芯片互連介質(zhì)的k值有多低？

知識(shí)星球（星球名：芯片制造與封測(cè)技術(shù)社區(qū)，星球號(hào)：63559049）里的學(xué)員問：為什么在芯片互連中，介質(zhì)的k值一直在降低？有哪些低k的介質(zhì)？互連介質(zhì)的k值為什么在降低？

隨著 CMOS 技術(shù)進(jìn)入?45nm 及以下節(jié)點(diǎn)，互連 RC 延遲成為關(guān)鍵瓶頸，RC延遲見文章：<為什么節(jié)點(diǎn)越小，RC延遲反而越大？>

如上圖，金屬線與金屬線之間夾著介質(zhì)層，類似于一個(gè)電容，而寄生電容是RC延遲的主要來源。

而電容的表達(dá)式為： C=ε*A/d

C：電容值ε：介電常數(shù)，A：電極面積 (互連金屬線的寬度)，d：金屬線之間的距離

如表達(dá)式可以看出，介電常數(shù)越大，電容越大，RC延遲越嚴(yán)重。芯片節(jié)點(diǎn)與k值的關(guān)系？

如上圖，k值逐漸由小于2.7降到小于2.1，各類低k介質(zhì)有哪些？

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