2nm,要來了
在半導(dǎo)體制造中,2nm工藝是繼3nm工藝節(jié)點之后的下一個MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)芯片微縮技術(shù)?!?nm”或“20?!保ㄓ⑻貭柺褂玫男g(shù)語)與晶體管的任何實際物理特征(例如柵極長度、金屬間距或柵極間距)無關(guān)。根據(jù)電氣和電子工程師協(xié)會(IEEE)發(fā)布的2021 年更新的《國際設(shè)備和系統(tǒng)路線圖》中的預(yù)測,“2.1 nm節(jié)點范圍標簽”預(yù)計接觸柵極間距為 45 nm,最緊密金屬間距為 20 nm。