長鑫存儲

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  • 長鑫存儲DRAM份額將增至12%
    隨著市場份額穩(wěn)步提升的中國企業(yè)的崛起，持續(xù)數(shù)年的三星電子、SK海力士、美光三足鼎立的格局將被打破。
  • 中韓存儲技術(shù)差距縮至3年
    長鑫存儲科技（CXMT）已采用 16 納米技術(shù)量產(chǎn) DDR5 DRAM。據(jù)業(yè)界1月26日報道，半導(dǎo)體市場研究公司TechInsights近日報道稱，“中國分銷市場發(fā)布的32GB DDR5 DRAM模組由長鑫存儲的16Gb（千兆位）DDR5 DRAM組成”，而“長鑫存儲最新的16?采用了‘G4’ DRAM 技術(shù)”。?TechInsights 獲取并分析了上個月上市的中國 DDR5 DRAM模組。DDR5 DRAM 的容量更大，傳輸速度大約是其前身 DDR4 的兩倍。
    中韓存儲技術(shù)差距縮至3年
  • 傳長鑫存儲3倍年薪挖角千人
    金先生，長鑫存儲科技有限公司（CXMT）負(fù)責(zé)開發(fā)的高級副總裁，是韓國人，畢業(yè)于韓國著名大學(xué)，曾在三星電子從事DRAM設(shè)計和開發(fā)工作26年。金先生曾擔(dān)任三星電子研究員（高管）和一家附屬公司負(fù)責(zé)戰(zhàn)略營銷的高管，于 2019 年 11 月移居中國，五年多來一直領(lǐng)導(dǎo)長鑫存儲的尖端 DRAM 開發(fā)。得益于這支“外籍工程師團隊”，長鑫存儲以超出市場預(yù)期的速度進軍傳統(tǒng)DRAM市場，目前正投入到HBM和DRAM 開發(fā)。
    傳長鑫存儲3倍年薪挖角千人
  • 傳長鑫存儲HBM2已送樣，計劃明年中量產(chǎn)
    長鑫存儲正準(zhǔn)備將主要應(yīng)用于人工智能領(lǐng)域的高帶寬存儲器（HBM）以自己的技術(shù)商業(yè)化并供應(yīng)給客戶。據(jù)媒體12月31日報道，長鑫存儲已開始向主要客戶供應(yīng)HBM2標(biāo)準(zhǔn)半導(dǎo)體樣品，并計劃于明年年中開始量產(chǎn)。
  • 美國未制裁長鑫存儲的可能性分析
    美國此次未將長鑫存儲列入制裁名單，部分原因是來自日本的反對。長鑫存儲與日本半導(dǎo)體行業(yè)合作密切，而中國是日本半導(dǎo)體產(chǎn)品主要的出口對象，若響應(yīng)美國對華限制出口芯片，日本半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)將下滑，影響未來產(chǎn)業(yè)合作發(fā)展。此外，中國掌握著豐富的稀有金屬材料鎵、鍺等，是制造半導(dǎo)體的主要來源，一旦日本跟隨美國限制芯片出口，中國可能限制這些材料出口，日本半導(dǎo)體生產(chǎn)將受影響。同時，日本似乎也在中美之間尋求平衡，其在經(jīng)貿(mào)上依賴中國，中日貿(mào)易往來能促進日本發(fā)展。
    美國未制裁長鑫存儲的可能性分析