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2014 年 6 月，國務(wù)院印發(fā)《國家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展推進(jìn)綱要》?！毒V要》部署充分發(fā)揮國內(nèi)市場優(yōu)勢，營造良好發(fā)展環(huán)境，激發(fā)企業(yè)活力和創(chuàng)造力，帶動產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同可持續(xù)發(fā)展，加快追趕和超越的步伐，努力實現(xiàn)集成電路產(chǎn)業(yè)跨越式發(fā)展。
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《綱要》的主要任務(wù)和發(fā)展重點是：著力發(fā)展集成電路設(shè)計業(yè)；加速發(fā)展集成電路制造業(yè)；提升先進(jìn)封裝測試業(yè)發(fā)展水平；突破集成電路關(guān)鍵裝備和材料。
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在《綱要》的推動下，國內(nèi)各大城市紛紛全面布署集成電路產(chǎn)業(yè)，并紛紛制定各種集成電路產(chǎn)業(yè)扶持政策。各地政策中都有專門條款針對流片進(jìn)行支持。
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芯思想研究院對我國 32 個城市的集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展支持政策進(jìn)行了整理和分析，除了濟(jì)南外，其他 31 個城市的集成電路多項目晶圓（MPW）和全掩模流片（Full Mask）給予一定比例的資金支持。
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1、北京
2016 年 12 月北京中關(guān)村國家自主創(chuàng)新示范區(qū)出臺政策對多項目晶圓（MPW）和全掩模流片進(jìn)行支持。
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支持集成電路設(shè)計企業(yè)加大新產(chǎn)品研發(fā)力度。重點支持集成電路設(shè)計企業(yè)流片和掩模版制作。對開展工程產(chǎn)品首輪流片的集成電路設(shè)計企業(yè)，按照該款產(chǎn)品首輪流片合同金額的 20%或掩模板制作合同金額的 20%予以研發(fā)資金支持。且合同須已執(zhí)行。
單一企業(yè)年度支持總額最高不超過 200 萬元。
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2、上海
2017 年 11 月上海市出臺政策對多項目晶圓（MPW）和全掩模流片進(jìn)行支持。
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對經(jīng)過全掩模流片，以及首次與本市集成電路制造企業(yè)簽訂流片合同，利用其生產(chǎn)線實現(xiàn)線寬在 45 納米及以下工程產(chǎn)品流片的設(shè)計企業(yè)，給予不超過產(chǎn)品流片費用（流片費包括：IP 授權(quán)費、掩模版費、測試化驗加工費）的 30%的資金支持。
單一企業(yè)年度支持總額最高不超過 1500 萬元。
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3、天津
3.1 濱海新區(qū)
2014 年 2 月天津濱海新區(qū)出臺政策對多項目晶圓（MPW）和全掩模流片進(jìn)行支持。
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對集成電路設(shè)計企業(yè)使用本市代工企業(yè)進(jìn)行 IP 驗證、研發(fā)流片等的給予合同額 10%的資金支持。
單一企業(yè)年度支持總額最高不超過 100 萬元。
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3.2 西青區(qū)?
2019 年 1 月天津西青區(qū)出臺政策對多項目晶圓（MPW）和全掩模流片進(jìn)行支持。
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對集成電路設(shè)計企業(yè)參加多項目晶圓項目，按照直接費用的 80%給予支持；對設(shè)計企業(yè)掩模制作費用，按照直接費用的 40%給予支持；對設(shè)計企業(yè)工程片、試流片加工費用的 40%給予支持。三項支持合計計算。
單一企業(yè)年度支持總額最高不超過 600 萬元。
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4、重慶
2018 年 8 月重慶市出臺政策對多項目晶圓（MPW）和全掩模流片進(jìn)行支持。
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對使用多項目晶圓流片進(jìn)行研發(fā)的企業(yè)，按照多項目晶圓（MPW）流片費 50%的比例給予資金支持。
單一企業(yè)年度支持總額最高不超過 100 萬元。
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對實際到位投資 2000 萬元以上的集成電路設(shè)計企業(yè)，按照其每款產(chǎn)品完成首次全掩模工程流片費用 50%的比例給予資金支持（流片費包括：IP 授權(quán)費、掩模版費、測試化驗加工費）。
單一企業(yè)年度支持總額最高不超過 1000 萬元。
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同時，還對晶圓制造企業(yè)給予支持。對集成電路制造企業(yè)開放產(chǎn)能為企業(yè)代工流片的，按照每片（折合 8 英寸片）100 元的標(biāo)準(zhǔn)給予資金支持。
單一企業(yè)年度支持總額最高不超過 1000 萬元。（將有利于華潤微電子重慶）
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5、南京?
