封裝

加入交流群
掃碼加入
獲取工程師必備禮包
參與熱點資訊討論

封裝,Package,是把集成電路裝配為芯片最終產品的過程,簡單地說,就是把鑄造廠生產出來的集成電路裸片(Die)放在一塊起到承載作用的基板上,把管腳引出來,然后固定包裝成為一個整體。作為動詞,“封裝”強調的是安放、固定、密封、引線的過程和動作;作為名詞,“封裝”主要關注封裝的形式、類別,基底和外殼、引線的材料,強調其保護芯片、增強電熱性能、方便整機裝配的重要作用。

封裝,Package,是把集成電路裝配為芯片最終產品的過程,簡單地說,就是把鑄造廠生產出來的集成電路裸片(Die)放在一塊起到承載作用的基板上,把管腳引出來,然后固定包裝成為一個整體。作為動詞,“封裝”強調的是安放、固定、密封、引線的過程和動作;作為名詞,“封裝”主要關注封裝的形式、類別,基底和外殼、引線的材料,強調其保護芯片、增強電熱性能、方便整機裝配的重要作用。收起

查看更多

電路方案

查看更多

設計資料

查看更多
  • Nexperia推出采用行業(yè)領先頂部散熱型封裝X.PAK的1200 V SiC MOSFET
    Nexperia正式推出一系列性能高效、穩(wěn)定可靠的工業(yè)級1200 V碳化硅(SiC) MOSFET。該系列器件在溫度穩(wěn)定性方面表現(xiàn)出色,采用創(chuàng)新的表面貼裝 (SMD) 頂部散熱封裝技術X.PAK。X.PAK封裝外形緊湊,尺寸僅為14 mm ×18.5 mm,巧妙融合了SMD技術在封裝環(huán)節(jié)的便捷優(yōu)勢以及通孔技術的高效散熱能力,確保優(yōu)異的散熱效果。此次新品發(fā)布精準滿足了眾多高功率(工業(yè))應用領域對分立
    Nexperia推出采用行業(yè)領先頂部散熱型封裝X.PAK的1200 V SiC MOSFET
  • 如何選擇合適的MDD整流二極管封裝?DIP、SMA、DO-41各有何優(yōu)劣?
    在電子設計中,MDD整流二極管的封裝選擇直接影響電路的性能、可靠性和成本。某工業(yè)電源項目因封裝選型不當,導致整流二極管溫升超標,最終引發(fā)批量失效。MDD本文通過對比DIP、SMA、DO-41等常見封裝,為工程師提供選型指南。 一、封裝選型的核心考量因素 功率耗散能力 封裝熱阻(RθJA)決定散熱性能,影響最大工作電流。 案例:TO-220封裝的1N5408可承受3A電流,而DO-41封裝的1N40
    如何選擇合適的MDD整流二極管封裝?DIP、SMA、DO-41各有何優(yōu)劣?
  • 英飛凌推出CoolSiC肖特基二極管2000 V的TO-247-2封裝, 在提升效率的同時簡化設計
    目前,許多工業(yè)應用正朝著更高功率水平、且功率損耗最小化的方向發(fā)展,實現(xiàn)這一目標的方法之一是提高直流母線電壓。針對這一市場趨勢,全球功率系統(tǒng)和領域的半導體領導者英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼:IFNNY)于 2024年9月推出CoolSiC?肖特基二極管2000 V G5產品系列,這是首款擊穿電壓達到2000 V的碳化硅二極管分立器件。該產品系列目前擴展到TO-247-2
    英飛凌推出CoolSiC肖特基二極管2000 V的TO-247-2封裝,  在提升效率的同時簡化設計
  • 劃片機在Micro-LED芯片封裝中的應用與技術革新
    隨著Micro-LED顯示技術向更小尺寸、更高集成度發(fā)展,其制造工藝對精密度和效率的要求日益嚴苛。劃片機作為半導體制造中的關鍵設備,在Micro-LED芯片封裝中扮演著核心角色。本文結合行業(yè)動態(tài)與技術進展,探討劃片機在Micro-LED領域的應用現(xiàn)狀及未來趨勢。 一、Micro-LED封裝的核心挑戰(zhàn)與劃片機的技術定位. Micro-LED芯片的特征尺寸通常在100微米以下,甚至達到0.1-10微米
    劃片機在Micro-LED芯片封裝中的應用與技術革新
  • AMEYA360代理:羅姆650V耐壓GaN HEMT新增小型、高散熱TOLL封裝
    全球知名半導體制造商ROHM(總部位于日本京都市)已將TOLL(TO-LeadLess)封裝的650V耐壓GaN HEMT*1“GNP2070TD-Z”投入量產。TOLL封裝不僅體積小,散熱性能出色,還具有優(yōu)異的電流容量和開關特性,因此在工業(yè)設備、車載設備以及需要支持大功率的應用領域被越來越多地采用。此次,ROHM將封裝工序外包給了作為半導體后道工序供應商(OSAT)擁有豐富業(yè)績的日月新半導體(威
    542
    02/17 07:14