈了關(guān)於ICeGaN? GaN 技術(shù)解決方案的詳情，該方案將助力公司進(jìn)軍功率超過100kW的電動(dòng)汽車動(dòng)力總成應(yīng)用市場，這一市場規(guī)模預(yù)計(jì)超過100億美元。Combo ICeGaN?通過將智慧ICeGaN HEMT IC與IG

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  584

  03/12 08:17

  SiC GaN

  
• 無晶圓廠環(huán)?？萍及雽?dǎo)體公司CGD獲3,200萬美元融資，推動(dòng)全球功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè) 成長

  無晶圓廠環(huán)?？萍及雽?dǎo)體公司Cambridge GaN Devices (CGD)近期成功完成3,200萬美元的C輪融資。本輪融資由策略投資者領(lǐng)投，英國長期資本（British Patient Capital）參投，並獲得現(xiàn)有投資方Parkwalk、BGF、Cambridge Innovation Capital（CIC）、Foresight Group和IQ Capital的大力支持。 氮化鎵（G

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  401

  03/12 08:17

  SiC GaN

  
• 5G時(shí)代的功率放大器革新：揭秘氮化鎵GAN如何引領(lǐng)高效通信

  為推動(dòng)全國5G部署的大規(guī)模MIMO（多輸入多輸出）技術(shù)。雖然毫米波頻率應(yīng)用的潛力最終將得到實(shí)現(xiàn)，但在未來幾年內(nèi)，5G服務(wù)將主要通過Sub-6GHz（6GHz以下）頻段傳輸?shù)男盘?hào)來定義。為了實(shí)現(xiàn)這一點(diǎn)，下一代基站解決方案需要在射頻前端（RFFE）性能上進(jìn)行顯著提升。

  通信射頻老兵

  923

  03/11 09:23

  功率放大器 GaN

  
• CGD 官宣突破100KW以上技術(shù)，推動(dòng)GAN挺進(jìn)超100億美元的電動(dòng)汽車逆變器市場

  無晶圓廠環(huán)保科技半導(dǎo)體公司 Cambridge GaN Devices（CGD）開發(fā)了一系列高能效氮化鎵（GaN）功率器件，使更加環(huán)保的電子產(chǎn)品非常易于設(shè)計(jì)和運(yùn)行。CGD今日推出的 Combo ICeGaN? 解決方案使 CGD 利用其 ICeGaN? 氮化鎵（GaN）技術(shù)滿足100kW 以上的電動(dòng)汽車動(dòng)力系統(tǒng)應(yīng)用，該市場超過100億美元。Combo ICeGaN?將智能 ICeGaN HEMT

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  03/11 08:37

  GaN IGBT

  
• GaN車規(guī)應(yīng)用提速，比亞迪、廣汽埃安布局

  3月2日，比亞迪、大疆共同發(fā)布了智能車載無人機(jī)系統(tǒng)——靈鳶，作為全球首款高度集成的車載無人機(jī)系統(tǒng)，靈鳶系統(tǒng)具有換電版和快充版兩個(gè)版本，其中快充版售價(jià)為16000元。

  行家說三代半

  862

  03/06 08:47

  GaN

  
• 新增3個(gè)GaN項(xiàng)目：國內(nèi)全產(chǎn)業(yè)鏈布局加速

  近期，國內(nèi)新增3個(gè)GaN項(xiàng)目動(dòng)態(tài)，覆蓋“襯底-外延-芯片-模組”四大環(huán)節(jié)：2月25日，據(jù)“德清組工”官微透露，“中大功率氮化鎵芯片及其模組”總部項(xiàng)目已落戶浙江市德清縣，其主體為湖州鎵奧科技有限公司。

  行家說三代半

  2079

  02/27 08:50

  GaN

  
• 羅姆的EcoGaN?被村田制作所Murata Power Solutions的AI服務(wù)器電源采用

  全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM Co., Ltd.（以下簡稱“羅姆”）的650V耐壓、TOLL封裝的EcoGaN?產(chǎn)品GaN HEMT，被先進(jìn)的日本電子元器件、電池和電源制造商村田制作所Murata Power Solutions的AI（人工智能）服務(wù)器電源采用。羅姆的GaN HEMT具有低損耗工作和高速開關(guān)性能，助力Murata Power Solutions的AI服務(wù)器5.5kW輸出電源單元實(shí)現(xiàn)

