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• 英特爾IEDM 2024大曬封裝、晶體管、互連等領(lǐng)域技術(shù)突破

  在IEDM 2024（2024年IEEE國(guó)際電子器件會(huì)議）上，英特爾代工展示了包括先進(jìn)封裝、晶體管微縮、互連縮放等在內(nèi)的多項(xiàng)技術(shù)突破，以助力推動(dòng)半導(dǎo)體行業(yè)在下一個(gè)十年及更長(zhǎng)遠(yuǎn)的發(fā)展。 英特爾通過改進(jìn)封裝技術(shù)將芯片封裝中的吞吐量提升高達(dá)100倍，探索解決采用銅材料的晶體管在開發(fā)未來制程節(jié)點(diǎn)時(shí)可預(yù)見的互連微縮限制，并繼續(xù)為先進(jìn)的全環(huán)繞柵極（GAA）晶體管及其它相關(guān)技術(shù)定義和規(guī)劃晶體管路線圖。 這些技術(shù)

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  2024/12/25

  英特爾 晶體管

  
• 獲批“集成電路科學(xué)與工程”一級(jí)學(xué)科點(diǎn)的機(jī)構(gòu)論文統(tǒng)計(jì)（IEDM、ISSCC、ISPSD、ICCAD等）

  芯思想統(tǒng)計(jì)了自1979年以來，中國(guó)內(nèi)地機(jī)構(gòu)在IEDM、ISSCC、ISPSD、DAC、ICCAD、JSSC等五大行業(yè)頂會(huì)和一個(gè)頂刊上的論文發(fā)表情況。IEDM（International Electron Devices Meeting，國(guó)際電子器件會(huì)議）是IEEE旗下的王牌會(huì)議之一，被認(rèn)為是器件領(lǐng)域的“世界奧林匹克大會(huì)”。自1955年舉辦以來，IEDM見證了人類從電子管到晶體管一直到超大規(guī)模集成電路和納電子器件的半個(gè)世紀(jì)發(fā)展歷史。

  趙元闖

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  2024/12/15

  ICCAD ISSCC
• 英特爾展示互連微縮技術(shù)突破性進(jìn)展

  在IEDM2024上，英特爾代工的技術(shù)研究團(tuán)隊(duì)展示了晶體管和封裝技術(shù)的開拓性進(jìn)展，有助于滿足未來AI算力需求。 IEDM 2024（2024年IEEE國(guó)際電子器件會(huì)議）上，英特爾代工展示了多項(xiàng)技術(shù)突破，助力推動(dòng)半導(dǎo)體行業(yè)在下一個(gè)十年及更長(zhǎng)遠(yuǎn)的發(fā)展。具體而言，在新材料方面，減成法釕互連技術(shù)（subtractive Ruthenium）最高可將線間電容降低25%1，有助于改善芯片內(nèi)互連。英特爾代工還率

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  2024/12/09

  英特爾 晶體管

  

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