2nm工藝

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  • 2nm工藝大考倒計(jì)時(shí)
    臺(tái)積電近期表示，2nm工藝技術(shù)進(jìn)展良好，將如期在今年下半年量產(chǎn)，產(chǎn)能在今年年底前有望達(dá)到5萬片，甚至有機(jī)會(huì)邁上8萬片臺(tái)階。
    2nm工藝大考倒計(jì)時(shí)
  • 2025年2納米晶圓廠全力加速建設(shè)
    ChatGPT之后，DeepSeek橫空出世，助力AI大模型持續(xù)升溫。AI驅(qū)動(dòng)之下，先進(jìn)制程芯片需求持續(xù)高漲。當(dāng)前3納米芯片已經(jīng)實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，為滿足未來市場(chǎng)對(duì)更先進(jìn)制程芯片的需求，多家廠商積極布局2納米晶圓廠，且目標(biāo)2025年量產(chǎn)/試產(chǎn)。隨著目標(biāo)時(shí)間臨近，2納米晶圓廠建設(shè)進(jìn)入全力加速階段。
    2025年2納米晶圓廠全力加速建設(shè)
  • 2nm，要來了
    在半導(dǎo)體制造中，2nm工藝是繼3nm工藝節(jié)點(diǎn)之后的下一個(gè)MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）芯片微縮技術(shù)?！?nm”或“20?！保ㄓ⑻貭柺褂玫男g(shù)語）與晶體管的任何實(shí)際物理特征（例如柵極長(zhǎng)度、金屬間距或柵極間距）無關(guān)。根據(jù)電氣和電子工程師協(xié)會(huì)(IEEE)發(fā)布的2021 年更新的《國(guó)際設(shè)備和系統(tǒng)路線圖》中的預(yù)測(cè)，“2.1 nm節(jié)點(diǎn)范圍標(biāo)簽”預(yù)計(jì)接觸柵極間距為 45 nm，最緊密金屬間距為 20 nm。
    2nm，要來了
  • 良率超預(yù)期 臺(tái)積電2nm工藝產(chǎn)量年內(nèi)提至5萬片
    數(shù)年前，位于中國(guó)臺(tái)灣新竹科學(xué)園區(qū)的臺(tái)積電寶山工廠的建設(shè)正式啟動(dòng)，旨在滿足市場(chǎng)對(duì)先進(jìn)半導(dǎo)體技術(shù)的迫切需求。該工廠主要承擔(dān)2nm及更先進(jìn)制程工藝的生產(chǎn)任務(wù)，計(jì)劃分階段建設(shè)多個(gè)晶圓廠（如P1至P4），以逐步擴(kuò)大2nm工藝的產(chǎn)能。
    良率超預(yù)期 臺(tái)積電2nm工藝產(chǎn)量年內(nèi)提至5萬片
  • 進(jìn)程提前半年，臺(tái)積電2nm上線倒計(jì)時(shí)
    11月26日，臺(tái)積電在高雄的2nm新廠舉行設(shè)備進(jìn)機(jī)典禮。原本高雄工廠的計(jì)劃是在2025年中期引進(jìn)設(shè)備，年底進(jìn)行生產(chǎn)。受益于需求高漲，臺(tái)積電高雄工廠的時(shí)間線整整提前了半年，這也把全球2nm制造的時(shí)間表向前推進(jìn)了一步。
    進(jìn)程提前半年，臺(tái)積電2nm上線倒計(jì)時(shí)