頻率

• 晶振年老化率 頻率公差 負載范圍 三劍客如何決定電子設備品質

  晶振的年老化率、頻率公差、負載范圍，堪稱決定晶振性能的“三劍客”，它們相互協(xié)作，共同塑造著電子設備的品質。 一、年老化率：晶振性能的時間考驗者 年老化率指的是晶振在正常工作條件下，其頻率隨時間推移而發(fā)生的相對變化量，通常以ppm/年（百萬分之一每年）為單位來表示。它反映的是晶振頻率穩(wěn)定性在時間維度上的表現(xiàn)，是衡量晶振長期可靠性的重要指標。 晶振的年老化率主要由石英晶體的特性、制造工藝以及工作環(huán)境等

  晶發(fā)電子

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  06/17 15:26

  晶振 頻率
• ??如何選擇合適的MDD開關二極管 封裝 頻率與電流能力的權衡??

  在電子電路設計中，MDD開關二極管的選擇直接影響系統(tǒng)的效率、可靠性和成本。作為現(xiàn)場應用工程師（FAE），我們需要綜合考慮封裝、開關頻率和電流能力三個關鍵因素，以找到最優(yōu)的解決方案。 ??1.封裝選擇：散熱、尺寸與安裝方式的平衡?? 封裝不僅決定了二極管的物理尺寸，還直接影響其散熱能力和電流承載能力。常見的封裝類型包括： ??TO-220/TO-247??（大功率）：適用于高電流（10A+）應用，散

  MDD辰達半導體

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  05/22 16:28

  二極管 封裝
• 晶振老化率控制 如何將年漂移量降低至±1ppm以內

  晶振作為電子設備中的關鍵頻率元件，其性能穩(wěn)定性對設備的整體運行至關重要。老化率是衡量晶振長期頻率穩(wěn)定性的重要指標，年漂移量則是老化率的具體體現(xiàn)。在許多高精度電子系統(tǒng)中，如通信設備、導航系統(tǒng)等，要求晶振的年漂移量控制在±1ppm以內。 晶振老化機理分析 晶振的老化主要是由于晶體元件本身的物理化學變化以及外部環(huán)境因素的影響導致的頻率漂移。晶體元件在長期工作過程中，會發(fā)生表面電極的氧化、晶體表面的污染、

  晶發(fā)電子

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  05/22 15:55

  晶振 頻率

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