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NAND閃存是一種比硬盤驅(qū)動(dòng)器更好的存儲(chǔ)設(shè)備，在不超過(guò)4GB的低容量應(yīng)用中表現(xiàn)得尤為明顯。隨著人們持續(xù)追求功耗更低、重量更輕和性能更佳的產(chǎn)品，NAND被證明極具吸引力。NAND閃存是一種非易失性存儲(chǔ)技術(shù)，即斷電后仍能保存數(shù)據(jù)。它的發(fā)展目標(biāo)就是降低每比特存儲(chǔ)成本、提高存儲(chǔ)容量。

NAND閃存是一種比硬盤驅(qū)動(dòng)器更好的存儲(chǔ)設(shè)備，在不超過(guò)4GB的低容量應(yīng)用中表現(xiàn)得尤為明顯。隨著人們持續(xù)追求功耗更低、重量更輕和性能更佳的產(chǎn)品，NAND被證明極具吸引力。NAND閃存是一種非易失性存儲(chǔ)技術(shù)，即斷電后仍能保存數(shù)據(jù)。它的發(fā)展目標(biāo)就是降低每比特存儲(chǔ)成本、提高存儲(chǔ)容量。收起

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  • 《元器件動(dòng)態(tài)周報(bào)》——受益于AI推動(dòng)，HBM&LDDDR5供不應(yīng)求
    核心觀點(diǎn) 受益于AI基礎(chǔ)設(shè)施投資的持續(xù)推動(dòng)，2025年5月整體存儲(chǔ)器件的需求在向好，HBM以及LDDDR5需求強(qiáng)烈，預(yù)計(jì)維持至少一整年； 得益原廠減產(chǎn)以及數(shù)月來(lái)持續(xù)的庫(kù)存消耗，存儲(chǔ)庫(kù)存逐步維持平衡，但HBM以及LDDDR5仍供不應(yīng)求； 受傳統(tǒng)消費(fèi)終端季節(jié)性疲軟影響，低端存儲(chǔ)價(jià)格穩(wěn)定，但受益于AI設(shè)施及AI應(yīng)用的推動(dòng)，HBM、LDDDR5以及LPDDR4價(jià)格維持高位甚至略漲。 三大維度解讀存儲(chǔ)器件最
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    06/03 09:37
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  • [存儲(chǔ)現(xiàn)貨行情] DRAM資源供應(yīng)緊張；NAND緊缺推漲價(jià)格?
    DRAM現(xiàn)貨市場(chǎng)情況:DDR4現(xiàn)貨市場(chǎng)持續(xù)呈現(xiàn)強(qiáng)勁需求，供應(yīng)緊張的局面。 尤其以SK Hynix與Samsung品牌的8Gb與16Gb顆粒供應(yīng)緊張尤為突出。
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    05/12 10:00
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  • 《元器件動(dòng)態(tài)周報(bào)》——高關(guān)稅困擾下的存儲(chǔ)市場(chǎng)表現(xiàn)
    核心觀點(diǎn) 2025年4月份存儲(chǔ)市場(chǎng)整體存儲(chǔ)器件需求穩(wěn)步增長(zhǎng)，部分器件在四方維商品動(dòng)態(tài)商情需求指數(shù)中環(huán)比上漲； 整體庫(kù)存水位持續(xù)下降，NAND和傳統(tǒng)DRAM交貨時(shí)間不斷延長(zhǎng)； 受關(guān)稅影響，原材料成本上揚(yáng)傳導(dǎo)至現(xiàn)貨成品端，推動(dòng)現(xiàn)貨市場(chǎng)部分存儲(chǔ)價(jià)格走強(qiáng)。 三大維度解讀存儲(chǔ)器件最新供需動(dòng)態(tài) 市場(chǎng)需求分析 4月，四方維商品動(dòng)態(tài)商情存儲(chǔ)需求指數(shù)環(huán)比上升7.38%，同比下降-29.71%。 小型語(yǔ)言模型的興起，
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    04/24 08:04
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  • 產(chǎn)業(yè)丨存儲(chǔ)市場(chǎng)再變，開始漲價(jià)浪潮！
    由于去年NAND產(chǎn)品價(jià)格低迷，為預(yù)防供過(guò)于求的問(wèn)題，美光、三星、SK海力士、鎧俠等公司自2024年第四季度起陸續(xù)實(shí)施了減產(chǎn)措施。盡管減產(chǎn)的幅度不及之前，但這些措施緩解了市場(chǎng)供需失衡的狀況。此前，分析機(jī)構(gòu)預(yù)測(cè)2025年上半年NAND價(jià)格將持續(xù)下跌，直至下半年才可能有所改善。
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  • 存儲(chǔ)芯片，正式漲價(jià)
    今日，存儲(chǔ)芯片正式開始漲價(jià)浪潮。自此，存儲(chǔ)市場(chǎng)長(zhǎng)達(dá)多半年的低迷態(tài)勢(shì)，終于迎來(lái)轉(zhuǎn)折。存儲(chǔ)芯片的兩大主力產(chǎn)品?NAND?與?DRAM，在新一季度的市場(chǎng)表現(xiàn)也各不相同。
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