2016 年 3 月南京市出臺政策對多項目晶圓（MPW）和全掩模流片進(jìn)行支持
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對集成電路設(shè)計企業(yè)開展的符合一定條件的工程產(chǎn)品首輪流片，按照該款產(chǎn)品掩模版制作費用的 60%或首輪流片費用的 30%支持。
單一企業(yè)年度支持總額最高不超過 100 萬元。
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5.1 浦口區(qū)
2019 年 3 月南京浦口區(qū)出臺政策對多項目晶圓（MPW）和全掩模流片進(jìn)行支持。
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對于首次完成全掩模工程產(chǎn)品流片或開展多項目晶圓首輪流片的集成電路設(shè)計企業(yè)，疊加市級獎補(bǔ)給予直接費用最高不超過 60%的支持；對再次完成全掩模工程產(chǎn)品流片的，給予直接費用最高不超過 50%的支持。
單一企業(yè)年度支持總額最高不超過 600 萬元。
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6、無錫?
2018 年 2 月無錫出臺政策對多項目晶圓（MPW）和全掩模流片進(jìn)行支持。
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對擁有自主知識產(chǎn)權(quán)，且對工藝制程達(dá)到一定節(jié)點的產(chǎn)品進(jìn)行工程流片（含 MPW）的設(shè)計企業(yè)，擇優(yōu)最高按照該款產(chǎn)品首輪流片（含 IP 授權(quán)、掩模制版）費用的 40%給予支持；對在本地生產(chǎn)企業(yè)掩模流片的，擇優(yōu)最高按首輪流片費用的 60%給予支持。
工藝制程為 45nm 以上的，單一企業(yè)年度支持總額最高不超過 300 萬元。
工藝制程達(dá)到 45nm 及以下的，單一企業(yè)年度支持總額最高不超過 600 萬元。
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7、蘇州?
2019 年蘇州工業(yè)園區(qū)出臺政策對多項目晶圓（MPW）和全掩模流片進(jìn)行支持。
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對集成電路設(shè)計企業(yè)擁有自主知識產(chǎn)權(quán)的產(chǎn)品進(jìn)行首輪流片（MPW 或工程流片）產(chǎn)生的費用，給予最高 50%的支持。
單一企業(yè)年度支持總額最高不超過 300 萬元。
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對注冊在園區(qū)的集成電路制造、封裝測試等企業(yè)，為園區(qū)集成電路設(shè)計企業(yè)提供流片、封裝、測試服務(wù)的，給予實際服務(wù)金額 10%的支持。
單一企業(yè)年度支持總額最高不超過 100 萬元。（將有利于和艦芯片制造、晶方半導(dǎo)體）
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8、昆山?
2018 年 6 月昆山市出臺政策對多項目晶圓（MPW）和全掩模流片進(jìn)行支持。
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對 IC 設(shè)計企業(yè)開展的符合一定條件的工程產(chǎn)品首輪流片，按該產(chǎn)品掩模制版費用的 60%或首輪流片費用的 30%給予支持。
單一產(chǎn)品年度支持總額最高不超過 200 萬元；單一企業(yè)年度支持總額最高不超過 500 萬元。
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9、南通?
