SiC芯片

進(jìn)入2024年，10多家車企紛紛宣布降價(jià)。車企給供應(yīng)商的降價(jià)壓力更大，普遍要求降價(jià)20%，過(guò)去一般是每年降3%-5%。有觀點(diǎn)認(rèn)為，車市降價(jià)是由于新技術(shù)帶來(lái)的成本下降，但從大背景來(lái)看，2月銷量下滑，或是更多企業(yè)加入價(jià)格戰(zhàn)的不得已選擇。但從另一個(gè)角度來(lái)看，成本的下降確實(shí)會(huì)緩解降價(jià)的壓力，SiC（碳化硅）會(huì)不會(huì)是出路呢？

據(jù)“行家說(shuō)三代半”不完全統(tǒng)計(jì)，2024年Q1，合計(jì)涌現(xiàn)了4起車規(guī)級(jí)SiC合作，昨天，又有2家企業(yè)宣布達(dá)成了車規(guī)級(jí)SiC芯片合作，詳情請(qǐng)往下看。3月11日，芯動(dòng)半導(dǎo)體官微宣布，他們于3月8日與意法半導(dǎo)體簽署戰(zhàn)略合作協(xié)議，雙方將就SiC芯片業(yè)務(wù)展開(kāi)合作。

近日，多個(gè)第三代半導(dǎo)體項(xiàng)目迎來(lái)最新進(jìn)展。其中，重投天科第三代半導(dǎo)體項(xiàng)目、山東菏澤砷化鎵半導(dǎo)體晶片項(xiàng)目投資資金超30億。

近日，國(guó)內(nèi)新增6個(gè)SiC項(xiàng)目動(dòng)態(tài)：● 芯干線：SiC項(xiàng)目擬購(gòu)設(shè)備近160臺(tái)，規(guī)劃產(chǎn)能100萬(wàn)顆/年；● 譜析光晶：SiC芯片項(xiàng)目總投資1億，預(yù)計(jì)年產(chǎn)值2億元；● 智程半導(dǎo)體：半導(dǎo)體用新工廠正式開(kāi)業(yè)，達(dá)產(chǎn)后年產(chǎn)值或超15億元；● 大族半導(dǎo)體：激光切割項(xiàng)目投資1.3億，規(guī)劃產(chǎn)能15萬(wàn)片/年；● 云嶺半導(dǎo)體：SiC研磨液項(xiàng)目投資0.5億，預(yù)計(jì)年產(chǎn)能為600噸；● 沉積半導(dǎo)體：SiC、TaC涂層項(xiàng)目投資0.5億，預(yù)計(jì)年產(chǎn)能為1.92萬(wàn)件。

近日，證監(jiān)會(huì)披露了關(guān)于江蘇芯長(zhǎng)征微電子集團(tuán)股份有限公司（以下簡(jiǎn)稱芯長(zhǎng)征）首次公開(kāi)發(fā)行股票并上市輔導(dǎo)備案報(bào)告（以下簡(jiǎn)稱報(bào)告）。報(bào)告顯示，中金公司已受聘擔(dān)任芯長(zhǎng)征首次公開(kāi)發(fā)行股票并上市的輔導(dǎo)機(jī)構(gòu)，并已于2024年1月22日簽訂《輔導(dǎo)協(xié)議》。

碳化硅企業(yè)與車企進(jìn)一步加深合作：● 安森美：與理想汽車成功續(xù)簽長(zhǎng)期供貨協(xié)議，提供EliteSiC 1200V裸芯片；●?芯聯(lián)集成：向比亞迪代工主驅(qū)級(jí)SiC芯片；

理想也要造芯片了！最新消息，理想在新加坡成立辦公室，開(kāi)招芯片人才，目前開(kāi)招的5個(gè)崗位，申請(qǐng)人數(shù)已經(jīng)超過(guò)170人。另外，理想自研智能駕駛芯片、車規(guī)級(jí)MCU的進(jìn)度也都在推進(jìn)中。賬上趴著880多億的理想，開(kāi)始把錢轉(zhuǎn)化為人才和技術(shù)護(hù)城河。

上周，Bosch宣布計(jì)劃收購(gòu)美國(guó)芯片制造商TSI Semiconductors在加州Roseville的資產(chǎn)。這項(xiàng)交易將把目前提供全系列邏輯CMOS工藝技術(shù)的TSI設(shè)施轉(zhuǎn)變?yōu)锽osch的美國(guó)制造基地。從2026年開(kāi)始，Bosch將在這里生產(chǎn)基于200㎜晶圓的SiC芯片。

2015年，揚(yáng)杰科技進(jìn)入第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域，并逐步組建了相關(guān)設(shè)計(jì)、測(cè)試、工藝等人才，現(xiàn)已形成了多項(xiàng)專利等知識(shí)產(chǎn)權(quán)。入局那一年，揚(yáng)杰科技便啟動(dòng)1.5億元募資，用于建設(shè)SiC芯片、器件研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化建設(shè)項(xiàng)目。目前，揚(yáng)杰科技已開(kāi)發(fā)并向市場(chǎng)推出SiC模塊及 650V/1200V SiC SBD系列產(chǎn)品；SiC MOSFET產(chǎn)品則已取得關(guān)鍵性進(jìn)展。后續(xù)，揚(yáng)杰科技擬進(jìn)一步布局 6-8 英寸碳化硅芯片生產(chǎn)線建設(shè)。

張老先生多次強(qiáng)調(diào)，希望大家支持第三代半導(dǎo)體，支持功率半導(dǎo)體的發(fā)展。