柵極驅(qū)動(dòng)器

加入交流群
掃碼加入
獲取工程師必備禮包
參與熱點(diǎn)資訊討論

電路方案

查看更多

設(shè)計(jì)資料

查看更多
  • 新品 | EiceDRIVER? 650V+/-4A高壓側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器1ED21x7系列
    英飛凌的新一代EiceDRIVER? 1ED21x7x 650V、+/-4A柵極驅(qū)動(dòng)器IC與其他產(chǎn)品相比，提供了一種更穩(wěn)健、更具性價(jià)比的解決方案。1ED21x7x是高電壓、大電流和高速柵極驅(qū)動(dòng)器，可用于Si/SiC功率MOSFET和IGBT開(kāi)關(guān)，設(shè)計(jì)采用英飛凌的絕緣體上硅（SOI）技術(shù)。
    新品 | EiceDRIVER? 650V+/-4A高壓側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器1ED21x7系列
  • 英飛凌推出CoolSiC肖特基二極管2000 V的TO-247-2封裝， 在提升效率的同時(shí)簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)
    目前，許多工業(yè)應(yīng)用正朝著更高功率水平、且功率損耗最小化的方向發(fā)展，實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo)的方法之一是提高直流母線電壓。針對(duì)這一市場(chǎng)趨勢(shì)，全球功率系統(tǒng)和領(lǐng)域的半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）于 2024年9月推出CoolSiC?肖特基二極管2000 V G5產(chǎn)品系列，這是首款擊穿電壓達(dá)到2000 V的碳化硅二極管分立器件。該產(chǎn)品系列目前擴(kuò)展到TO-247-2
    英飛凌推出CoolSiC肖特基二極管2000 V的TO-247-2封裝， 在提升效率的同時(shí)簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)
  • 浮地非隔離半橋柵極驅(qū)動(dòng)器
    作者：Srikesh Pulluri，產(chǎn)品應(yīng)用工程師 摘要 半橋拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)廣泛用于各種商業(yè)和工業(yè)應(yīng)用的電源轉(zhuǎn)換器件中。這種開(kāi)關(guān)模式配置的核心是柵極驅(qū)動(dòng)器IC，其主要功能是使用脈寬調(diào)制信號(hào)向高端和低端MOSFET功率開(kāi)關(guān)提供干凈的電平轉(zhuǎn)換信號(hào)。 本文重點(diǎn)介紹了工程師在為應(yīng)用選擇柵極驅(qū)動(dòng)器IC時(shí)應(yīng)考慮的關(guān)鍵因素。除了基本的電壓和電流額定值之外，本文還說(shuō)明了高共模瞬變抗擾度的重要性和可調(diào)死區(qū)時(shí)間的必要性。
    浮地非隔離半橋柵極驅(qū)動(dòng)器
  • 非常見(jiàn)問(wèn)題解答第225期：原來(lái)為硅MOSFET設(shè)計(jì)的DC-DC控制器能否用來(lái)驅(qū)動(dòng)GaNFET？
    作者：Kevin Thai，應(yīng)用經(jīng)理 問(wèn)題 沒(méi)有專門用于驅(qū)動(dòng)GaNFET的控制器時(shí)，如何使用GaNFET設(shè)計(jì)四開(kāi)關(guān)降壓-升壓DC-DC轉(zhuǎn)換器？ 回答 眾所周知，GaNFET比較難驅(qū)動(dòng)，如果使用原本用于驅(qū)動(dòng)硅(Si) MOSFET的驅(qū)動(dòng)器，可能需要額外增加保護(hù)元件。適當(dāng)選擇正確的驅(qū)動(dòng)電壓和一些小型保護(hù)電路，可以為四開(kāi)關(guān)降壓-升壓控制器提供安全、一體化、高頻率GaN驅(qū)動(dòng)。 簡(jiǎn)介 在不斷追求減小電路板尺
    非常見(jiàn)問(wèn)題解答第225期：原來(lái)為硅MOSFET設(shè)計(jì)的DC-DC控制器能否用來(lái)驅(qū)動(dòng)GaNFET？
  • 意法半導(dǎo)體推出的250W MasterGaN參考設(shè)計(jì)可加速實(shí)現(xiàn)緊湊、高效的工業(yè)電源
    為了加快能效和功率密度都很出色的氮化鎵(GaN)電源(PSU)的設(shè)計(jì)，意法半導(dǎo)體推出了EVL250WMG1L基于MasterGaN1L系統(tǒng)級(jí)封裝(SiP)的諧振轉(zhuǎn)換器參考設(shè)計(jì)。 意法半導(dǎo)體的MasterGaN-SiP在一個(gè)封裝內(nèi)整合了GaN功率晶體管與開(kāi)關(guān)速度和控制準(zhǔn)確度優(yōu)化的柵極驅(qū)動(dòng)器。使用高集成度的系統(tǒng)級(jí)封裝SiP代替采用多個(gè)分立元件的等效解決方案，有助于最大限度地提高電源的性能和可靠性，同時(shí)
    意法半導(dǎo)體推出的250W MasterGaN參考設(shè)計(jì)可加速實(shí)現(xiàn)緊湊、高效的工業(yè)電源