2017 年 11 月南通港閘區(qū)出臺政策對多項目晶圓（MPW）和全掩模流片進(jìn)行支持。
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對集成電路設(shè)計企業(yè)用于研發(fā)的多項目晶圓（MPW），可享受多項目晶圓（MPW）直接費用 70%的支持、工程片試流片加工費 40%的支持。
單一企業(yè)年度支持總額最高不超過 300 萬元，連續(xù)支持 3 年。
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10、常州
2019 年 5 月常州武進(jìn)區(qū)出臺政策對多項目晶圓（MPW）和全掩模流片進(jìn)行支持。
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對工程流片（含 MPW）的設(shè)計企業(yè)，最高按照該款產(chǎn)品首輪流片（含 IP 授權(quán)、掩模制版）費用的 50%給予支持。
工藝制程 40nm 以上產(chǎn)品支持總額不超過 300 萬元，工藝制程達(dá)到 40nm-28nm（不含 28nm）產(chǎn)品支持總額不超過 500 萬元，工藝制程達(dá)到 28nm 及以下產(chǎn)品支持總額不超過 800 萬元。
單一企業(yè)年度支持總額最高不超過 1000 萬元。
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11、杭州
2018 年 7 月杭州市出臺政策對多項目晶圓（MPW）和全掩模流片進(jìn)行支持。
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對進(jìn)行重點支持領(lǐng)域工程產(chǎn)品流片的集成電路企業(yè)，給予其該款產(chǎn)品掩模版制作費用的 50%或首輪流片費用的 30%的支持。
單一企業(yè)年度支持總額最高不超過 300 萬元。
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11.1 杭州高新區(qū)
2019 年 11 月杭州高新區(qū)出臺政策對多項目晶圓（MPW）和全掩模流片進(jìn)行支持。
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對進(jìn)行重點支持領(lǐng)域工程產(chǎn)品流片的集成電路企業(yè)，給予其該款產(chǎn)品掩模版制作費用的 50%或首輪流片費用的 30%的支持。
單一企業(yè)年度支持總額最高不超過 600 萬元。
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12、寧波
2019 年 2 月寧波高新區(qū)出臺政策對多項目晶圓（MPW）和全掩模流片進(jìn)行支持。
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對區(qū)內(nèi)集成電路設(shè)計、制造企業(yè)進(jìn)行工程流片的費用，按照當(dāng)年實際發(fā)生額給予 50%的支持。
單一企業(yè)年度支持總額最高不超過 200 萬元。
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13、紹興
2018 年紹興越城區(qū)出臺政策對多項目晶圓（MPW）和全掩模流片進(jìn)行支持。
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對在本區(qū)集成電路生產(chǎn)企業(yè)進(jìn)行重點支持領(lǐng)域的工程產(chǎn)品流片的設(shè)計企業(yè)，按該款產(chǎn)品掩模版制作費用的 60%或者首輪流片費用的 30%給予研發(fā)支持。
單一企業(yè)年度支持總額最高不超過 300 萬元。
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14、海寧
2018 年 6 月海寧市出臺政策對多項目晶圓（MPW）和全掩模流片進(jìn)行支持。
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鼓勵集成電路設(shè)計企業(yè)開展符合一定條件的工程產(chǎn)品首輪流片，按照該款產(chǎn)品掩模版制作費用的 60%或首輪流片費用的 30%給予支持。
最高不超過 200 萬元研發(fā)支持。
單一產(chǎn)品年度支持總額最高不超過 200 萬元；同一企業(yè)每年支持上限為 500 萬元。
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15、青島
2019 年 2 月青島紅島經(jīng)濟(jì)區(qū)出臺政策對多項目晶圓（MPW）和全掩模流片進(jìn)行支持。
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對注冊在紅島的獨立法人公司或商及稅務(wù)注冊地遷至紅島經(jīng)濟(jì)區(qū)的公司，按照產(chǎn)品掩模版制作費用的 60%或首輪流片費用的 40%給予支持。
單一企業(yè)年度支持總額最高不超過 150 萬元，連續(xù)支持 3 年。
