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國(guó)內(nèi)第一！廣東半導(dǎo)體獨(dú)角獸沖刺IPO，華為比亞迪都投了

12月24日?qǐng)?bào)道，昨日，廣東第三代半導(dǎo)體企業(yè)天域半導(dǎo)體的港交所主板IPO申請(qǐng)獲受理。華為哈勃科技、比亞迪、上汽集團(tuán)均是其股東。外延片是生產(chǎn)功率半導(dǎo)體的關(guān)鍵原材料，從最初的硅發(fā)展到以碳化硅及氮化鎵為代表的新一代材料。碳化硅外延片通?？捎糜谛履茉葱袠I(yè)、軌道交通、智能電網(wǎng)、通用航空等領(lǐng)域。

芯東西

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2024/12/25

外延片碳化硅外延片

國(guó)內(nèi)第一！廣東半導(dǎo)體獨(dú)角獸沖刺IPO，華為比亞迪都投了

速度快10倍！這項(xiàng)SiC技術(shù)提供降本新思路

在第1-3期內(nèi)容中，“行家說三代半“介紹了日本電裝（Denso）的SiC長(zhǎng)晶核心技術(shù)（鏈接），今天這期內(nèi)容我們給大家剖一下他們和昭和電工（Resonac）的超快速SiC外延生長(zhǎng)技術(shù)。

行家說三代半

1798

2024/10/18

SiC技術(shù) 碳化硅外延片

超結(jié)SiC新技術(shù)出爐，規(guī)模化量產(chǎn)又進(jìn)一步

近日，華威大學(xué)工程學(xué)院的一項(xiàng)突破性的研究提供了一種新的溝槽外延方法，該研究團(tuán)隊(duì)在1550°C的較低生長(zhǎng)溫度下，使用過飽和氯化化學(xué)方法重新填充4H-SiC的外延溝槽。這種方法帶來了2大好處：

行家說三代半

1707

2024/07/02

SiC 碳化硅外延片

超結(jié)SiC新技術(shù)出爐，規(guī)?；慨a(chǎn)又進(jìn)一步

第三代半導(dǎo)體SiC動(dòng)態(tài)涌現(xiàn)！

近日，化合物半導(dǎo)體動(dòng)態(tài)頻頻，國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)GB/T 43885-2024《碳化硅外延片》正式對(duì)外發(fā)布，并將于今年年末開始實(shí)施。另外晶升股份研發(fā)出液相法碳化硅晶體生長(zhǎng)設(shè)備，多家碳化硅企業(yè)完成新一輪融資，多個(gè)碳化硅項(xiàng)目迎來最新進(jìn)展。

全球半導(dǎo)體觀察

1695

2024/05/16

SiC 第三代半導(dǎo)體