• 正文
    • 2023年?duì)I收下滑,但2024年起將再上一個(gè)臺(tái)階
    • 聚焦AI應(yīng)用,2024年HPC應(yīng)用成長(zhǎng)率將一支獨(dú)秀
    • 建廠進(jìn)度:日本再建一座廠,美國(guó)、德國(guó)廠正在推進(jìn)
  • 推薦器件
  • 相關(guān)推薦
申請(qǐng)入駐 產(chǎn)業(yè)圖譜

臺(tái)積電劉德音任內(nèi)最后一場(chǎng)法說(shuō)會(huì),事關(guān)行業(yè)未來(lái)走向

2024/01/21
1916
加入交流群
掃碼加入
獲取工程師必備禮包
參與熱點(diǎn)資訊討論

臺(tái)積電1月18日公布了2023年第四季財(cái)務(wù)報(bào)告并召開(kāi)業(yè)績(jī)說(shuō)明會(huì),此番重點(diǎn)頗多,臺(tái)積電表示2024年?duì)I收將大幅成長(zhǎng)超20%,并且臺(tái)積電已度過(guò)資本密集(capital intensity)的高峰期,未來(lái)幾年將開(kāi)始大收成;2024年3nm營(yíng)收迅速提高帶動(dòng)臺(tái)積電市場(chǎng)份額提升,2nm制程需求比3nm還火;未來(lái)日本還要再加建一座廠...

2023年?duì)I收下滑,但2024年起將再上一個(gè)臺(tái)階

臺(tái)積電2023年四季度營(yíng)收約196.24億美元,同比輕微下滑1.5%,但超出此前管理層給出的188-196億營(yíng)收指引,環(huán)比增長(zhǎng)13.6%;凈利潤(rùn)約75.6億美元,高出市場(chǎng)預(yù)期的2241億新臺(tái)幣71.20億美元,同比下滑19.3%,環(huán)比增長(zhǎng)13.1%。

從制程營(yíng)收占比看,第四季度臺(tái)積電目前已量產(chǎn)中最為先進(jìn)的3nm芯片表現(xiàn)突出,該工藝從上季度開(kāi)始實(shí)現(xiàn)收入,四季度便占據(jù)了晶圓收入的15%,相較上季度增長(zhǎng)了14.4%。此外還有5nm和7nm,分別占晶圓總收入的35%和17%??傮w看,先進(jìn)工藝(7nm及以下)占晶圓總收入達(dá)67%。

從應(yīng)用端看,2023年四季度臺(tái)積電來(lái)自HPC(高性能計(jì)算)和智能手機(jī)的收入均占凈收入的43%,物聯(lián)網(wǎng)、汽車、DCE和其他公司貢獻(xiàn)的收入占比分別為5%、5%、2%和2%。相比于第三季度,HPC、智能手機(jī)、汽車貢獻(xiàn)的收入均實(shí)現(xiàn)了較大幅度的增長(zhǎng),增幅分別為17%、27%和13%,而物聯(lián)網(wǎng)、DCE和其他公司貢獻(xiàn)的收入分別下降了29%、35%和16%。

臺(tái)積電預(yù)計(jì)2024年資本支出280億美元至320億美元,市場(chǎng)預(yù)估為288.6億美元。該公司表示,今年的資本支出中,70-80% 將用于先進(jìn)技術(shù),約10-20%將用在特殊制程技術(shù),另外約10%用在先進(jìn)封裝、測(cè)試、光罩制作及其他項(xiàng)目。值得注意的是,臺(tái)積電表示,企業(yè)已度過(guò)資本密集期,未來(lái)幾年將開(kāi)始大收成。

聚焦AI應(yīng)用,2024年HPC應(yīng)用成長(zhǎng)率將一支獨(dú)秀

從臺(tái)積電應(yīng)用端營(yíng)收可以看出,消費(fèi)電子需求正在逐步回暖,隨著智能手機(jī)和PC制造商芯片庫(kù)存減少,預(yù)計(jì)補(bǔ)貨需求將逐漸回升。

在業(yè)績(jī)說(shuō)明會(huì)中,臺(tái)積電重申,未來(lái)幾年由AI驅(qū)動(dòng)的HPC營(yíng)收年復(fù)合成長(zhǎng)率將高達(dá)50%,這邊指的AI相關(guān)營(yíng)收是指直接來(lái)自服務(wù)器相關(guān)的營(yíng)收,這數(shù)字并不包含難以計(jì)算的邊緣裝置edge相關(guān)應(yīng)用。此外,其他手機(jī)、物聯(lián)網(wǎng)、車用三塊應(yīng)用則是低于平均值。

臺(tái)積電預(yù)計(jì),2024年供應(yīng)鏈庫(kù)存水位會(huì)回到健康水平,全年半導(dǎo)體市場(chǎng)(不包含存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè))有望增長(zhǎng)10%以上,晶圓代工產(chǎn)業(yè)預(yù)期將超20%成長(zhǎng)。預(yù)期臺(tái)積電全年在AI、HPC需求帶動(dòng)下,若以美元營(yíng)收計(jì)算,全年?duì)I收將有機(jī)會(huì)交出年成長(zhǎng)21%至25%的成績(jī)單。

