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CGD發(fā)佈突破性100kW+技術(shù)，推動氮化鎵（GaN）進(jìn)軍超100億美元電動汽車逆變器市場

無晶圓廠環(huán)?？萍及雽?dǎo)體公司Cambridge GaN Devices (CGD)專注於開發(fā)高能效氮化鎵（GaN）功率器件，致力於簡化綠色電子產(chǎn)品的設(shè)計和實(shí)施。近日，CGD進(jìn)一步公佈了關(guān)於ICeGaN? GaN 技術(shù)解決方案的詳情，該方案將助力公司進(jìn)軍功率超過100kW的電動汽車動力總成應(yīng)用市場，這一市場規(guī)模預(yù)計超過100億美元。Combo ICeGaN?通過將智慧ICeGaN HEMT IC與IG

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03/12 08:17

SiC GaN

CGD發(fā)佈突破性100kW+技術(shù)，推動氮化鎵（GaN）進(jìn)軍超100億美元電動汽車逆變器市場

英飛凌IGBT7系列芯片大解析

上回書說到，IGBT自面世以來，歷經(jīng)數(shù)代技術(shù)更迭，標(biāo)志性的技術(shù)包括平面柵+NPT結(jié)構(gòu)的IGBT2，溝槽柵+場截止結(jié)構(gòu)的IGBT3和IGBT4，表面覆銅及銅綁定線的IGBT5等?，F(xiàn)今，英飛凌IGBT芯片的“當(dāng)家掌門”已由IGBT7接任。IGBT7采用微溝槽（micro pattern trench）技術(shù)，溝道密度更高，元胞間距也經(jīng)過精心設(shè)計，并且優(yōu)化了寄生電容參數(shù)，從而實(shí)現(xiàn)極低的導(dǎo)通壓降和優(yōu)化的開關(guān)性能。

英飛凌

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01/16 11:45

英飛凌 IGBT

功率器件，2024年的機(jī)會在哪里？

2023年對整個半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)來說并不輕松。根據(jù)WSTS的數(shù)據(jù)，2023年半導(dǎo)體元器件行業(yè)市場規(guī)模為5201億美元，下跌9.4%，在所有元器件細(xì)分品類中，以功率器件為代表的分立器件是去年唯一正增長的，全年預(yù)計增長5.8%。作為電能轉(zhuǎn)化和電路控制的核心器件，功率器件下游應(yīng)用十分廣泛，按照下游應(yīng)用劃分，汽車領(lǐng)域占比達(dá)40%，其次是工業(yè)占比27%，消費(fèi)電子占13%，其他領(lǐng)域（如通訊、計算機(jī)等領(lǐng)域）占20%