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近日，比亞迪及長(zhǎng)安汽車(chē)在車(chē)規(guī)SiC MOSFET主驅(qū)芯片的研制上均宣布了新進(jìn)展——
比亞迪：開(kāi)始瞄準(zhǔn)高耐壓領(lǐng)域，宣布將開(kāi)發(fā)1200V 溝槽SiC MOSFET；
長(zhǎng)安汽車(chē)：SiC功率芯片進(jìn)入了流片下線新階段，加速產(chǎn)業(yè)化落地。
比亞迪、長(zhǎng)安汽車(chē)加速布局車(chē)規(guī)SiC MOSFET
比亞迪：將研發(fā)1200V 溝槽SiC MOSFET
據(jù)“浙江在線”2月27日消息，寧波比亞迪半導(dǎo)體有限公司將通過(guò)“保稅研發(fā)”模式開(kāi)展1200V溝槽柵SiC MOSFET晶圓產(chǎn)品的研發(fā)設(shè)計(jì)、技術(shù)開(kāi)發(fā)，其研發(fā)周期內(nèi)涉及的多批次進(jìn)口原材料均可享受保稅政策。比亞迪半導(dǎo)體技術(shù)開(kāi)發(fā)部該項(xiàng)目相關(guān)負(fù)責(zé)人表示，在“保稅研發(fā)”模式下，進(jìn)口研發(fā)所需的原材料、設(shè)備均可以保稅進(jìn)口，從而在研發(fā)環(huán)節(jié)省下大量的時(shí)間成本和資金成本，便于公司快速推進(jìn)研發(fā)進(jìn)程。研發(fā)成品檢測(cè)合格后便可開(kāi)始批量生產(chǎn)。
據(jù)“行家說(shuō)三代半”此前報(bào)道，比亞迪還在寧波建有一條晶圓制造產(chǎn)線，計(jì)劃投資7.3億元，建成后月產(chǎn)2萬(wàn)片碳化硅晶圓，項(xiàng)目建設(shè)期5年；而該研發(fā)項(xiàng)目達(dá)產(chǎn)后，預(yù)計(jì)年需求晶圓將突破10000片，有望填補(bǔ)國(guó)內(nèi)相關(guān)技術(shù)空白。溝槽柵結(jié)構(gòu)通過(guò)消除JFET效應(yīng)可顯著降低導(dǎo)通電阻，尤其在1200V及以上高耐壓場(chǎng)景中能提升系統(tǒng)效率3%-5%，這對(duì)800V高壓平臺(tái)車(chē)型的續(xù)航與快充性能至關(guān)重要。比亞迪此舉或?qū)?qiáng)化其高端品牌（如仰望、騰勢(shì)）的電驅(qū)系統(tǒng)競(jìng)爭(zhēng)力，突破國(guó)際廠商技術(shù)壟斷。
長(zhǎng)安汽車(chē)：SiC功率芯片流片下線
3月4日，據(jù)“重慶青山”官微消息，他們與重慶大學(xué)聯(lián)合研發(fā)的SiC功率芯片首輪流片成功下線。
該項(xiàng)目于2023年4月啟動(dòng)，此次流片下線的SiC功率芯片在耐壓和閾值電壓等關(guān)鍵參數(shù)上均表現(xiàn)出優(yōu)秀的性能。器件耐壓性能突出，擊穿電壓最高可達(dá)1700V以上；閾值電壓一致性表現(xiàn)優(yōu)異，通過(guò)率達(dá)到98%，實(shí)測(cè)值分布集中，具有較強(qiáng)的抗干擾能力，在大批量使用時(shí)更易于配對(duì)，從而節(jié)約成本。
“行家說(shuō)三代半”了解到，青山公司是長(zhǎng)安汽車(chē)的子公司，長(zhǎng)安汽車(chē)是國(guó)內(nèi)較為重視碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈布局的車(chē)企之一，通過(guò)子公司青山工業(yè)以及與斯達(dá)半導(dǎo)體深度合作，推進(jìn)SiC電驅(qū)及芯片國(guó)產(chǎn)化。
車(chē)企紛紛自研SiC芯片，平面柵&溝槽柵的技術(shù)博弈
除比亞迪、長(zhǎng)安汽車(chē)外，國(guó)內(nèi)外多家車(chē)企/tier 1也正在加速碳化硅芯片的自主研發(fā)與生產(chǎn)，試圖在下一代電驅(qū)技術(shù)中占據(jù)主動(dòng)權(quán)：
吉利：與芯聚能半導(dǎo)體等合資成立芯粵能，專(zhuān)注于車(chē)規(guī)級(jí)SiC芯片制造；2023年6月，芯粵能宣布量產(chǎn)1200V車(chē)規(guī)級(jí)SiC芯片，并交付多家主機(jī)廠驗(yàn)證。
豐田：通過(guò)旗下電裝（Denso）及合資企業(yè)加速SiC全產(chǎn)業(yè)鏈布局，電裝在日本建設(shè)8英寸SiC晶圓產(chǎn)線，預(yù)計(jì)2025年商業(yè)化。
博世：收購(gòu)TSI改造加州羅斯維爾8英寸硅晶圓廠，計(jì)劃2026年量產(chǎn)SiC芯片。
華為：通過(guò)投資與自研雙路徑布局SiC技術(shù)，智界S7車(chē)型已搭載800V高壓SiC電機(jī)。
實(shí)際上，平面柵和溝槽柵的競(jìng)爭(zhēng)本質(zhì)是性能、成本與可靠性的平衡。SiC企業(yè)及車(chē)企的考量主要基于以下維度：
當(dāng)前，平面柵仍是規(guī)?；b車(chē)的主流選擇。意法半導(dǎo)體、安森美、Wolfspeed等國(guó)際廠商占據(jù)主導(dǎo)地位，其成熟工藝適配特斯拉、通用等大規(guī)模量產(chǎn)需求；芯聯(lián)集成、士蘭微等本土廠商則通過(guò)成本優(yōu)勢(shì)切入理想、小鵬等供應(yīng)鏈。
溝槽柵技術(shù)方面，羅姆、英飛凌及博世等巨頭憑借專(zhuān)利優(yōu)勢(shì)配套小米、現(xiàn)代等車(chē)型。例如，英飛凌為小米SU7定制開(kāi)發(fā)溝槽柵SiC模塊。但總體來(lái)說(shuō)，溝槽技術(shù)應(yīng)用仍處于產(chǎn)業(yè)化初期，全球車(chē)規(guī)SiC MOSFET中溝槽柵占比仍較低。
但是2024年以來(lái)，業(yè)界對(duì)溝槽 SiC MOSFET 的開(kāi)發(fā)熱情明顯更為高漲，據(jù)行家說(shuō)《2024碳化硅（SiC）產(chǎn)業(yè)調(diào)研白皮書(shū)》不完全統(tǒng)計(jì)，2023-2024 年 7 月，合計(jì)公布82個(gè)溝槽柵專(zhuān)利，其中2024年 1-7 月合計(jì)40 個(gè)，接近 2023 年全年的專(zhuān)利數(shù)量。
