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長鑫存儲科技（CXMT）已采用 16 納米技術量產 DDR5 DRAM。
據(jù)業(yè)界1月26日報道，半導體市場研究公司TechInsights近日報道稱，“中國分銷市場發(fā)布的32GB DDR5 DRAM模組由長鑫存儲的16Gb（千兆位）DDR5 DRAM組成”，而“長鑫存儲最新的16?采用了‘G4’ DRAM 技術”。?TechInsights 獲取并分析了上個月上市的中國 DDR5 DRAM模組。DDR5 DRAM 的容量更大，傳輸速度大約是其前身 DDR4 的兩倍。
長鑫存儲采用的 16? G4 與三星電子、SK 海力士于 2021 年開始量產的 10? 第三代（1z，15.8~16.2?）工藝相同。這也是為何有分析稱，長鑫存儲與韓國的DRAM技術差距已縮小至3年，上一代 DRAM DDR4 的工藝技術差距超過五年。TechInsights評價稱，“長鑫存儲成功量產16? DRAM，意義重大，意味著其已經做好與三星、SK海力士等公司競爭的準備”。
韓國企業(yè)處于高度警惕狀態(tài)。三星電子和SK海力士已開始準備應對措施，包括開始對長鑫存儲的16? DDR5 DRAM技術進行詳細分析。
去年下半年，三星電子和 SK 海力士開始密切關注長鑫存儲科技（CXMT）的DDR5發(fā)布趨勢。因為在那個時候，長鑫存儲秘密通知其主要客戶“DDR5已開始量產”。此次，人們的擔憂變成了現(xiàn)實，長鑫存儲確認已采用 10 納米（nm；1 nm = 十億分之一米）第三代（1z）技術量產 DDR5 DRAM。
若長鑫存儲繼DDR4之后再度發(fā)起“低價攻勢”，那么對于本已虧損的韓國企業(yè)而言，通用DRAM的盈利能力預計將進一步下滑。
據(jù)半導體市場研究公司TechInsights 報道，長鑫存儲的1z DDR5 16千兆位（Gb）DRAM性能與三星電子、SK海力士同規(guī)格產品相當。韓國內存公司于 2021 年開始量產 16Gb DDR5 DRAM。
據(jù)了解，長鑫存儲采用 16? 工藝生產 DDR5 16Gb DRAM。與韓國企業(yè)的10nm第三代1z DRAM（15.8~16.2?）類似。位密度（單位面積存儲單位）是性能的關鍵衡量標準，為 0.239 Gb/mm2，高于三星電子的同類產品（0.217 Gb/mm2）和 SK 海力士的同類產品（0.213 Gb/mm2）規(guī)格。TechInsights分析稱，“相比18?工藝，長鑫存儲通過16?工藝將存儲信息的單元面積減少了20%?！?/p>
上個月，當中國制造的 DDR5 DRAM 出現(xiàn)在中國分銷市場時，半導體行業(yè)一度陷入懷疑。這是因為美國從2023年10月開始對技術和設備出口進行監(jiān)管，以阻止中國開發(fā)和量產18?或更低規(guī)格的DRAM。據(jù)悉，長鑫存儲突破美國監(jiān)管限制，成功量產16? DDR5 DRAM，令國內業(yè)界感到震驚。據(jù)悉，三星電子已經開始對該產品進行詳細分析。
隨著長鑫存儲成功量產16? DDR5，預計目前已知14-15?級別的“10?第四代（1a）”DRAM的開發(fā)也將加速。TechInsights解釋道：“長鑫存儲也在積極開發(fā)15?以下的DRAM。”
韓國半導體業(yè)界擔心長鑫存儲繼DDR4之后，在DDR5市場發(fā)起“低價攻勢”。長鑫存儲自去年下半年起開始以30%的折扣向市場推出DDR4。結果導致個人電腦用DDR4 DRAM固定交易價格從去年7月的每單位2.10美元，暴跌35.7%，至12月的1.35美元。韓國企業(yè)庫存積壓，盈利能力惡化。
分析認為，若中國在DDR5市場開始低價攻勢，韓國企業(yè)必然會受到沖擊。去年全球DRAM市場DDR5出貨量（折算為位單位）超過了DDR4（62Eb），達到87exabit（Eb）。TechInsights預測，“長鑫存儲將采取行動擴大其DDR5市場份額。”
一些分析人士表示，這些擔憂有些過度。SK海力士首席財務官(CFO)兼執(zhí)行副總裁金宇鉉1月23日在業(yè)績發(fā)布會上表示，“中國企業(yè)的DDR5產品在質量和性能上會有明顯差異(與SK海力士相比)?！边@意味著長鑫存儲已經做好充分準備進入DDR5市場。