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16、合肥
2018 年 4 月合肥市出臺政策對多項目晶圓（MPW）和全掩模流片進(jìn)行支持。
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集成電路設(shè)計企業(yè)參加 MPW 項目（多項目晶圓項目，含單企業(yè) MPW），同一設(shè)計型號首輪流片、再次流片分別按 50%、30%給予支持。
單一企業(yè)年度支持總額最高不超過 300 萬元。
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企業(yè)進(jìn)行工程流片，按照工程型號產(chǎn)品掩模版制作費用或首輪流片費用的 30%給予支持。
單一企業(yè)年度支持總額最高不超過 500 萬元。
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16.1 合肥高新區(qū)
2018 年 8 月合肥高新區(qū)出臺政策對多項目晶圓（MPW）和全掩模流片進(jìn)行支持。
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對集成電路設(shè)計企業(yè)產(chǎn)品流片（含掩模版等）費用的 30%及從第三方購買 IP（含 Foundry 的 IP 模塊）費用的 30%予以支持。
單一企業(yè)年度支持總額最高不超過 500 萬元。
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17、蕪湖
2019 年 7 月蕪湖市出臺政策對多項目晶圓（MPW）和全掩模流片進(jìn)行支持。
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微電子設(shè)計企業(yè)參與研發(fā)的多項目晶圓（MPW），可享受最高不超過 MPW 直接費用 70%（高?；蚩蒲性核?MPW 直接費用 80%）、工程片試流片加工費 30%的支持。
單一企業(yè)年度支持總額最高不超過 200 萬元。
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本地微電子設(shè)計企業(yè)利用本地芯片生產(chǎn)線流片，按首次工程流片費用（含 IP 授權(quán)或購置、掩模版制作、流片等）的 40%給予支持。（蕪湖本地芯片生產(chǎn)線在哪里）
單一企業(yè)年度支持總額最高不超過 500 萬元。
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18、廣州
2018 年 9 月廣州黃埔區(qū)出臺政策對多項目晶圓（MPW）和全掩模流片進(jìn)行支持。
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企業(yè)研發(fā)多項目晶圓（MPW）流片的，按直接費用的 80%給予支持；企業(yè)購買光罩、研發(fā)全掩模（Full Mask）流片的，按直接費用的 40%給予支持；企業(yè)研發(fā)工程片、試流片的，按加工費用的 30%給予支持。
單一企業(yè)年度支持總額最高不超過 600 萬元。
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19、深圳
2019 年 4 月深圳市出臺政策對多項目晶圓（MPW）和全掩模流片進(jìn)行支持。
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對于使用多項目晶圓進(jìn)行研發(fā)的設(shè)計企業(yè)，給予多項目晶圓直接流片費用最高 70%的支持。
單一企業(yè)年度支持總額最高不超過 300 萬元。
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對于首次完成全掩模工程產(chǎn)品流片的企業(yè)，給予流片費用最高 50%的支持。
單一企業(yè)年度支持總額最高不超過 500 萬元。
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19.1 坪山區(qū)
2019 年 5 月坪山區(qū)出臺政策對多項目晶圓（MPW）和全掩模流片進(jìn)行支持。
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對集成電路設(shè)計企業(yè)參加多項目晶圓（MPW）項目，按多項目晶圓（MPW）直接費用的 80%進(jìn)行支持；高校或科研院所參加多項目晶圓（MPW）項目的，按多項目晶圓（MPW）直接費用的 90%進(jìn)行支持。
單一企業(yè)年度支持總額最高不超過 200 萬元。
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對利用坪山區(qū)晶圓制造企業(yè)開展多項目晶圓（MPW）的集成電路設(shè)計企業(yè)，按多項目晶圓（MPW）直接費用的 80%進(jìn)行支持；對利用坪山區(qū)晶圓制造企業(yè)開展多項目晶圓（MPW）的高?；蚩蒲性核?，按多項目晶圓（MPW）直接費用的 90%進(jìn)行支持。
單一企業(yè)年度支持總額最高不超過 400 萬元的資助。（有利于中芯國際深圳）
