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• 英特爾IEDM 2024大曬封裝、晶體管、互連等領(lǐng)域技術(shù)突破

  在IEDM 2024（2024年IEEE國際電子器件會議）上，英特爾代工展示了包括先進封裝、晶體管微縮、互連縮放等在內(nèi)的多項技術(shù)突破，以助力推動半導體行業(yè)在下一個十年及更長遠的發(fā)展。 英特爾通過改進封裝技術(shù)將芯片封裝中的吞吐量提升高達100倍，探索解決采用銅材料的晶體管在開發(fā)未來制程節(jié)點時可預見的互連微縮限制，并繼續(xù)為先進的全環(huán)繞柵極（GAA）晶體管及其它相關(guān)技術(shù)定義和規(guī)劃晶體管路線圖。 這些技術(shù)

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  2024/12/25

  英特爾 晶體管

  
• 獲批“集成電路科學與工程”一級學科點的機構(gòu)論文統(tǒng)計（IEDM、ISSCC、ISPSD、ICCAD等）

  芯思想統(tǒng)計了自1979年以來，中國內(nèi)地機構(gòu)在IEDM、ISSCC、ISPSD、DAC、ICCAD、JSSC等五大行業(yè)頂會和一個頂刊上的論文發(fā)表情況。IEDM（International Electron Devices Meeting，國際電子器件會議）是IEEE旗下的王牌會議之一，被認為是器件領(lǐng)域的“世界奧林匹克大會”。自1955年舉辦以來，IEDM見證了人類從電子管到晶體管一直到超大規(guī)模集成電路和納電子器件的半個世紀發(fā)展歷史。

  趙元闖

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  2024/12/15

  ICCAD ISSCC
• 英特爾展示互連微縮技術(shù)突破性進展

  在IEDM2024上，英特爾代工的技術(shù)研究團隊展示了晶體管和封裝技術(shù)的開拓性進展，有助于滿足未來AI算力需求。 IEDM 2024（2024年IEEE國際電子器件會議）上，英特爾代工展示了多項技術(shù)突破，助力推動半導體行業(yè)在下一個十年及更長遠的發(fā)展。具體而言，在新材料方面，減成法釕互連技術(shù)（subtractive Ruthenium）最高可將線間電容降低25%1，有助于改善芯片內(nèi)互連。英特爾代工還率

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  2024/12/09

  英特爾 晶體管

  
• 英特爾繼續(xù)推進摩爾定律，為在2030年打造出萬億晶體管芯片鋪平道路

  在晶體管誕生75周年之際，英特爾在IEDM 2022上宣布將把封裝技術(shù)的密度再提升10倍，并使用厚度僅三個原子的新材料推進晶體管微縮。 在IEDM 2022（2022 IEEE國際電子器件會議）上，英特爾發(fā)布了多項突破性研究成果，繼續(xù)探索技術(shù)創(chuàng)新，以在未來十年內(nèi)持續(xù)推進摩爾定律，最終實現(xiàn)在單個封裝中集成一萬億個晶體管。英特爾的研究人員展示了以下研究成果：3D封裝技術(shù)的新進展，可將密度再提升10倍；

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  2022/12/06

  英特爾 晶體管
• 看VLSI會議中國內(nèi)地論文情況，學術(shù)界和產(chǎn)業(yè)界應如何協(xié)同

  VLSI是超大規(guī)模集成電路國際研討會（Symposium on VLSI Technology and Circuits）的簡稱，每年六月中旬在日本京都、美國夏威夷輪流召開。會議匯集了世界各地行業(yè)和學術(shù)界的工程師和科學家，討論超大規(guī)模集成電路制造和設(shè)計中的挑戰(zhàn)。

  趙元闖

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  2019/04/22

  5G芯片 VLSI

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