遙遙領先 SK海力士首次公開HBM4 帶寬高達2TB/s

近期，SK海力士在TSMC 2025北美技術研討會上展示HBM4 12Hi、HBM3E 16Hi?2款產(chǎn)品是其首次公開展示了其HBM4技術，是全球唯一一家展示HBM4技術的公司。

SK Hynix是首家在HBM領域?qū)崿F(xiàn)16層鍵合的內(nèi)存企業(yè)。其展示HBM4目前支持16Hi?堆疊，單堆棧容量可達48GB，I/O速度為8.0Gbps，整體帶寬為2.0TB/s，邏輯裸片部分采用臺積電先進制程。12層堆疊的HBM4也已實現(xiàn)2TB/s的速度，能處理超過2TB的數(shù)據(jù)，該公司在3月已成為全球首家向主要客戶提供?HBM4?樣品的公司，并計劃在?2025?年下半年完成量產(chǎn)準備，會正式用于商業(yè)應用。

HBM3E展示的是16層堆疊產(chǎn)品，帶寬可達1.2TB/s，采用?Advanced MR - MUF?鍵合技術，該標準預計將應用于NVIDIA?最新的GB300 “Blackwell Ultra” AI?集群產(chǎn)品。

這個特定的標準將用在英偉達的GB300“Blackwell Ultra”AI集群中，英偉達還計劃在Vera Rubin中升級到HBM4。

在HBM4內(nèi)存方面，SK海力士遙遙領先于三星、美光等，SK海力士已經(jīng)準備量產(chǎn)，而競爭對手處于樣品階段。

數(shù)據(jù)來源：TrendForce

SK海力士還展示了其服務器內(nèi)存模塊產(chǎn)品線，包括RDIMM和MRDIMM產(chǎn)品，基于新的1c DRAM標準制造，速度可達12800MT/s。

RDIMM?通過寄存器（Register）緩沖地址和控制信號，支持更高的內(nèi)存密度和穩(wěn)定性，是企業(yè)級服務器的主流選擇。SK?Hynix展示的8000MT/s RDIMM采用1c nm制程工藝，容量覆蓋64GB至?256GB，其中?256GB?型號通過3DS?鍵合堆疊技術實現(xiàn)了單條容量的突破。

MRDIMM?通過多路復用器（MUX）同時操作兩個內(nèi)存通道（Rank），實現(xiàn)帶寬翻倍。SK?海力士展示的12800MT/s MRDIMM是目前行業(yè)最高速度的產(chǎn)品，相比傳統(tǒng)RDIMM，其有效帶寬提升39%，延遲降低40%。

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