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對集成電路設(shè)計企業(yè)首次工程流片進(jìn)行資助，按首次工程流片費用（含 IP 授權(quán)或購置、掩模版制作、流片等）的 30%進(jìn)行支持。
單一企業(yè)年度支持總額最高不超過 300 萬元。
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對利用坪山區(qū)企業(yè)集成電路生產(chǎn)線流片的，按首次流片費用的 60%進(jìn)行支持。
單一企業(yè)年度支持總額最高不超過 600 萬元。（有利于中芯國際深圳）
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19.2 龍崗區(qū)
2019 年 7 月龍崗區(qū)出臺政策對多項目晶圓（MPW）和全掩模流片進(jìn)行支持。
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給予不超過上一年多項目晶圓（MPW）流片（含掩模版）實際發(fā)生金額、單個項目最高 100 萬元扶持，單一企業(yè)年度支持總額最高不超過 300 萬元。
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于完成小于 90nm 全掩模（Full Mask）工程產(chǎn)品流片的項目，給予不超過流片費用（含掩模版），其中，工藝制程小于 90nm、大于 45nm（不含）的，單個項目最高扶持 50 萬元，小于 45nm、大于 28nm（不含）的，單個項目最高扶持 200 萬元，小于 28nm 的，單個項目最高扶持 300 萬元；同一項目只扶持 1 次。
單一企業(yè)年度支持總額最高不超過 500 萬元。
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20、珠海
2019 年 1 月珠海高新區(qū)出臺政策對多項目晶圓（MPW）和全掩模流片進(jìn)行支持。
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集成電路設(shè)計企業(yè)在參加多項目晶圓（MPW）、工程片試流片階段，市財政對企業(yè)多項目晶圓（MPW）直接費用給予最高 70%的支持，區(qū)財政再給予 10%的支持；市財政對企業(yè)首次工程片流片加工費（含 IP 授權(quán)或購置、掩模版制作、流片等）給予最高 30%的支持，區(qū)財政再給予 20%的支持。
單一企業(yè)年度支持總額最高不超過 600 萬元（其中區(qū)財政不超過 200 萬元）。
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21、東莞
2017 年 12 月東莞松山湖高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開發(fā)區(qū)出臺政策對多項目晶圓（MPW）和全掩模流片進(jìn)行支持。
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購買多項目晶圓（MPW）項目費用，給予 50%的支持。
單一企業(yè)年度支持總額最高不超過 100 萬元。
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購買光罩（MASK）費用，給予 30%的支持。
單一企業(yè)年度支持總額最高不超過 150 萬元。
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22、福州?
2017 年 9 月福州高新區(qū)出臺政策對多項目晶圓（MPW）和全掩模流片進(jìn)行支持。
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對 IC 設(shè)計企業(yè)參加多項目晶圓（MPW）項目，采用 180nm 以上工藝，給予 MPW 直接費用 40%支持；采用 180nm 及以下工藝，給予 MPW 直接費用 45%；對企業(yè)在本地代工廠采用 90nm 及以下工藝，給予 MPW 直接費用 50%支持；成立不足 3 年的企業(yè)申請首件 MPW 支持，最高給予 MPW 直接費用 80%支持。（實在不知福州本地代工廠有 90nm 及以下工藝）
單一企業(yè)年度支持總額最高不超過 100 萬元。
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23、廈門
2016 年 6 月廈門市出臺政策對多項目晶圓（MPW）和全掩模流片進(jìn)行支持。2018 年 10 月進(jìn)行了修訂、增補(bǔ)。
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用于研發(fā)的集成電路企業(yè)多項目晶圓（MPW），按照不高于多項目晶圓（MPW）直接費用 70%進(jìn)行資助，針對硅 CMOS 工藝最小線寬≤55nm、GaAs MMIC 工藝最小線寬≤250nm 等兩類先進(jìn)工藝，按照不高于多項目晶圓（MPW）直接費用 80%進(jìn)行資助；用于研發(fā)的集成電路企業(yè)工程片試流片按照不高于其加工費 30%進(jìn)行資助，針對硅 CMOS 工藝最小線寬≤55nm、GaAs MMIC 工藝最小線寬≤250nm 等兩類先進(jìn)工藝，工程片試流片按照不高于其加工費 40%進(jìn)行支持。
