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據(jù)可靠業(yè)內(nèi)人士透露，臺積電南京廠已向中微半導(dǎo)體設(shè)備（上海）股份有限公司下單采購?10 臺 5nm 介質(zhì)刻蝕機，這些設(shè)備預(yù)計于 2026 年第一季度正式交付。
作為全球最大的晶圓代工廠商，臺積電在芯片制造領(lǐng)域一直處于行業(yè)領(lǐng)先地位，對設(shè)備供應(yīng)商的技術(shù)實力、產(chǎn)品質(zhì)量與穩(wěn)定性有著極為嚴苛的要求。中微公司此次能夠成功打入臺積電 5nm 制程供應(yīng)鏈，背后是多年來持續(xù)不斷的技術(shù)創(chuàng)新與研發(fā)投入。早在 2018 年底，中微公司就對外透露，其自主研發(fā)的 5nm 等離子體刻蝕機已通過臺積電驗證，性能優(yōu)良。歷經(jīng)數(shù)年打磨，如今正式獲得訂單，彰顯了中微在該領(lǐng)域技術(shù)的成熟與可靠。
刻蝕設(shè)備是芯片制造過程中的關(guān)鍵裝備之一，其作用如同微觀世界里的 “雕刻師”，負責(zé)在芯片上精準地刻蝕出復(fù)雜的電路結(jié)構(gòu)。隨著芯片制程工藝不斷向更小尺寸邁進，對刻蝕設(shè)備的精度、效率以及工藝控制能力等提出了近乎苛刻的要求。5nm 制程代表著當前芯片制造的最先進水平，能夠生產(chǎn)出性能更強大、功耗更低的芯片產(chǎn)品，廣泛應(yīng)用于高性能計算、人工智能、5G 通信等前沿科技領(lǐng)域。
中微公司的 5nm 刻蝕設(shè)備具備諸多技術(shù)優(yōu)勢。在工藝可調(diào)性與穩(wěn)定性方面表現(xiàn)卓越，能夠滿足先進制程對復(fù)雜工藝步驟的嚴格要求；其配備的可切換雙低頻射頻源、優(yōu)化的氣流分布和溫控系統(tǒng)，有效提升了刻蝕過程的均勻性與精準度；擁有自主知識產(chǎn)權(quán)涂層技術(shù)的抗腐蝕反應(yīng)倉，不僅增強了設(shè)備的耐用性，還具備一體整合的除膠能力及表面電荷減除能力；自主研發(fā)的四區(qū)動態(tài)靜電吸盤，可對每一制程步驟獨立進行控溫，進一步確保了更高的刻蝕均勻度與刻蝕選擇比，從而極大地提高了生產(chǎn)效率，降低了生產(chǎn)成本。
多年來，其憑借深厚的技術(shù)積累和創(chuàng)新精神，在刻蝕設(shè)備領(lǐng)域不斷突破。從 65nm 等離子介質(zhì)蝕刻機開始，逐步攻克 45nm、32nm、28nm、16nm、10nm、7nm 等關(guān)鍵制程技術(shù)，每一次技術(shù)跨越都凝聚著研發(fā)團隊的智慧與心血。如今 5nm 刻蝕設(shè)備獲得臺積電訂單，更是證明了中微在全球半導(dǎo)體設(shè)備競爭格局中已占據(jù)重要一席。
關(guān)于南京臺積電：
臺積電（南京）有限公司，是臺積電在大陸的重要布局，于 2016 年登記成立，總投資約 30 億美元，是臺商在大陸投資單體總量最大的項目之一。
該工廠位于南京江北新區(qū)，建設(shè)效率驚人，14 個月建成廠房，6 個月產(chǎn)出首片晶圓，創(chuàng)造了臺積電成立 32 年來的多項紀錄。2018 年 10 月 31 日正式量產(chǎn)，以 12nm 及 16nm 制程技術(shù)為主，是大陸首座實現(xiàn) 12nm 制程量產(chǎn)的 12 英寸晶圓廠，大幅提升了大陸本地晶圓代工水平。
面對全球芯片結(jié)構(gòu)性需求增長，尤其是車用芯片短缺引發(fā)的供應(yīng)難題，2021 年臺積電董事會批準資本預(yù)算，在南京廠利用現(xiàn)有廠房，快速構(gòu)建月產(chǎn) 4 萬片的 28nm 產(chǎn)能。新產(chǎn)能于 2022 年下半年逐步投產(chǎn)，2023 年年中達到月產(chǎn) 4 萬片規(guī)模，加上原有的 2 萬片 16nm 產(chǎn)能，南京廠產(chǎn)能顯著提高，有力滿足了全球客戶對成熟制程芯片的迫切需求。
關(guān)于中微半導(dǎo)體：
中微半導(dǎo)體設(shè)備（上海）股份有限公司，是國內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備領(lǐng)域的領(lǐng)軍企業(yè)。2004 年成立之初，僅有 15 人團隊，經(jīng)過多年拼搏，如今全球員工超兩千人。2019 年，中微公司作為首批企業(yè)登陸科創(chuàng)板。
中微在刻蝕設(shè)備研發(fā)上成果卓著，從微米邁向納米，直至皮米級精度，相當于頭發(fā)絲 350 萬分之一的精準度。其 CCP 高能與 ICP 低能等離子體刻蝕設(shè)備，已覆蓋國內(nèi) 95% 以上刻蝕需求，且在 5 納米及更先進制程的國際領(lǐng)先產(chǎn)線規(guī)模量產(chǎn)。2024 年，刻蝕設(shè)備收入約 72.77 億元，近四年年均增速超 50% 。
在泛半導(dǎo)體領(lǐng)域，中微的 MOCVD 設(shè)備占據(jù)氮化鎵基 LED 照明設(shè)備 80% 以上份額，并積極開拓碳化硅功率器件、Micro - LED 等新興領(lǐng)域。同時，公司積極布局新設(shè)備研發(fā)，在研超 20 款，包括薄膜設(shè)備、電子束量檢測設(shè)備等。2024 年，公司營收超 90 億元，研發(fā)投入約 24.52 億元，占比達 27.05%，大幅縮短設(shè)備開發(fā)周期。
中微還積極投資產(chǎn)業(yè)鏈上下游 30 多家企業(yè)，實現(xiàn)良好經(jīng)濟效益與戰(zhàn)略協(xié)同，參股的 8 家公司已 A 股上市。如今，中微不僅是國內(nèi)翹楚，更是國際半導(dǎo)體設(shè)備產(chǎn)業(yè)中一顆耀眼新星 。
