HBM

DRAM制程如何突破?10nm？這曾是困擾行業(yè)的共同課題。近日，SK海力士帶來(lái)了它的答案。本周，2025年IEEE VLSI?研討會(huì)在日本東京舉行，會(huì)議上SK海力士提出了未來(lái)30年的新?DRAM?技術(shù)路線圖。SK?海力士表示，4F2?VG和3D DRAM技術(shù)將應(yīng)用于10nm及以下級(jí)內(nèi)存。

隨著全球人工智能（AI）與高性能計(jì)算（HPC）需求的爆發(fā)式增長(zhǎng)，高帶寬內(nèi)存HBM已成為支撐下一代算力基礎(chǔ)設(shè)施的關(guān)鍵技術(shù)。HBM通過(guò)3D封裝堆疊多層DRAM，并利用硅通孔（TSV）實(shí)現(xiàn)高速互聯(lián)，對(duì)芯片制造與封裝設(shè)備提出了更高要求。在此背景下，全球半導(dǎo)體設(shè)備大廠正積極布局，其中韓美半導(dǎo)體、中微公司、盛美上海近期動(dòng)作頻頻，顯示出在HBM及先進(jìn)封裝領(lǐng)域的強(qiáng)勁發(fā)力。

2025年第一季由于一般型DRAM(Conventional DRAM)合約價(jià)下跌，加上HBM出貨規(guī)模收斂，DRAM產(chǎn)業(yè)營(yíng)收為270.1億美元，季減5.5%。在平均銷售單價(jià)方面，由于Samsung（三星）更改HBM3e產(chǎn)品設(shè)計(jì)，HBM產(chǎn)能排擠效應(yīng)減弱，促使下游業(yè)者去化庫(kù)存，導(dǎo)致多數(shù)產(chǎn)品合約價(jià)延續(xù)2024年第四季以來(lái)的跌勢(shì)。 展望2025年第二季，隨著PC OEM和智能手機(jī)業(yè)者陸續(xù)完成庫(kù)存去化，并積

在算力需求指數(shù)級(jí)增長(zhǎng)的今天，存儲(chǔ)技術(shù)正經(jīng)歷著從"被動(dòng)容器"到"主動(dòng)參與者"的范式轉(zhuǎn)變。SOCAMM的誕生，標(biāo)志著內(nèi)存模塊首次實(shí)現(xiàn)了對(duì)計(jì)算需求的動(dòng)態(tài)響應(yīng)能力。其同步架構(gòu)通過(guò)統(tǒng)一時(shí)鐘信號(hào)實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)傳輸?shù)木珳?zhǔn)編排，將帶寬提升至傳統(tǒng)DDR5的2.5倍，而適應(yīng)性調(diào)節(jié)機(jī)制則讓模塊在低負(fù)載時(shí)自動(dòng)進(jìn)入節(jié)能模式，功耗僅為同類產(chǎn)品的三分之一。這種"智能節(jié)流"特性，使得SOCAMM在AI訓(xùn)練場(chǎng)景中能根據(jù)模型復(fù)雜度實(shí)時(shí)調(diào)整資源分配，避免了傳統(tǒng)內(nèi)存"大馬拉小車"的效率損耗。

金某曾是SK 海力士的員工，因竊取技術(shù)并轉(zhuǎn)讓給國(guó)外企業(yè)而受到審判，他被發(fā)現(xiàn)持有77 份與高帶寬存儲(chǔ)器 (HBM) 相關(guān)的文件，這些文件在一臺(tái) iPad 上。 HBM是SK海力士旗下的尖端技術(shù)，被稱為人工智能（AI）的引擎。