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汽車行業(yè)的最新趨勢是車輛電氣化。 效率是電池電動汽車的關(guān)鍵參數(shù)之一，因為更高的效率意味著車輛的行駛里程增加，由于車輛中電池的減少而導(dǎo)致重量和成本的減輕。 碳化硅 MOSFET 是一項能夠提高電力傳動系統(tǒng)效率的技術(shù)。 用于驅(qū)動功率模塊的柵極驅(qū)動器是牽引逆變器中非常重要的組成部分。 良好的柵極驅(qū)動器設(shè)計對于獲得逆變器的高效率以及確保逆變器的安全至關(guān)重要。
作為這項工作的一部分，三相柵極驅(qū)動器板 SEC?SiCGDSSSC?GEVB 是采用 onsemi 的新型隔離柵極驅(qū)動器 IC NCV57050 設(shè)計的。 NCV57050 滿足 SiC 模塊完整柵極驅(qū)動的所有要求。 NCV57050 的一些特性包括非常高的驅(qū)動電流能力、快速 DESAT 保護、其他保護功能、隔離溫度測量、有源米勒鉗位、寬偏置電壓范圍等。
本應(yīng)用筆記涵蓋了 SEC?SiCGDSSSDC?GEVB 評估板的規(guī)格、設(shè)計和測試結(jié)果，如圖 1 和圖 2 所示。該柵極驅(qū)動器板展示了用于單側(cè)直接冷卻 6 組的完整柵極驅(qū)動器解決方案 碳化硅功率模塊（SSDC模塊）如圖3所示。
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