微導納米黎微明：讓ALD技術充分發(fā)揮前瞻性和共性技術的作用

| ALD技術是當下最主流的薄膜沉積技術之一

10月13-14日，由張江高科、芯謀研究聯(lián)合主辦的第九屆張江高科·芯謀研究集成電路產(chǎn)業(yè)領袖峰會在上海浦東張江召開，微導納米CTO黎微明博士在次日舉辦的設備材料分論壇中以《ALD技術在先進半導體芯片的應用及國產(chǎn)化展望》為主題發(fā)表演講。

器件結(jié)構(gòu)逐漸愈來愈復雜，深寬比越來越大，驅(qū)動著薄膜沉積技術的進步。按工藝原理的不同，薄膜沉積可分為物理氣相沉積（PVD）、化學氣相沉積（CVD），以及電鍍等等。進入到2000年以后，邏輯芯片和存儲芯片的制造工藝難度增加，傳統(tǒng)的PVD和CVD難以滿足市場需求，ALD（原子層沉積）技術作為一種新型的沉積技術開始受到行業(yè)關注。同時，全球ALD技術在基礎研究方面發(fā)展提速，相關知識產(chǎn)權以及研發(fā)人員數(shù)量快速增加，讓ALD技術成為了當下最主流的薄膜沉積技術之一。

黎微明博士指出，傳統(tǒng)的PVD和CVD在鍍膜方面具有局限性。ALD技術特點在于可在復雜形貌上，完成原子層精度控制能力的高質(zhì)量薄膜沉積工藝。具體來看，ALD技術具有三維共形性，可廣泛適用于不同形狀的基底。其次ALD技術是單層疊加生長，所以能夠保障成膜質(zhì)量、均勻性。第三，ALD技術可實現(xiàn)亞納米級的薄膜厚度控制。第四，ALD技術的摻雜工藝可以實現(xiàn)新功能薄膜復合材料的制備。

在后摩爾時代，ALD 技術在high-k材料、金屬柵、電容電極等工藝中均存在大量應用，可被廣泛應用于邏輯芯片、存儲芯片、化合物半導體等領域。隨著未來新興市場的發(fā)展，ALD需求會將進一步擴大。

ALD技術壁壘高。在2020年之前，全球高端ALD裝備市場份額中，國產(chǎn)裝備幾乎為零。2020年微導納米出貨了第一臺國產(chǎn)量產(chǎn)型high-k ALD設備，交付國內(nèi)芯片廠做驗證，不到一年時間驗證通過，實現(xiàn)了國產(chǎn)ALD設備“從0到1”的突破。經(jīng)過近兩年的發(fā)展，以微導納米為代表的國產(chǎn)高端ALD裝備在邏輯、存儲等領域均取得了不錯的成績。

黎微明博士表示：“國產(chǎn)裝備、材料、下游企業(yè)的創(chuàng)新驅(qū)動勢頭非常迅猛。微導納米也一直秉承著創(chuàng)新理念支持ALD技術的發(fā)展?！?/p>

在國產(chǎn)化創(chuàng)新方面，微導納米做了大量工作，是第一家將ALD技術規(guī)?；瘧糜诠夥I域的企業(yè)。微導納米提出了新的技術、新的設計理念，實現(xiàn)了PEALD設備的量產(chǎn)。PEALD技術是一種基于等離子體增強輔助反應的ALD，在制備納米電子器件和光電器件方面有廣泛的應用。

關鍵零部件的發(fā)展是ALD技術的重要環(huán)節(jié)。目前，關鍵零部件國產(chǎn)化正得到全產(chǎn)業(yè)鏈高度重視，快速發(fā)展，但短期內(nèi)滿足產(chǎn)業(yè)化要求具有挑戰(zhàn)。

黎微明博士指出，設備中的零部件國產(chǎn)化率提升，需要和下游客戶共同努力。下游客戶對國產(chǎn)化關鍵零部件的引入和評估，對于國產(chǎn)化率的提升有非常大的作用。

作為一家致力于ALD發(fā)展的本土企業(yè)，微導納米計劃在半導體領域，未來能夠基本覆蓋4寸、6寸、8寸到12寸晶圓的市場需求；推動現(xiàn)有制程技術國產(chǎn)化，引領國內(nèi)技術升級；推動創(chuàng)新國內(nèi)技術迭代，替代關鍵工藝技術國產(chǎn)化；在3D-IC、OLED封裝、功率半導體等方面，希望突破全球技術市場，搶占市場發(fā)展制高點。

黎微明博士總結(jié)道：“ALD 技術本土化以及在一些關鍵行業(yè)領域的最新進展表明，IC制造所需國產(chǎn)ALD裝備正在逐漸實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化。在新時期，國內(nèi)相關企業(yè)要通過努力創(chuàng)新，抓住發(fā)展機遇，讓ALD技術能夠充分發(fā)揮其前瞻性和共性技術的作用。未來，國產(chǎn)化ALD技術在尖端半導體制造領域的產(chǎn)業(yè)化前景廣闊?！?/p>