單一企業(yè)年度支持總額最高不超過 200 萬元。
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同時政策規(guī)定，本地集成電路企業(yè)利用本地集成電路生產(chǎn)線流片，按首次工程流片費用（含 IP 授權(quán)或購置、掩模版制作、流片等）的 40%給予支持。
單一企業(yè)年度支持總額最高不超過 500 萬元。
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23.1 廈門海滄區(qū)
2017 年 6 月 22 日廈門海滄區(qū)出臺政策對多項目晶圓（MPW）和全掩模流片進(jìn)行支持。
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利用廈門集成電路生產(chǎn)線流片，按首次工程流片費用（含 IP 授權(quán)或購置、掩模版制作、流片等）的 50%給予支持。
單一企業(yè)年度支持總額最高不超過 600 萬元。
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24、泉州
2018 年 8 月泉州市出臺政策對多項目晶圓（MPW）和全掩模流片進(jìn)行支持。
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按 MPW 直接費用的 80%給予支持；企業(yè)參加工程流片項目，對同一流片項目工程流片費用給予 50%支持。
單一企業(yè)年度支持總額最高不超過 200 萬元。
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25、晉江
2016 年 10 月晉江市出臺政策對多項目晶圓（MPW）和全掩模流片進(jìn)行支持，2019 年 5 月對政策進(jìn)行了修訂、增補(bǔ)，于 2019 年 6 發(fā)布修訂版。
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對采用多項目晶圓技術(shù)的集成電路設(shè)計企業(yè)，按 MPW 直接費用的 80%（高?；蚩蒲性核?90%）給予支持。
單一企業(yè)年度支持總額最高不超過 400 萬元。
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對采用全掩模工程片流片的，按照其每款產(chǎn)品首次工程流片費用（掩模版費及流片加工費）的 30%給予支持。
單一企業(yè)年度支持總額最高不超過 400 萬元。
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對利用晉華集成電路生產(chǎn)線流片的企業(yè)，按首次工程流片費用（含 IP 授權(quán)或購置費、掩模版費及流片加工費等）的 40%給予支持。
單一企業(yè)年度支持總額最高不超過 500 萬元。
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26、莆田
2018 年 12 月莆田市出臺政策對多項目晶圓（MPW）和全掩模流片進(jìn)行支持。
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對集成電路設(shè)計企業(yè)，按照 MPW 流片費用 80%支持。
單一企業(yè)年度支持總額最高不超過 200 萬元。
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對集成電路設(shè)計企業(yè)，首輪工程流片按照流片費用的 50%支持。
單一企業(yè)年度支持總額最高不超過 200 萬元。
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27、武漢
2019 年 8 月武漢東湖新技術(shù)開發(fā)區(qū)出臺政策對多項目晶圓（MPW）和全掩模流片進(jìn)行支持。
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對進(jìn)行工程產(chǎn)品流片的集成電路企業(yè)，按照掩模版制作費用的 50%或首輪流片費用的 30%給予支持。
單一企業(yè)年度支持總額最高不超過 500 萬元。
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28、長沙
2019 年 9 月 20 日長沙市出臺政策對多項目晶圓（MPW）和首輪流片進(jìn)行支持。
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對企業(yè)的多項目晶圓（MPW）試流片、全掩模（Full Mask）工程產(chǎn)品首次流片、購買 IP 核費用，給予實際發(fā)生額的 60%、50%、50%的支持。
單一企業(yè)年度支持總額最高不超過 500 萬元。
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29、成都
2018 年 3 月成都市出臺政策對多項目晶圓（MPW）和全掩模流片進(jìn)行支持 .