制程:在建的成熟制程產(chǎn)能太多了,先進(jìn)制程2nm需求遠(yuǎn)超3nm

(1)成熟制程產(chǎn)能或過(guò)剩,各大晶圓廠產(chǎn)能利用率正在逐步回升

臺(tái)積電表示,目前在建的成熟制程產(chǎn)能確實(shí)有太多的傾象,但臺(tái)積電在特殊制程的擴(kuò)產(chǎn)上,都是與客戶定向合作的有效產(chǎn)能,與策略合作伙伴綁定合作,因此認(rèn)為整個(gè)產(chǎn)業(yè)成熟制程過(guò)剩的情況,不會(huì)影響到臺(tái)積電。這次臺(tái)積電在投資人會(huì)議上也指出,隨著3nm和2nm制程放量且營(yíng)收成長(zhǎng),未來(lái)成熟制程的營(yíng)收貢獻(xiàn)僅20%。

目前行業(yè)還處于庫(kù)存去化階段,臺(tái)積電表示,2024年1-2月臺(tái)積電產(chǎn)能利用率將全面回升,據(jù)估算,先前崩跌最快最嚴(yán)重的8英寸廠,2024年1-2月平均產(chǎn)能利用率已回到70%-80%,12英寸也重返8成大關(guān)。其中,28納米已回到8成正常水平,過(guò)去1年半年跌破5成的7/6納米制程,則拉升至75%,5/4納米家族更是超乎預(yù)期逼近100%滿載,代工報(bào)價(jià)近2萬(wàn)美元的3納米制程1月已超過(guò)七成,首季估將達(dá)逾85%。

不過(guò),這波回暖依然是去庫(kù)存策略的成果。臺(tái)積電此前坦言,雖然2023第四季度產(chǎn)業(yè)庫(kù)存已近谷底,但受限總體經(jīng)濟(jì)與市況疲弱,欲實(shí)現(xiàn)V型反彈還太早。

對(duì)比臺(tái)積電,晶圓代工其他大廠情況則沒(méi)有這么樂(lè)觀,聯(lián)電此前公布的數(shù)據(jù)發(fā)現(xiàn),到2023年三季度利用率已經(jīng)降至67%,力積電則在60%上下。大陸晶圓廠情況則相對(duì)較好,中芯國(guó)際2023年三季度產(chǎn)能利用率為77.1,華虹公司總體產(chǎn)能利用率為86.8%。

TrendForce 預(yù)期,在28 納米以上制程擴(kuò)產(chǎn)推動(dòng)下,預(yù)期到了2027年,成熟制程產(chǎn)能繼續(xù)占十大代工廠產(chǎn)能70% 以下;其中,中國(guó)大陸轉(zhuǎn)往成熟制程發(fā)展,預(yù)期到2027 年將占成熟制程產(chǎn)能33%,還有持續(xù)上修的可能性。TrendForce研判,晶圓代工成熟制程產(chǎn)能利用率要到明年下半年才會(huì)緩步回升,相較中國(guó)臺(tái)灣、韓國(guó)廠商,中芯國(guó)際、華虹集團(tuán)8英寸廠產(chǎn)能利用率復(fù)蘇狀況將較產(chǎn)業(yè)平均快,咎其原因,大陸晶圓代工的讓價(jià)態(tài)度與幅度較為積極,以及官方推動(dòng)的一級(jí)本土化生產(chǎn)趨勢(shì)等一系列措施都有利于促進(jìn)產(chǎn)能利用率。

(2)3nm帶動(dòng)臺(tái)積電2024年業(yè)績(jī),但是2nm是未來(lái)幾年重點(diǎn)

從臺(tái)積電財(cái)務(wù)報(bào)表可知,目前臺(tái)積電3nm已完全放量,據(jù)TrendForce集邦咨詢研究表示,預(yù)計(jì)2024年晶圓代工市場(chǎng)將成長(zhǎng)7%,這極大歸功于臺(tái)積電3nm放量,帶動(dòng)臺(tái)積電市占率進(jìn)一步上升,預(yù)計(jì)2024年二季度開(kāi)始,臺(tái)積電營(yíng)收將上升7%。

臺(tái)積電表示,目前全球所有AI創(chuàng)新客戶對(duì)2nm制程的需求高于3nm,幾乎所有的AI創(chuàng)新者都與臺(tái)積電合作2nm制程技術(shù),主要以高性能運(yùn)算HPC和智能手機(jī)兩大應(yīng)用為主,目前2nm只有一家半導(dǎo)體公司不是臺(tái)積電的客戶(行業(yè)多猜測(cè)是三星)。

