用更多產品選擇響應積極反饋

摘要
UnitedSiC第四代750V SiC FET現在以不同價格提供更多導通電阻選擇，以便靈活應用于各種應用。

博客
反饋是好東西，控件工程師希望獲得負反饋以及適當的增益和相位裕度，而商家希望獲得積極反饋，例如客戶希望750V級別的UnitedSiC第四代SiC FET中能有更多產品選擇。UnitedSiC的18毫歐和60毫歐器件是市場上的領軍產品，但是對有些應用而言，電阻更低的零件和更高的介值是更好的選擇。具體情況取決于應用和預算：一個導通電阻極低的高端SiC FET占據的空間極小，需要的組裝工作非常少，而成本較低的零件并聯能得到相同的導通電阻，而且通常同樣有效，尤其是在有散熱空間時。不過，這需要器件并聯，并需要更多設計工作。

第四代SiC FET系列中的產品變得更豐富
為了實現這種靈活性，UnitedSiC提供了導通電阻為23、33和44毫歐的更多第四代750V SiC FET，以及6、9和11毫歐的零件，這是在已經推出的18和60毫歐器件基礎上的巨大進步?，F在，客戶可以“混合并匹配”器件，為他們的特殊熱條件和運行條件選出最佳的價格和性能組合，也許可以根據應用需求增加或減少零件的并聯，以便在各種設計中更多地使用成本更低的零件，從而享受大量采購時的價格。

并聯SiC FET十分簡單。由于柵極驅動功率非常低，并聯帶來的功率增加通常都無關緊要。由于器件的導通電阻的正溫度系數，器件會自然而言地分擔電流，而且還有另外的相關優(yōu)勢，例如，與一個9毫歐器件相比，兩個18毫歐器件并聯可以降低總導電損耗。這是因為與單個器件相比，兩個器件每個都流過一半電流，一共只消耗一半功率，而且每個器件的升溫也較低，而且導通電阻上升也相應較低。自然而然，可靠性也因結溫較低而有所提高，讓已經很大的SiC余量最大值進一步擴大。網頁版的UnitedSiC FET-Jet計算器現已推出第2版，可用于查看任何數量的并聯SiC FET在各種應用和運行條件中的效果，并提供其部分實際損耗和升溫數據。

第四代SiC FET依然領先于同類
該系列的新增產品與老產品一樣具有優(yōu)秀的性能表征，并有先進的第四代制造特征，例如晶圓減薄以降低基片導電損耗，采用銀燒結晶粒連接方式以實現極低的結殼熱阻，還有隨之而來的低運行結溫。這些零件采用TO-247 3引腳封裝，并新增了在需要采用源極開爾文連接時用的4引腳封裝。圖1總結了與SiC MOSFET相比，新的750V SiC FET處于何種位置，而且不要忘了，SiC MOSFET的額定值只有650V。

圖1：競爭情景中的UnitedSiC 750V SiC FET系列新增產品

UnitedSiC 750V SiC FET系列擁有了更多可供靈活選擇的零件，這意味著它們可以用于許多應用中。憑借汽車行業(yè)的AEC-Q101資質，它們可用于牽引逆變器、車載和非車載充電器、直流轉換器和無線充電中，與650V額定值的零件相比，它們能提高效率和電壓裕度。現在提供的極低導通電阻在交流和直流固態(tài)斷路器應用中也十分有價值，在這些應用中，低導電損耗對于提高效率和減小體積十分重要。通常，在工業(yè)和IT功率轉換產品中，第四代SiC FET還能提高軟硬開關拓撲的性能。

因此，不要拒絕反饋。根據您的需要，UnitedSiC優(yōu)化了環(huán)路補償，以提供快速響應，而且還將提供更多產品選擇。