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對于首次完成全掩膜（Full Mask）工程產(chǎn)品流片的企業(yè)，給予流片費用最高 10%、年度總額不超過 500 萬元的補(bǔ)貼；對于進(jìn)行化合物半導(dǎo)體全掩膜首輪驗證性流片的企業(yè)，給予流片費用最高 50%、年度總額不超過 500 萬元的補(bǔ)貼；對于使用多項目晶圓（MPW）流片進(jìn)行研發(fā)的企業(yè)（單位），給予 MPW 直接費用最高 40%、年度總額不超過 100 萬元的補(bǔ)貼。
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2018 年 6 月發(fā)布政策實施細(xì)則。
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對于使用多項目晶圓（MPW）流片進(jìn)行研發(fā)的企業(yè)，給予多項目晶圓（MPW）直接費用最高 40%的支持。
單一企業(yè)年度支持總額最高不超過 100 萬元。
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本市 IC 設(shè)計企業(yè)工程產(chǎn)品在本市企業(yè)完成首輪全掩模（Full Mask）工程產(chǎn)品流片，達(dá)到可以提供給集成電路系統(tǒng)整機(jī)廠商的芯片示范應(yīng)用水準(zhǔn)，首輪流片費用累計在 4000 萬元以上（含 4000 萬元），給予 IC 設(shè)計企業(yè)流片費用 10%的支持；首輪流片費用累計在 2000 萬元以上但小于 4000 萬元（含 2000 萬元、不含 4000 萬元），給予 IC 設(shè)計企業(yè)流片費用 7%的支持；首輪流片費用累計小于 2000 萬元（不含 2000 萬），給予 IC 設(shè)計企業(yè)流片費用 5%的支持。
單一企業(yè)年度支持總額最高不超過 500 萬元。
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非本市 IC 設(shè)計企業(yè)工程產(chǎn)品委托本市集成電路制造企業(yè)完成首輪全掩模（Full Mask）工程產(chǎn)品流片，達(dá)到可以提供給集成電路系統(tǒng)整機(jī)廠商的芯片示范應(yīng)用水準(zhǔn)，給予本地集成電路制造企業(yè)代工的流片費用 2%的支持。
單一企業(yè)年度支持總額最高不超過 200 萬元。
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本市 IC 設(shè)計企業(yè)委托非本市集成電路制造企業(yè)完成首輪全掩模（Full Mask）工程產(chǎn)品流片，達(dá)到可以提供給集成電路系統(tǒng)整機(jī)廠商的芯片示范應(yīng)用水準(zhǔn)，給予 IC 設(shè)計企業(yè)流片費用總額 1.5%的支持。
單一企業(yè)年度支持總額最高不超過 50 萬元。
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對于提供化合物半導(dǎo)體全掩模首輪驗證性無償試流片的本市代工企業(yè)，首輪流片成本費用累計在 900 萬元以上（含 900 萬元），給予代工企業(yè)流片成本費用 50%的支持；首輪流片成本費用累計 300 萬元以上、小于 900 萬元（含 300 萬元，不含 900 萬元），給予代工企業(yè)流片成本費用 20%的支持；首輪流片成本費用小于 300 萬元（不含 300 萬元），給予代工企業(yè)流片成本費用 10%的支持。
單一企業(yè)年度支持總額最高不超過 500 萬元。
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對于在本市進(jìn)行化合物半導(dǎo)體全掩模首輪驗證性有償試流片的本市 IC 設(shè)計企業(yè)，首輪流片費用累計在 1000 萬元以上（含 1000 萬元），給予 IC 設(shè)計企業(yè)流片費用 10%的支持；首輪流片費用累計在 500 萬元以上、小于 1000 萬元（含 500 萬元、不含 1000 萬元），給予 IC 設(shè)計企業(yè)流片費用 7%的支持；首輪流片費用累計小于 500 萬元（不含 500 萬元），給予 IC 設(shè)計企業(yè)流片費用 5%的支持。
