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據(jù)確認(rèn)，三星電子已開始通過4nm代工廠試產(chǎn)作為第6代高帶寬存儲(chǔ)器（HBM4）大腦的“邏輯芯片”。在完成邏輯芯片的最終性能驗(yàn)證后，三星電子計(jì)劃將由此開發(fā)的HBM4交付給客戶進(jìn)行測試。三星電子在 HBM 市場的領(lǐng)導(dǎo)地位被 SK 海力士奪走，今年計(jì)劃通過在 HBM4 之前引入大量工藝進(jìn)行反擊。
據(jù)業(yè)內(nèi)人士1月3日透露，三星電子內(nèi)存部門近期完成了HBM4邏輯芯片的設(shè)計(jì)，并將藍(lán)圖交付至4納米代工線開始生產(chǎn)。邏輯芯片是位于HBM底部的關(guān)鍵部件，由DRAM堆疊而成，是控制堆疊DRAM的大腦。
三星電子已將 HBM3E（第五代 HBM）市場輸給了 SK 海力士等競爭對(duì)手，計(jì)劃通過應(yīng)用尖端工藝來最大限度地發(fā)揮 HBM4 的性能。從HBM4開始，與現(xiàn)有的HBM3E簡單地將DRAM連接到客戶的圖形處理單元（GPU）等不同，代工工藝應(yīng)用于安裝在HBM底部的邏輯芯片。還可以以針對(duì)客戶要求的設(shè)計(jì)資產(chǎn) (IP) 和應(yīng)用進(jìn)行優(yōu)化的形式生產(chǎn)定制 HBM。SK海力士沒有自己的代工能力，但已知通過臺(tái)積電的5納米工藝生產(chǎn)邏輯芯片。
據(jù)悉，三星電子將采用更先進(jìn)的4nm工藝，不僅提高HBM的性能，還提高功率效率。一位半導(dǎo)體行業(yè)人士表示，“熱量問題不容易控制，以至于被稱為 HBM 最大的敵人。產(chǎn)生熱量最多的地方是邏輯芯片，為了提高整體性能和能效，三星電子正在使用 4nm工藝”。
一位熟悉三星電子情況的人士表示，“確實(shí)，我們已經(jīng)不再像以前那樣有實(shí)力在內(nèi)存業(yè)務(wù)上擴(kuò)大與競爭對(duì)手的差距，由于我們有自己的代工流程，我們可以快速制造根據(jù)客戶要求定制的邏輯芯片?！?/p>
據(jù)了解，除了邏輯芯片外，三星電子還使用 10 納米級(jí)第六代 (c) DRAM 芯片作為堆疊在 HBM 上的通用 DRAM。SK海力士采用10nm第五代(b) DRAM。通常，10nm 級(jí) DRAM 工藝每一代都采用尖端工藝，從而減小了尺寸并提高了性能和能效。
據(jù)悉，三星電子計(jì)劃將一種新方法——混合鍵合應(yīng)用于HBM4 16層產(chǎn)品的層壓?；旌湘I合是一種通過銅堆疊芯片的工藝，無需連接現(xiàn)有芯片的“凸塊”，從而減小了芯片尺寸并提高了性能。三星電子一直在利用“先進(jìn)熱壓非導(dǎo)電粘合膜（TC-NCF）”技術(shù)，這是一種每次堆疊芯片時(shí)都鋪設(shè)薄膜型材料的方法，直至12層HBM產(chǎn)品。
半導(dǎo)體行業(yè)的一位人士表示，“三星電子在代工工藝方面正在快速進(jìn)步，由于我們?cè)谏弦淮a(chǎn)品中落后于競爭對(duì)手，因此我們正在加快 HBM4 的進(jìn)度，以響應(yīng)客戶樣品測試和測試?！?/p>
