HBM

• DRAM，開啟30年“新賭局”

  DRAM制程如何突破?10nm？這曾是困擾行業(yè)的共同課題。近日，SK海力士帶來了它的答案。本周，2025年IEEE VLSI?研討會在日本東京舉行，會議上SK海力士提出了未來30年的新?DRAM?技術路線圖。SK?海力士表示，4F2?VG和3D DRAM技術將應用于10nm及以下級內存。

  半導體產業(yè)縱橫

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  06/16 09:29

  dram HBM

  
• 三家半導體大廠搶灘HBM與先進封裝設備

  隨著全球人工智能（AI）與高性能計算（HPC）需求的爆發(fā)式增長，高帶寬內存HBM已成為支撐下一代算力基礎設施的關鍵技術。HBM通過3D封裝堆疊多層DRAM，并利用硅通孔（TSV）實現高速互聯，對芯片制造與封裝設備提出了更高要求。在此背景下，全球半導體設備大廠正積極布局，其中韓美半導體、中微公司、盛美上海近期動作頻頻，顯示出在HBM及先進封裝領域的強勁發(fā)力。

  全球半導體觀察

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  06/12 09:40

  半導體設備 先進封裝

  

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