單一企業(yè)年度支持總額最高不超過 200 萬元。
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30、貴陽
2016 年 5 月貴陽市出臺政策對多項目晶圓（MPW）和全掩模流片進(jìn)行支持。
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對開展工程產(chǎn)品首輪流片的集成電路設(shè)計企業(yè)，按照該款產(chǎn)品掩模版制作費用的 20%或首輪流片費用的 20%予以資金支持。
單一企業(yè)年度支持總額最高不超過 200 萬元。
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31、西安
2018 年 2 月西安國家自主創(chuàng)新示范區(qū)出臺政策對多項目晶圓（MPW）和全掩模流片進(jìn)行支持。
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對于集成電路產(chǎn)品設(shè)計企業(yè)，按照企業(yè)初次流片實際費用的 50%予以支持。
單一企業(yè)年度支持總額最高不超過 50 萬元。
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分析：
1、對工藝有明確要求，以提升本地設(shè)計工藝技術(shù)。上海明確規(guī)定支持的是 45 納米及以下工藝，由于 45 納米及以下費用較高，所以支持額度高達(dá) 1500 萬元。無錫對工藝也有明確規(guī)定，如工藝制程為 45 納米以上的，單一企業(yè)年度支持總額最高不超過 300 萬元；而工藝制程達(dá)到 45nm 及以下的，單一企業(yè)年度支持總額最高不超過 600 萬元。廈門則針對硅 CMOS 工藝最小線寬≤55nm、GaAs MMIC 工藝最小線寬≤250nm 等兩類先進(jìn)工藝，給予更大支持。而常州對工藝要求更甚。工藝制程 40nm 以上產(chǎn)品支持總額不超過 300 萬元，工藝制程達(dá)到 40nm-28nm（不含 28nm）產(chǎn)品支持總額不超過 500 萬元，工藝制程達(dá)到 28nm 及以下產(chǎn)品支持總額不超過 800 萬元，單一企業(yè)年度支持總額最高不超過 1000 萬元。
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2、在流片支持條款中明確要支持本地晶圓制造企業(yè)。上海、重慶、蘇州、蕪湖、深圳、晉江、成都都規(guī)定對利用本地晶圓制造企業(yè)開展多項目晶圓（MPW）和全掩膜流片給予更大支持，這對中芯國際、華虹集團(tuán)、華潤微電子重慶、和艦芯片制造、晉華集成、海威華芯是利好，也將極大促進(jìn)當(dāng)?shù)刂圃炱髽I(yè)的發(fā)展。
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3、大部分城市的流片補(bǔ)貼只是流于形式，為了招商工作而寫，多是給出一個補(bǔ)貼比例和最高補(bǔ)貼限額，無外乎就是比哪個城市支持的金額更大，而對工藝等沒有具體要求，造成魚龍混雜，對真正進(jìn)行高端先進(jìn) IC 設(shè)計的公司不利。
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如果一個城市招商，只是靠政策恐怕不會長遠(yuǎn)；一個企業(yè)落戶只是看補(bǔ)貼，估計這種企業(yè)也不會長久。
注：多項目晶圓（Multi Project Wafer，簡稱 MPW）：就是將多種具有相同工藝的集成電路設(shè)計放在同一個硅圓片上、在同一生產(chǎn)線上流片，制造完成后，每個設(shè)計項目可以得到數(shù)十片芯片樣品，這一數(shù)量足夠用于設(shè)計開發(fā)階段的實驗、測試。而實驗費用就由所有參加多項目晶圓的項目按照各自所占的芯片面積分?jǐn)?，極大地降低了產(chǎn)品開發(fā)風(fēng)險。這就很象我們都想吃巧克力，但是我們沒有必要每個人都去買一盒，可以只買來一盒分著吃，然后按照各人吃了多少付錢。多項目晶圓提高了設(shè)計效率，降低了開發(fā)成本，為設(shè)計人員提供了實踐機(jī)會，并促進(jìn)了集成電路設(shè)計成果轉(zhuǎn)化，對 IC 設(shè)計人才的培訓(xùn)，及新產(chǎn)品的開發(fā)研制均有相當(dāng)?shù)拇龠M(jìn)作用。
