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車規(guī)模塊系列(七):賽米控SKiN技術(shù)

2023/10/10
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SKiN一種芯片互連技術(shù)

秋氣堪悲未必然,輕寒正是可人天。2023年的最后一個(gè)季度,天氣也日益漸涼,體感卻很好,我很是享受每天下班走在路上的那絲涼爽,但大家還是注意保暖,然后去享受新的氣候。

前面我們聊了Cu-Clip和銅綁定互連技術(shù)以及eMPack汽車模塊,其中我們都提及了賽米控丹佛斯的一種芯片互連技術(shù)--SKiN技術(shù),今天我們就來(lái)聊一聊關(guān)于它的那些事兒~

芯片互連技術(shù)

芯片互連技術(shù)包括兩大類,有綁定線和無(wú)綁定線兩大類。其中,有綁定線的,我們?cè)偈煜げ贿^(guò)了,也是技術(shù)最為成熟的一類,比如常見(jiàn)的62mm,Easy,EconoDual等等,內(nèi)部基本都是綁定線這種形式,當(dāng)然也有帶狀綁定線的形式。而這類模塊的回路雜散電感一般從9nH到20nH以上,其實(shí)對(duì)于SiC等高速開(kāi)關(guān)器件來(lái)說(shuō)是存在一定限制的。

因?yàn)樵谟查_(kāi)關(guān)操作過(guò)程中,回路雜散電感的存在將會(huì)產(chǎn)生一個(gè)尖峰電壓(ΔV=Ls*di/dt),雜散電感越大,尖峰電壓將會(huì)越大。由于局部放電和絕緣故障的可能性增加,它降低了封裝的可靠性。此外,為了提高模塊的電流能力,需要多個(gè)芯片進(jìn)行并聯(lián)。不對(duì)稱的布局將導(dǎo)致并聯(lián)芯片之間動(dòng)態(tài)不均電流。這將在它們之間造成瞬態(tài)溫度不平衡,并可能降低特定設(shè)備的可靠性。

另外就是無(wú)綁定線,這種對(duì)于有效地降低雜散電感以及優(yōu)化布局來(lái)說(shuō)更具靈活性。我們之前說(shuō)的Cu-Clip以及今天要聊的SKiN,都屬于這一類。當(dāng)然,除了這兩個(gè),還有其他很多種形式,包括,西門(mén)子的平面互連技術(shù)(SiPLIT),通過(guò)將銅沉積在高絕緣膜上,以進(jìn)行芯片頂部的互連,經(jīng)過(guò)表征寄生電感能夠降低約50%;通用電氣(GE)的功率覆蓋互連技術(shù)(POL),芯片頂部使用由聚酰亞胺和銅制成的柔性基板進(jìn)行連接。另外,包括2.5D和3D封裝形式的發(fā)展,模塊結(jié)構(gòu)采用多層DCB和垂直的功率回路設(shè)計(jì),進(jìn)一步優(yōu)化回路雜散電感。

SKiN互連技術(shù)

SKiN技術(shù)由2011年開(kāi)始使用,包括將芯片燒結(jié)到DCB基板,將芯片的頂部側(cè)燒結(jié)到柔性電路板,以及將基板燒結(jié)到針翅片散熱器。該技術(shù)減小了模塊的體積和重量,以及極低的雜散電感(可以低至1.4nH),同時(shí)也具有較高的電氣性能和模塊可靠性。

下圖是采用SKiN技術(shù)的模塊界面圖,

關(guān)鍵技術(shù)在于聚酰亞胺的柔性電路板,兩側(cè)帶有圖案的金屬軌道。底部的金屬被稱為功率側(cè),是一層厚厚的金屬層,它主要用于承載負(fù)載電流,厚度取決于具體的金屬材料以及所需要承載的電流,一般100um較為合適。

頂層金屬被稱為邏輯側(cè),只需要相對(duì)較薄的金屬層,比如30um的銅,因?yàn)樗休d門(mén)極、輔助或者傳感信號(hào)。

聚酰亞胺本身的材料和厚度取決于具體的應(yīng)用條件,如需要的工作溫度和電壓等級(jí),一般情況下它的厚度在幾十um。

為了將器件的門(mén)極從功率側(cè)連接到邏輯側(cè),柔性板上進(jìn)行開(kāi)空連接。

下圖是賽米控丹佛斯早期采用SKiN技術(shù)的400A/600V IGBT半橋模塊

柔性薄膜示意圖,

功率側(cè)與芯片頂部進(jìn)行燒結(jié)的部分印刷銀膏,輔助觸點(diǎn)通過(guò)柔性薄膜上的金屬走線進(jìn)行連接。為了防止柔性薄膜在后續(xù)燒結(jié)過(guò)程中被一些尖銳的邊緣損壞,一層薄薄的有機(jī)材料被填充在芯片周圍。下圖是準(zhǔn)備與柔性薄膜連接的DCB基板(芯片已經(jīng)燒結(jié)到上面)圖片,

然后將基板和柔性薄膜進(jìn)行燒結(jié)連接,接著便可以進(jìn)行相應(yīng)的電氣測(cè)試。

接著便是將直流和交流端子以及散熱器,和上面的功率部分進(jìn)行燒結(jié)。

然后再添加一個(gè)塑料框架,以便后續(xù)系統(tǒng)中進(jìn)行模塊的安裝。

 

以上整個(gè)過(guò)程如下圖,

所有這些都是通過(guò)銀燒結(jié)完成,包括芯片到DCB基板,DCB基板到散熱器,芯片頂部到柔性材料,整個(gè)模塊沒(méi)有焊料以及綁定線。以及回路雜散電感做到很低,回路示意圖如下,

小結(jié)

今天更多的還是了解下賽米控的SKiN技術(shù)到底是什么樣的,同時(shí)了解下上篇我們?cè)诹膃MPack時(shí)也聊到的柔性電路板到底是什么結(jié)構(gòu)。

主要還是之前說(shuō)過(guò)要聊一下SKiN的,所以今天我們一起簡(jiǎn)單聊一下。

今天的內(nèi)容希望你們能夠喜歡!

參考文獻(xiàn),

Thomas Stockmeier, "SKiN: Double side sintering technology ?for new packages"

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公眾號(hào)“功率半導(dǎo)體那些事兒”主筆,熱衷于功率半導(dǎo)體行業(yè),并且從事相關(guān)工作,喜歡關(guān)于相關(guān)行業(yè)的各種信息,知識(shí)和應(yīng)用。珍惜時(shí)光,自由在高處。