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  647

  02/25 08:28

  GaN IoT

  
• 鎵未來：GaN增長態(tài)勢明顯，重點(diǎn)布局三大領(lǐng)域

  回顧2024年，碳化硅和氮化鎵行業(yè)在多個(gè)領(lǐng)域取得了顯著進(jìn)步，并經(jīng)歷了重要的變化。展望2025年，行業(yè)也將面臨新的機(jī)遇和挑戰(zhàn)。為了更好地解讀產(chǎn)業(yè)格局，探索未來的前進(jìn)方向，行家說三代半與行家極光獎(jiǎng)聯(lián)合策劃了《第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)-行家瞭望2025》專題報(bào)道。

  行家說三代半

  754

  02/24 11:15

  數(shù)據(jù)中心 GaN
• 英飛凌達(dá)成200mm碳化硅(SiC)新里程碑：開始交付首批產(chǎn)品

  英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）在200 mm SiC產(chǎn)品路線圖上取得重大進(jìn)展。公司將于2025年第一季度向客戶提供首批基于先進(jìn)的200 mm SiC技術(shù)的產(chǎn)品。這些產(chǎn)品在位于奧地利菲拉赫的生產(chǎn)基地制造，將為高壓應(yīng)用領(lǐng)域提供先進(jìn)的SiC功率技術(shù)，包括可再生能源系統(tǒng)、鐵路運(yùn)輸和電動(dòng)汽車等。此外，英飛凌位于馬來西亞居林的生產(chǎn)基地正在從150 mm晶圓向直徑更大、

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  643

  02/18 17:56

  SiC 英飛凌

  
• 新微半導(dǎo)體：深耕GaN功率半導(dǎo)體，迎接多重機(jī)遇與挑戰(zhàn)

  回顧2024年，碳化硅和氮化鎵行業(yè)在多個(gè)領(lǐng)域取得了顯著進(jìn)步，并經(jīng)歷了重要的變化。展望2025年，行業(yè)也將面臨新的機(jī)遇和挑戰(zhàn)。為了更好地解讀產(chǎn)業(yè)格局，探索未來的前進(jìn)方向，行家說三代半與行家極光獎(jiǎng)聯(lián)合策劃了《第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)-行家瞭望2025》專題報(bào)道。本期嘉賓是新微半導(dǎo)體研發(fā)高級(jí)經(jīng)理雷嘉成。

  行家說三代半

  1065

  02/18 09:10

  GaN 功率半導(dǎo)體

  
• 總投資超5億！2個(gè)GaN項(xiàng)目加速推進(jìn)

  步入2025年，氮化鎵領(lǐng)域迎來新動(dòng)態(tài)，“行家說三代半”最新獲悉，國內(nèi)外有兩大氮化鎵項(xiàng)目取得重要進(jìn)展。2日15日，據(jù)“鹿泉融媒”透露，河北博威集成電路有限公司的氮化鎵微波產(chǎn)品精密制造生產(chǎn)線正在進(jìn)行基坑施工，預(yù)計(jì)2025年底竣工。

  行家說三代半

  586

  02/18 08:55

  GaN 氮化鎵

  
• AMEYA360代理：羅姆650V耐壓GaN HEMT新增小型、高散熱TOLL封裝

  全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM(總部位于日本京都市)已將TOLL(TO-LeadLess)封裝的650V耐壓GaN HEMT*1“GNP2070TD-Z”投入量產(chǎn)。TOLL封裝不僅體積小，散熱性能出色，還具有優(yōu)異的電流容量和開關(guān)特性，因此在工業(yè)設(shè)備、車載設(shè)備以及需要支持大功率的應(yīng)用領(lǐng)域被越來越多地采用。此次，ROHM將封裝工序外包給了作為半導(dǎo)體后道工序供應(yīng)商(OSAT)擁有豐富業(yè)績的日月新半導(dǎo)體(威

  AMEYA360

  559

  02/17 07:14

  GaN 封裝

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