存儲市場

• AI時代存儲廠商拒絕“躺平”，時創(chuàng)意入駐“芯坐標”邁向新征程

  在復雜國際形勢以及AI算力需求爆發(fā)式增長的背景下，全球存儲市場風云激蕩。一方面，存儲器市場價格呈現(xiàn)波動。今年一季度DRAM與NAND Flash合約價雙雙下跌。第二季度，為應對市場不確定性，存儲器市場交易動能強勁，采購端積極提高DRAM與NAND Flash庫存水位，帶動第二季存儲器合約價上漲，TrendForce集邦咨詢預估一般型DRAM合約價將上漲5~10%，NAND Flash合約價將上漲3~8%。

  全球半導體觀察

  621

  06/09 13:35

  存儲市場 存儲廠商

  
• 新AI內(nèi)存：英偉達押注，比肩HBM

  在算力需求指數(shù)級增長的今天，存儲技術(shù)正經(jīng)歷著從"被動容器"到"主動參與者"的范式轉(zhuǎn)變。SOCAMM的誕生，標志著內(nèi)存模塊首次實現(xiàn)了對計算需求的動態(tài)響應能力。其同步架構(gòu)通過統(tǒng)一時鐘信號實現(xiàn)數(shù)據(jù)傳輸?shù)木珳示幣牛瑢捥嵘羵鹘y(tǒng)DDR5的2.5倍，而適應性調(diào)節(jié)機制則讓模塊在低負載時自動進入節(jié)能模式，功耗僅為同類產(chǎn)品的三分之一。這種"智能節(jié)流"特性，使得SOCAMM在AI訓練場景中能根據(jù)模型復雜度實時調(diào)整資源分配，避免了傳統(tǒng)內(nèi)存"大馬拉小車"的效率損耗。

  半導體產(chǎn)業(yè)縱橫

  1503

  05/26 09:15

  HBM 內(nèi)存

  
• 存儲芯片市場新一輪漲價潮來襲

  近期，存儲芯片市場迎來了新一輪的漲價潮，多家存儲頭部企業(yè)紛紛宣布提高部分產(chǎn)品報價。國內(nèi)存儲企業(yè)也緊跟步伐，紛紛上調(diào)提貨價格。在1個月之前，業(yè)界還普遍預估存儲芯片價格有望在今年6月份或7月份啟動上漲，如今上漲提前到來，存儲市場是否進入了復蘇期？

  中國電子報

  3972

  05/20 10:12

  存儲芯片 存儲市場

  

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