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近年，在政策利好芯片產(chǎn)業(yè)發(fā)展的大環(huán)境下，我國(guó)各省市正在不遺余力加快集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展，并且已形成多點(diǎn)開(kāi)花、優(yōu)勢(shì)互補(bǔ)的集群化生態(tài)，是推動(dòng)半導(dǎo)體發(fā)展的重要力量。武漢、南京是其中的代表。近日，這兩個(gè)城市芯片產(chǎn)業(yè)傳出新動(dòng)態(tài)：武漢光谷迎來(lái)多個(gè)集成電路項(xiàng)目落地，南京則將布局新賽道。
01｜多個(gè)集成電路項(xiàng)目落戶(hù)光谷
近日，武漢集成電路產(chǎn)業(yè)招商對(duì)接會(huì)在光谷舉行。武漢市集成電路技術(shù)與產(chǎn)業(yè)促進(jìn)中心、聚芯微集成電路設(shè)計(jì)項(xiàng)目、微崇半導(dǎo)體集成電路量測(cè)設(shè)備項(xiàng)目、集成電路精密貼裝設(shè)備項(xiàng)目等10個(gè)重點(diǎn)項(xiàng)目簽約落戶(hù)光谷，覆蓋“芯片設(shè)計(jì)-晶圓制造-封裝測(cè)試-設(shè)備材料”全產(chǎn)業(yè)鏈條。
其中，武漢市集成電路技術(shù)與產(chǎn)業(yè)促進(jìn)中心由武漢市、東湖高新區(qū)與中國(guó)信科集團(tuán)聯(lián)合共建，預(yù)計(jì)今年二季度開(kāi)業(yè)，將向武漢市乃至全國(guó)半導(dǎo)體企業(yè)提供EDA/IP資源共享、設(shè)計(jì)、流片、封裝等服務(wù)，帶動(dòng)本土半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)生態(tài)建設(shè)，打造全國(guó)領(lǐng)先的半導(dǎo)體服務(wù)平臺(tái)。
資料顯示，武漢光谷（東湖新技術(shù)開(kāi)發(fā)區(qū)）作為我國(guó)國(guó)重要的高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)基地，其集成電路產(chǎn)業(yè)經(jīng)過(guò)十余年發(fā)展已形成涵蓋設(shè)計(jì)、制造、封裝測(cè)試、設(shè)備及材料的全產(chǎn)業(yè)鏈格局。
當(dāng)前光谷已構(gòu)建了存儲(chǔ)集成電路、化合物集成電路及三維集成為主導(dǎo)，先進(jìn)封裝和硅光集成電路為特色的“3+2”集成電路產(chǎn)業(yè)體系，集成電路產(chǎn)業(yè)規(guī)模在2024年突破800億元。
今年2月，媒體報(bào)道武漢市東湖高新區(qū)黨工委（擴(kuò)大）會(huì)議暨2025年度工作會(huì)議舉行。武漢光谷將依托區(qū)域內(nèi)龍頭企業(yè)和創(chuàng)新平臺(tái)，啟動(dòng)建設(shè)四大產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新街區(qū)，涵蓋化合物半導(dǎo)體、存儲(chǔ)器、新型顯示和智能終端、生命健康等領(lǐng)域。
02｜南京沖向新賽道
作為長(zhǎng)三角集成電路產(chǎn)業(yè)帶的核心城市之一，南京依托科教資源、政策支持及區(qū)位優(yōu)勢(shì)，已形成涵蓋設(shè)計(jì)、制造、封裝測(cè)試、設(shè)備及材料的完整產(chǎn)業(yè)鏈，聚焦高端芯片設(shè)計(jì)、先進(jìn)封裝和特色工藝制造，成為全國(guó)重要的集成電路產(chǎn)業(yè)高地。
隨著AI、新能源汽車(chē)、6G通信、光電子等需求爆發(fā)，南京積極布局新賽道。
在近期舉辦的第四屆中國(guó)（南京）新賽道大會(huì)上，《中國(guó)新賽道體系發(fā)展報(bào)告2025》發(fā)布，報(bào)告提出2025年“年度十大潛力新賽道”，分別是生成式AI、具身智能、商業(yè)航天、生物制造、第三代半導(dǎo)體、新型儲(chǔ)能、低空經(jīng)濟(jì)、量子科技、腦機(jī)接口與6G。
未來(lái)網(wǎng)絡(luò)、第三代半導(dǎo)體、創(chuàng)新藥研發(fā)為南京的“賽道名片”。其中，未來(lái)網(wǎng)絡(luò)，南京在全國(guó)最早布局，賽道規(guī)模超200億元，重點(diǎn)發(fā)力6G、網(wǎng)絡(luò)安全、光通信等領(lǐng)域。依托紫金山實(shí)驗(yàn)室，創(chuàng)造了6G太赫茲實(shí)時(shí)無(wú)線(xiàn)傳輸10余項(xiàng)“世界第一”。
第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域，南京已經(jīng)將第三代半導(dǎo)體納入戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)，出臺(tái)專(zhuān)項(xiàng)政策扶持，江北新區(qū)等區(qū)域明確將第三代半導(dǎo)體作為重點(diǎn)發(fā)展方向，打造全產(chǎn)業(yè)鏈生態(tài)。
科研攻堅(jiān)方面，東南大學(xué)寬帶隙半導(dǎo)體技術(shù)教育部重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室，致力于攻克GaN垂直結(jié)構(gòu)器件關(guān)鍵技術(shù)，導(dǎo)通電阻降低40%；南京大學(xué)電子科學(xué)與工程學(xué)院，則在SiC MOSFET溝槽柵氧化層技術(shù)有所突破。