因此臺(tái)積電表示2nm將擴(kuò)產(chǎn),高雄廠原本是要蓋兩座2nm晶圓廠,現(xiàn)在考慮要蓋第三座2nm晶圓廠。

臺(tái)積電的2nm制程(N2)采用納米片(Nanosheet)晶體管結(jié)構(gòu),預(yù)計(jì)在2025年量產(chǎn),將在密度和能源效率上領(lǐng)先業(yè)界。N2背面電軌解決方案將在2025年下半年推出,并于2026年量產(chǎn),主要應(yīng)用于HPC領(lǐng)域。

此外,對(duì)于英特爾CEO基辛格“英特爾的18A制程勝過(guò)臺(tái)積電的2nm制程”觀點(diǎn),魏哲家表示,“英特爾的18A制程相當(dāng)于臺(tái)積電的N3P,臺(tái)積電其實(shí)是早一年量產(chǎn)。”

建廠進(jìn)度:日本再建一座廠,美國(guó)、德國(guó)廠正在推進(jìn)

在擴(kuò)產(chǎn)動(dòng)態(tài)上,臺(tái)積電日本熊本廠計(jì)劃導(dǎo)入生產(chǎn)特殊制程12、16、22及28nm,預(yù)定于2月24日舉行開(kāi)幕典禮,預(yù)計(jì)2024年12月開(kāi)始生產(chǎn)。

如上所述,臺(tái)積電正在考慮在日本興建第二座晶圓廠,計(jì)劃導(dǎo)入7nm或16nm制程,預(yù)計(jì)產(chǎn)能在6萬(wàn)片左右,預(yù)計(jì)2024年夏天動(dòng)工、2027年開(kāi)始量產(chǎn)。

美國(guó)建廠方面,臺(tái)積電強(qiáng)調(diào)亞利桑那州廠并沒(méi)有踩剎車,目前正與美國(guó)政府就獎(jiǎng)勵(lì)和稅收抵免補(bǔ)助保持密切和持續(xù)的溝通,且第一座晶圓廠在廠務(wù)供應(yīng)鏈基礎(chǔ)建設(shè)、公用設(shè)施供應(yīng)和設(shè)備安裝等方面取得了重大進(jìn)展。正在持續(xù)與當(dāng)?shù)氐墓?huì)和貿(mào)易伙伴發(fā)展強(qiáng)健的關(guān)系并密切合作,包含最近和亞利桑那州建筑業(yè)委員會(huì)(AZBTC)就新的合作框架簽署了一項(xiàng)協(xié)議。臺(tái)積電指出,將按計(jì)劃在2025年上半年開(kāi)始N4制程技術(shù)的量產(chǎn)。但是美國(guó)第二座晶圓廠則推遲至2027年或2028年投產(chǎn)。

此外,歐洲的德國(guó)德累斯晶圓廠,計(jì)劃于2024年第四季開(kāi)始興建,將是以汽車和工業(yè)應(yīng)用為主的特殊制程晶圓廠。

業(yè)績(jī)說(shuō)明會(huì)的最后,劉德音再次表明自己將在2024年股東會(huì)后正式退休。近期關(guān)于劉德音退休的猜測(cè)滿天飛,但是從目前情況看,或時(shí)正如他說(shuō)的是“勞累”所致。自劉德音與魏哲家上任期起,二人為打開(kāi)臺(tái)積電的海外視野做出了許多工作。2023年的財(cái)報(bào)盡管營(yíng)收凈利有所下降,但厚積薄發(fā),從2024年起,臺(tái)積電將再上一個(gè)臺(tái)階。

推薦器件

更多器件
器件型號(hào) 數(shù)量 器件廠商 器件描述 數(shù)據(jù)手冊(cè) ECAD模型 風(fēng)險(xiǎn)等級(jí) 參考價(jià)格 更多信息
CRCW08050000Z0EA 1 Vishay Intertechnologies Fixed Resistor, Metal Glaze/thick Film, 0.125W, 0ohm, Surface Mount, 0805, CHIP, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT

ECAD模型

下載ECAD模型
$0.1 查看
VSSRC20AB470330TF 1 Vishay Intertechnologies Resistor/Capacitor Network, RC NETWORK, BUSSED, 1W, 47ohm, 0.000033uF, SURFACE MOUNT, SSOP-20, SSOP, ROHS COMPLIANT
暫無(wú)數(shù)據(jù) 查看
MS25036-102 1 Amphenol Communications Solutions Ring Terminal,
$0.17 查看

相關(guān)推薦

登錄即可解鎖
  • 海量技術(shù)文章
  • 設(shè)計(jì)資源下載
  • 產(chǎn)業(yè)鏈客戶資源
  • 寫(xiě)文章/發(fā)需求
立即登錄

DRAMeXchange(全球半導(dǎo)體觀察)官方訂閱號(hào),專注于半導(dǎo)體晶圓代工、IC設(shè)計(jì)、IC封測(cè)、DRAM、NAND Flash、SSD、移動(dòng)裝置、PC相關(guān)零組件等產(chǎn)業(yè),致力于提供半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)資訊、行情報(bào)價(jià)、市場(chǎng)趨勢(shì)、產(chǎn)業(yè)數(shù)據(jù)、研究報(bào)告等。